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기판;상기 기판 상에 적층되는 n형 클래드층;상기 n형 클래드층 상에 적층되는 활성층; 및상기 활성층 상에 적층된 p형 클래드층을 포함하고,상기 n형 클래드층의 상부는 마이크로 스케일의 패턴을 가지며, 상기 패턴된 n형 클래드층의 돌출 영역 사이의 간격은 상기 돌출 영역의 높이보다 크고,상기 활성층 및 상기 p형 클래드층은 상기 n형 클래드층의 상부의 패턴 구조와 같은 형상을 갖도록 적층된 것인 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 기판과 상기 n형 클래드층 사이에 적층된 제1 버퍼층을 더 포함하는 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 n형 클래드층과 상기 활성층 사이에 적층된 제2 버퍼층을 더 포함하고,상기 제2 버퍼층은 상기 n형 클래드층의 상부의 패턴 구조와 같은 형상을 갖도록 적층된 것인 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 제2 버퍼층의 두께는 1 내지 50nm인 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 n형 클래드층의 돌출영역은 사다리꼴 형태의 종단면을 가지는 발광 다이오드
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기판을 제공하는 단계;상기 기판 상에 n형 클래드층을 형성하는 단계;상기 n형 클래드층 상에 마이크로 스케일의 패턴을 형성하는 단계;상기 패턴이 형성된 n형 클래드층 상에 활성층을 성장시키는 단계; 및상기 활성층 상에 p형 클래드층을 성장시키는 단계를 포함하고,상기 패턴된 n형 클래드층의 돌출 영역 사이의 간격은 상기 돌출 영역의 높이보다 크고,상기 활성층 및 상기 p형 클래드층은 상기 n형 클래드층의 상부의 패턴 구조와 같은 형상을 갖도록 적층된 것인 발광 다이오드 제조방법
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제6항에 있어서,상기 기판과 상기 n형 클래드층 사이에 제1 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광 다이오드 제조방법
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제6항에 있어서,상기 n형 클래드층과 상기 활성층 사이에 제2 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 제2 버퍼층은 상기 n형 클래드층의 상부의 패턴 구조와 같은 형상을 갖도록 적층된 것인 발광 다이오드 제조방법
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제6항에 있어서,상기 패턴된 n형 클래드층의 돌출영역은 사다리꼴 형태의 종단면을 가지는 발광 다이오드 제조방법
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제6항에 있어서,상기 n형 클래드층 상에 마이크로 스케일의 패턴을 형성하는 단계는 중성빔을 사용하여 식각하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 제조방법
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