맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

광 검출 소자 및 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015143546
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광 검출 소자 및 광 검출 소자의 제작 방법에 관한 것으로, 광 검출 소자는 게이트 전극을 포함하고, 유전체층 및 자가결합계면층이 형성된 기판, 자가결합계면층의 상부에 서로 이격 되어 형성된 소스 전극 및 드레인 전극, 소스 전극과 드레인 전극을 연결하는 그래핀 채널층 및, 그래핀 채널층 상부에 형성된 페로브스카이트 박막을 포함한다.
Int. CL H01L 31/10 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0392 (2006.01)
CPC H01L 31/101(2013.01)H01L 31/101(2013.01)H01L 31/101(2013.01)H01L 31/101(2013.01)
출원번호/일자 1020140128468 (2014.09.25)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1546500-0000 (2015.08.17)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150824) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.09.25)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 조정호 대한민국 서울특별시 서초구
2 이영빈 대한민국 경기도 평택시 이충로 **-**,

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-0914283-17
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2015.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2015-0292777-82
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2015.03.26 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2015.04.06 수리 (Accepted) 9-1-2015-0021498-13
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.04.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0239964-83
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.06.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0558639-51
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2015-0558638-16
8 등록결정서
Decision to grant		 2015.08.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0521497-55
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
광 검출 소자에 있어서, 게이트 전극을 포함하고, 유전체층 및 자가결합계면층 (Self-Assembled Monolayer)이 형성된 기판,상기 자가결합계면층의 상부에 서로 이격 되어 형성된 소스 전극 및 드레인 전극,상기 자가결합계면층의 상부에 형성되며, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극을 연결하도록 형성된 그래핀 채널층 및,상기 그래핀 채널층 상부에 형성된 페로브스카이트 박막을 포함하는 광 검출 소자
2 2
제 1항에 있어서,상기 페로브스카이트 박막은 메틸암모늄납할로겐화합물(methylammonium lead halide)로 이루어진 것인 광 검출 소자
3 3
제 1항에 있어서,상기 기판은 유리(glass), 석영(quartz), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 폴리에틸렌 프탈레이트(Polyethylene phthalate, PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate, PEN), 및 폴리에틸렌이민(polyethylenimine, PEI) 중 어느 하나를 포함하는 광 검출 소자
4 4
광 검출 소자의 제조 방법에 있어서, 게이트 전극을 포함하는 기판에 유전체층 및 자가결합계면층(Self-Assembled Monolayer)을 형성하는 단계;상기 자가결합계면층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 상기 소스 전극 및 드레인 전극 상에 그래핀 채널층을 형성하는 단계; 및 상기 그래핀 채널층 상에 페로브스카이트 박막을 형성하는 단계를 포함하는 광 검출 소자의 제조 방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 페로브스카이트 박막을 형성하는 단계는 용액 상태의 페로브스카이트 물질 중 어느 하나를 드랍 캐스팅(drop casting), 스핀코팅(spin coating), 스프레이코팅(spray coating), 바코팅(bar coating), 또는 딥핑(dipping) 공정 중 어느 하나의 공정을 수행하는 것인 광 검출 소자의 제조 방법
6 6
제 5항에 있어서,상기 페로브스카이트 박막은 메틸암모늄납할로겐화합물(methylammonium lead halide)로 이루어진 것인 광 검출 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 성균관대학교(자연과학캠퍼스) 글로벌프론티어사업 하이브리드 소프트 나노소자 기술