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1
게이트, 소오스, 드레인을 구비하고 게이트와 소오스 단자간 전압의 크기에 기초하여 드레인과 소오스 단자간 전류의 크기가 변동되며 게이트는 소정의 입력측 바이어스 및 정합회로를 통해 입력단과 접속되어 있는 제 1 능동소자;게이트, 소오스, 드레인을 구비하고 게이트는 고전위와 연결되고 소오스는 상기 제 1 능동소자의 드레인과 연결되며 드레인을 통해 출력단과 접속하며 LOAD를 통해 +전원과 접속하는 제 2 능동소자;게이트, 소오스, 드레인을 구비하고 게이트는 고전위와 연결되고 소오스는 상기 제 1 능동소자의 드레인과 연결되며 드레인은 +전원과 접속하며 트랜스컨덕턴스 이 상기 제 1 능동소자의 보다 작은 제 3 능동소자; 및상기 제 1 능동소자의 소오스에 연결되어 접지되는 소오스 임피던스부를 포함하되,상기 제 3 능동소자의 소오스와 상기 제 2 능동소자의 소오스가 상기 제 1 능동소자의 드레인에 공통으로 접속하여 상기 제 1 능동소자의 드레인에서 출력되는 전류 중 혼변조 전류를 상기 제 3 능동소자의 소오스로 흐르도록 하는 캐스코드형 증폭기
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| 2 |
2
게이트, 소오스, 드레인을 구비하고 게이트와 소오스 단자간 전압의 크기에 기초하여 드레인과 소오스 단자간 전류의 크기가 변동되며 게이트는 소정의 입력측 바이어스 및 정합회로를 통해 입력단과 접속되어 있는 제 1 능동소자;게이트, 소오스, 드레인을 구비하고 게이트는 고전위와 연결되고 소오스는 상기 제 1 능동소자의 드레인과 연결되며 드레인을 통해 출력단과 접속하며 LOAD를 통해 +전원과 접속하는 제 2 능동소자; 게이트, 소오스, 드레인을 구비하고 게이트와 드레인은 임피던스를 통해 접지되고 소오스는 상기 제 1 능동소자의 드레인과 제 2 능동소자의 소오스에 연결되어 있으며 트랜스컨덕턴스이 제 1 능동소자의 보다 작은 제 3 능동소자; 및상기 제 1 능동소자의 소오스에 연결되어 접지되는 소오스 임피던스부를 포함하되,상기 제 3 능동소자의 소오스와 상기 제 2 능동소자의 소오스가 상기 제 1 능동소자의 드레인에 공통으로 접속하여 상기 제 1 능동소자의 드레인에서 출력되는 전류 중 혼변조 전류를 상기 제 3 능동소자의 소오스로 흐르도록 하는 캐스코드형 증폭기
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3
게이트, 소오스, 드레인을 구비하고 게이트와 소오스 단자간 전압의 크기에 기초하여 드레인과 소오스 단자간 전류의 크기가 변동되며 게이트는 소정의 입력측 바이어스 및 정합회로를 통해 입력단과 접속되어 있는 제 1 능동소자;게이트, 소오스, 드레인을 구비하고 게이트는 고전위와 연결되고 소오스는 상기 제 1 능동소자의 드레인과 연결되며 드레인을 통해 출력단과 접속하며 LOAD를 통해 +전원과 접속하는 제 2 능동소자;게이트, 소오스, 드레인을 구비하고 게이트는 바이어스를 통해 고전위와 연결되고 드레인은 접지되며 소오스는 상기 제 1 능동소자의 드레인과 제 2 능동소자의 소오스에 연결되어 있으며 트랜스컨덕턴스이 제 1 능동소자의 보다 작은 제3 능동소자; 및상기 제 1 능동소자의 소오스에 연결되어 접지되는 소오스 임피던스부를 포함하되,상기 제 3 능동소자의 소오스와 상기 제 2 능동소자의 소오스가 상기 제 1 능동소자의 드레인에 공통으로 접속하여 상기 제 1 능동소자의 드레인에서 출력되는 전류 중 혼변조 전류를 상기 제 3 능동소자의 소오스로 흐르도록 하는 캐스코드형 증폭기
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| 4 |
4
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 능동소자는 얇은 산화막 NMOS FET으로 형성되며 상기 제 3 능동소자는 두꺼운 산화막 NMOS FET으로 형성되는 것을 특징으로 하는 캐스코드형 증폭기
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5
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 제 2 능동소자는 얇은 산화막 NMOS FET 으로 형성되며 상기 제 3 능동소자는 얇은 산화막 PMOS FET으로 형성되는 것을 특징으로 하는 캐스코드형 증폭기
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6
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 제 1 능동소자(M1)는 게이트 소오스 사이의 전압에 선형적 비례하는 성분, 게이트 소오스 사이의 전압의 제곱, 세제곱 및 고차항에 비례하는 전류성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 캐스코드형 증폭기
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7
베이스, 에미터, 콜렉터를 구비하고 베이스와 에미터 단자간 전압의 크기에 기초하여 콜렉터과 에미터 단자간 전류의 크기가 변동되며 베이스는 소정의 입력측 바이어스 및 정합회로를 통해 입력단과 접속되어 있는 제 1 능동소자;베이스, 에미터, 콜렉터를 구비하고 베이스는 고전위와 연결되고 에미터는 상기 제 1 능동소자의 콜렉터와 연결되며 콜렉터를 통해 출력단과 접속하며 LOAD를 통해 +전원과 접속하는 제 2 능동소자;베이스, 에미터, 콜렉터를 구비하고 베이스는 고전위와 연결되고 에미터는 상기 제 1 능동소자의 콜렉터와 연결되며 콜렉터는 +전원과 접속하며 트랜스컨덕턴스이 상기 제 1 능동소자의 보다 작은 제 3 능동소자; 및상기 제 1 능동소자의 에미터에 연결되어 접지되는 소스 또는 소오스 임피던스부를 포함하되,상기 제 3 능동소자의 에미터와 상기 제 2 능동소자의 에미터가 상기 제 1 능동소자의 콜렉터에 공통으로 접속하여 상기 제 1 능동소자의 콜렉터에서 출력되는 전류 중 혼변조 전류를 상기 제 3 능동소자의 에미터로 흐르도록 하는 캐스코드형 증폭기
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8
베이스, 에미터, 콜렉터를 구비하고 베이스와 에미터 단자간 전압의 크기에 기초하여 콜렉터와 에미터 단자간 전류의 크기가 변동되며 베이스는 소정의 입력측 바이어스 및 정합회로를 통해 입력단과 접속되어 있는 제 1 능동소자;베이스, 에미터, 콜렉터를 구비하고 베이스는 고전위와 연결되고 에미터는 상기 제 1 능동소자의 콜렉터와 연결되며 콜렉터를 통해 출력단과 접속하며 LOAD를 통해 +전원과 접속하는 제 2 능동소자; 베이스, 에미터, 콜렉터를 구비하고 베이스와 콜렉터는 임피던스를 통해 접지되고 소오스는 상기 제 1 능동소자의 콜렉터와 제 2 능동소자의 에미터에 연결되어 있으며 트랜스컨덕턴스이 제 1 능동소자의 보다 작은 제 3 능동소자; 및상기 제 1 능동소자의 에미터에 연결되어 접지되는 에미터 임피던스부를 포함하되,상기 제 3 능동소자의 에미터와 상기 제 2 능동소자의 에미터가 상기 제 1 능동소자의 콜렉터에 공통으로 접속하여 상기 제 1 능동소자의 콜렉터에서 출력되는 전류 중 혼변조 전류를 상기 제 3 능동소자의 에미터로 흐르도록 하는 캐스코드형 증폭기
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9
베이스, 에미터, 콜렉터를 구비하고 베이스와 에미터 단자간 전압의 크기에 기초하여 콜렉터와 에미터 단자간 전류의 크기가 변동되며 베이스는 소정의 입력측 바이어스 및 정합회로를 통해 입력단과 접속되어 있는 제 1 능동소자;베이스, 에미터, 콜렉터를 구비하고 베이스는 고전위와 연결되고 에미터는 상기 제 1 능동소자의 콜렉터와 연결되며 콜렉터를 통해 출력단과 접속하며 LOAD를 통해 +전원과 접속하는 제 2 능동소자;베이스, 에미터, 콜렉터를 구비하고 베이스와 콜렉터는 임피던스를 통해 접지되고 에미터는 상기 제 1 능동소자의 콜렉터와 제 2 능동소자의 에미터에 연결되어 있으며 트랜스컨덕턴스이 제 1 능동소자의 보다 작은 제 3 능동소자; 및상기 제 1 능동소자의 에미터에 연결되어 접지되는 에미터 임피던스부를 포함하되,상기 제 3 능동소자의 에미터와 상기 제 2 능동소자의 에미터가 상기 제 1 능동소자의 콜렉터에 공통으로 접속하여 상기 제 1 능동소자의 콜렉터에서 출력되는 전류 중 혼변조 전류를 상기 제 3 능동소자의 소오스로 흐르도록 하는 캐스코드형 증폭기
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제 7항 내지 제 9 항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 제 1 능동소자(M1)는 베이스와 에미터 사이의 전압에 선형적 비례하는 성분, 베이스와 에미터 사이의 전압의 제곱, 세제곱 및 고차항에 비례하는 전류성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 캐스코드형 증폭기
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