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기판 상에 n형 질화물 반도체층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층을 순차적으로 성장시키는 단계,상기 n형 질화물 반도체층의 일부가 노출되도록, 상기 활성층 및 p형 질화물 반도체층의 일부를 식각하는 단계,상기 식각 단계에서 식각되지 않은 상기 p형 질화물 반도체층의 상면에 소정 패턴의 홀을 형성하는 단계 및상기 식각에 의해 노출된 n형 질화물 반도체층 및 상기 소정 패턴의 홀이 형성된 상기 p형 질화물 반도체층 상에 각각 n측 전극 및 p측 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 소정 패턴의 홀은 중성빔 식각장치에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 소정 패턴의 홀을 형성하기 전에 상기 n형 질화물 반도체층을 마스크하여 상기 n형 질화물 반도체층에는 상기 소정 패턴의 홀이 형성되지 않는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 소정 패턴의 홀은 상기 질화물 반도체 발광 소자가 웨이퍼에서 셀로 분리된 후 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 소정 패턴의 홀은 1㎚ 내지 100㎛의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 소정 패턴의 홀은 광결정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
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기판 상에 n형 질화물 반도체층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층을 순차적으로 성장시키는 단계,상기 n형 질화물 반도체층의 일부가 노출되도록, 상기 활성층 및 p형 질화물 반도체층의 일부를 식각하는 단계,상기 식각에 의해 노출된 상기 n형 질화물 반도체층 및 상기 식각 단계에서 식각되지 않은 상기 p형 질화물 반도체층 상에 각각 n측 전극 및 p측 전극을 형성하는 단계 및상기 p형 질화물 반도체층의 상면에 상기 p측 전극을 제외한 부분에 소정 패턴의 홀을 형성하는 단계를 포함하고,상기 소정 패턴의 홀은 중성빔 식각장치에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 소정 패턴의 홀을 형성하기 전에 상기 n형 질화물 반도체층과 상기 p측 전극을 마스크하여 상기 n형 질화물 반도체층 및 상기 p측 전극에는 상기 소정 패턴의 홀이 형성되지 않는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 소정 패턴의 홀은 상기 질화물 반도체 발광 소자가 웨이퍼에서 셀로 분리된 후 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
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제14항에 있어서,상기 소정 패턴의 홀은 1㎚ 내지 100㎛의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 소정 패턴의 홀은 광결정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
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