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Si-계 산질화물계 형성하기 위한 +2가 금속 염을 포함하는 수용액을 80℃ 내지 200℃의 온도에서 수열합성을 이용하여 고분자 물질에 함침시켜 전구체를 수득하고,상기 전구체를 산소-함유 분위기 하에서 300℃ 내지 800℃의 온도에서 1차 소성한 후, 암모니아- 또는 질소-함유 분위기 하에서 900℃ 내지 1400℃의 온도에서 2차 소성하는 것을 포함하는, 형광체 분말의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 2차 소성은, 상기 1차 소성 후, 냉각한 후에 또는 연속적으로 수행되는 것인, 형광체 분말의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 +2가 금속은 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 형광체 분말의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 산질화물계 형광체 분말이 Al을 추가 포함하는 것인, 형광체 분말의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 2차 소성 시 상기 암모니아- 또는 질소-함유 분위기는 환원 분위기인, 형광체 분말의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 2차 소성이 1 내지 20 atm의 가압 분위기 하에서 수행되는 것인, 형광체 분말의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 고분자 물질이 글루코스, 펄프, 결정화 셀룰로오스, 비결정질 셀룰로오스, 레이온, 시트르산, 우레아 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인, 형광체 분말의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 형광체 분말의 입자 직경이 1 내지 10 ㎛인, 산질화물계 형광체 분말의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 Si-계 산질화물계 형성하기 위한 +2가 금속 염을 포함하는 수용액이 프로필렌글리콜을 추가 함유하는 것인, 산질화물계 형광체 분말의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조되는 형광체 분말
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제 10 항에 있어서,상기 분말은 SrSiON: Eu2+
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제 10 항에 따른 형광체 분말을 포함하는 디스플레이
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제 12 항에 있어서,상기 디스플레이는 브라운관, 발광 다이오드(light emitting diode, LED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP), 전계 방출 디스플레이(Field Emission Display, FED) 또는, 진공 형광 디스플레이 (VFD)인 디스플레이
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제 10 항에 따른 형광체 분말을 포함하는 램프
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