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광전소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015143399
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광전소자 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 광전소자는 그래핀을 포함하는 광활성층을 구비할 수 있다. 상기 광활성층 상에 전극 구조체가 구비될 수 있다. 상기 전극 구조체는 서로 이격된 제1 및 제2 전극 부재를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 전극 부재는 서로 다른 물질로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2 전극 부재는 상기 광활성층과 다른 일함수를 가질 수 있다. 상기 제1 및 제2 전극 부재 중 하나는 상기 광활성층을 정공으로 도핑시키는 제1 물질을 포함할 수 있고, 다른 하나는 상기 광활성층을 전자로 도핑시키는 제2 물질을 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/04(2013.01) H01L 31/04(2013.01) H01L 31/04(2013.01) H01L 31/04(2013.01) H01L 31/04(2013.01) H01L 31/04(2013.01) H01L 31/04(2013.01)
출원번호/일자 1020110061802 (2011.06.24)
출원인 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0006871 (2013.01.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.05.20)
심사청구항수 24

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성민 대한민국 서울특별시 노원구
2 차승남 대한민국 서울특별시 광진구
3 이화민 중국 경기도 수원시 장안구
4 유원종 미국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0483873-43
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2016-0486422-74
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.09.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.11.10 수리 (Accepted) 9-1-2016-0046744-15
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.01.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0049427-00
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.04.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0267736-50
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번호 청구항
1 1
그래핀(graphene)을 포함하는 광활성층; 및 상기 광활성층에 연결된 전극 구조체;를 구비하는 광전소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 광활성층은 그래핀층인 광전소자
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 전극 구조체는 상기 광활성층 상에 구비된 제1 및 제2 전극 부재를 포함하는 광전소자
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전극 부재는 상기 광활성층과 다른 일함수(work function)를 갖는 광전소자
5 5
제 3 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전극 부재는 서로 다른 일함수를 갖는 광전소자
6 6
제 3 내지 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 전극 부재는 상기 광활성층을 정공으로 도핑시키는 제1 물질을 포함하고, 상기 제2 전극 부재는 상기 광활성층을 전자로 도핑시키는 제2 물질을 포함하는 광전소자
7 7
제 3 내지 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 전극 부재는 상기 광활성층의 페르미 레벨(Fermi level)을 낮추는 제1 물질을 포함하고, 상기 제2 전극 부재는 상기 광활성층의 페르미 레벨을 높이는 제2 물질을 포함하는 광전소자
8 8
제 3 항에 있어서, 상기 제1 전극 부재는 복수의 제1 라인패턴을 포함하고, 상기 제2 전극 부재는 복수의 제2 라인패턴을 포함하며, 상기 제1 라인패턴과 상기 제2 라인패턴은 교대로 배치된 광전소자
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 제1 전극 부재는 상기 복수의 제1 라인패턴의 일단을 연결하는 제1 연결부를 더 포함하고, 상기 제2 전극 부재는 상기 복수의 제2 라인패턴의 일단을 연결하는 제2 연결부를 더 포함하며, 상기 제1 연결부와 제2 연결부 사이에 상기 복수의 제1 라인패턴과 복수의 제2 라인패턴이 구비된 광전소자
10 10
제 8 항에 있어서, 상기 제1 라인패턴과 상기 제2 라인패턴 사이의 간격은 수백 나노미터(nm) 이하인 광전소자
11 11
제 3 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전극 부재 사이의 간격은 수백 나노미터(nm) 이하인 광전소자
12 12
제 1 항에 있어서, 상기 광활성층과 상기 전극 구조체는 하나의 단위 구조를 구성하고, 상기 단위 구조가 복수 개 적층된 광전소자
13 13
제 1 항에 있어서, 상기 광전소자는 플렉서블(flexible) 소자인 광전소자
14 14
제 1 항에 있어서, 상기 광전소자는 태양전지인 광전소자
15 15
제 1 항에 있어서, 상기 광전소자는 광센서인 광전소자
16 16
광활성층; 및 상기 광활성층의 제1면에 구비된 제1 및 제2 전극;을 포함하고, 상기 제1 및 제2 전극은 서로 다른 물질로 형성된 광전소자
17 17
제 16 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전극은 상기 광활성층과 다른 일함수를 갖는 광전소자
18 18
제 16 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전극은 서로 다른 일함수를 갖는 광전소자
19 19
제 16 내지 18 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 전극은 상기 광활성층을 정공으로 도핑시키는 제1 물질을 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 광활성층을 전자로 도핑시키는 제2 물질을 포함하는 광전소자
20 20
기판 상에 그래핀을 포함하는 광활성층을 형성하는 단계; 및상기 광활성층 상에 전극 구조체를 형성하는 단계;를 포함하는 광전소자의 제조방법
21 21
제 20 항에 있어서, 상기 전극 구조체를 형성하는 단계는, 상기 광활성층 상에 제1 전극 부재를 형성하는 단계; 및 상기 광활성층 상에 상기 제1 전극 부재와 이격된 제2 전극 부재를 형성하는 단계;를 포함하는 광전소자의 제조방법
22 22
제 21 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전극 부재는 서로 다른 물질로 형성하는 광전소자의 제조방법
23 23
제 22 항에 있어서, 상기 제1 전극 부재는 상기 광활성층을 정공으로 도핑시키는 제1 물질로 형성하고, 상기 제2 전극 부재는 상기 광활성층을 전자로 도핑시키는 제2 물질로 형성하는 광전소자의 제조방법
24 24
제 21 항에 있어서, 상기 제1 전극 부재는 복수의 제1 라인패턴을 포함하도록 형성하고, 사익 제2 전극 부재는 복수의 제2 라인패턴을 포함하도록 형성하며, 상기 제1 라인패턴과 상기 제2 라인패턴은 교대로 배치되도록 형성하는 광전소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.