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기판; 상기 기판 위에 마련된 산화 그라파이트층; 및상기 산화 그라파이트층 위에 마련되는 금속층;을 포함하며, 조사되는 빛에 의해 상기 산화 그라파이트층과 상기 금속층 사이에서 표면 플라즈몬이 발생되는 표면 플라즈몬 발생 장치
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제1 항에 있어서, 상기 금속층은 다수의 금속 나노입자들이 분산된 나노물질층이며, 조사되는 빛에 의해 상기 산화 그라파이트층과 상기 금속 나노입자들 사이의 계면에서 표면 플라즈몬이 발생되는 표면 플라즈몬 발생 장치
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제2 항에 있어서, 상기 금속 나노입자들은 나노스피어 또는 나노로드의 형상을 가진 표면 플라즈몬 발생 장치
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제2 항에 있어서, 상기 금속 나노입자들은 10~300nm 범위내의 크기를 갖는 표면 플라즈몬 발생 장치
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제4 항에 있어서, 상기 금속 나노입자들은 110~200nm 범위내의 크기를 갖는 표면 플라즈몬 발생 장치
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6
제1 항에 있어서, 상기 금속층은 매끄러운 평판 형태의 금속박막층이며, 조사되는 빛에 의해 상기 산화 그라파이트층과 상기 금속박막층 사이의 계면에서 표면 플라즈몬이 발생되는 표면 플라즈몬 발생 장치
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7
제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 산화 그라파이트층은 단원자층 또는 다원자층으로 형성되는 표면 플라즈몬 발생 장치
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8
제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속층 위에 유전층 또는 산화 그라파이트층이 더 마련된 표면 플라즈몬 발생 장치
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제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 유연성을 가진 재질로 형성되는 표면 플라즈몬 발생 장치
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10
제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판은 빛을 방출하거나 빛을 흡수하는 광소자를 이루는 층들 중 어느한 층인 표면 플라즈몬 발생 장치
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11
기판을 마련하는 단계;상기 기판 위에 산화 그라파이트층을 형성하는 단계; 및상기 산화 그라파이트층 위에 금속층을 형성하는 단계를 포함하며, 조사되는 빛에 의해 상기 산화 그라파이트층과 상기 금속층 사이에서 표면 플라즈몬이 발생되는 표면 플라즈몬 발생 장치를 제조하는 방법
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12
제11 항에 있어서, 상기 산화 그라파이트층의 굴절률을 조절하여 상기 산화 그라파이트층과 상기 금속층의 계면에서 발생되는 표면 플라즈몬의 파장 흡수 대역을 조절(shift)하는 표면 플라즈몬 발생 장치를 제조하는 방법
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13
제12 항에 있어서, 상기 산화 그라파이트층의 굴절률은 상기 산화 그라파이트층의 두께를 변경하여 조절하는 표면 플라즈몬 발생 장치를 제조하는 방법
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제12 항에 있어서, 상기 산화 그라파이트층의 굴절률은 상기 산화 그라파이트층을 이루는 탄소원자층의 층수를 변경하여 조절하는 표면 플라즈몬 발생 장치를 제조하는 방법
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15
제12 항에 있어서, 상기 산화 그라파이트층의 굴절률은 상기 산화 그라파이트층을 이루는 탄소와 산소의 비율을 변경하여 조절하는 표면 플라즈몬 발생 장치를 제조하는 방법
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16
제12 항에 있어서, 상기 산화 그라파이트층의 굴절률은 상기 산화 그라파이트층을 형성한 뒤 열처리를 함으로써 조절하는 표면 플라즈몬 발생 장치를 제조하는 방법
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제12 항 내지 제16 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속층은 다수의 금속 나노입자들이 분산된 나노물질층이며,상기 다수의 금속 나노입자들의 크기를 변경하여 상기 산화 그라파이트층과 상기 나노물질층의 계면에서 발생되는 표면 플라즈몬의 파장 흡수 대역을 조절하는 표면 플라즈몬 발생 장치를 제조하는 방법
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제12 항 내지 제16 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판은 빛을 방출하는 발광소자를 이루는 층들 중 어느 한 층이며, 상기 표면 플라즈몬의 파장 흡수 대역이 상기 발광소자에서 방출되는 빛의 파장대역을 포함하도록 상기 표면 플라즈몬의 파장 흡수 대역을 조절하는 표면 플라즈몬 발생 장치를 제조하는 방법
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제12 항 내지 제16 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판은 태양전지를 이루는 층들 중 어느 한 층이며, 상기 표면 플라즈몬의 파장 흡수 대역이 상기 태양전지에서 흡수 효율이 낮은 파장 대역을 포함하도록 상기 표면 플라즈몬의 파장 흡수 대역을 조절하는 표면 플라즈몬 발생 장치를 제조하는 방법
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제12 항 내지 제16 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판은 광센서를 이루는 층들 중 어느 한 층이며, 상기 표면 플라즈몬의 파장 흡수 대역이 상기 광센서에서 검출 효율이 낮은 파장 대역을 포함하도록 상기 표면 플라즈몬의 파장 흡수 대역을 조절하는 표면 플라즈몬 발생 장치를 제조하는 방법
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21
광기능부재;상기 광기능부재 위에 마련되는 산화 그라파이트층; 및상기 산화 그라파이트층 위에 마련되는 금속층;을 포함하며, 조사되는 빛에 의해 상기 산화 그라파이트층과 상기 금속층 사이에서 표면 플라즈몬이 발생되는 광소자
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제21 항에 있어서, 상기 금속층은 다수의 금속 나노입자들이 분산된 나노물질층이며, 조사되는 빛에 의해 상기 산화 그라파이트층과 상기 금속 나노입자들 사이의 계면에서 표면 플라즈몬이 발생되는 광소자
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제21 항에 있어서, 상기 금속층은 매끄러운 평판 형태의 금속박막층이며, 조사되는 빛에 의해 상기 산화 그라파이트층과 상기 금속박막층 사이의 계면에서 표면 플라즈몬이 발생되는 광소자
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제21 항에 있어서, 상기 산화 그라파이트층은 단원자층 또는 다원자층으로 형성되는 광소자
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제21 항에 있어서, 상기 금속층 위에 유전층 또는 산화 그라파이트층이 더 마련된 광소자
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제21 항에 있어서, 상기 광기능부재는 유연성을 가지는 광소자
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제21 항 내지 제26 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광기능부재는 발광소자이며, 상기 광기능부재의 광방출면 위에 마련되는 광소자
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제27 항에 있어서, 상기 발광소자는 발광다이오드, 유기발광다이오드, 및 레이저 다이오드 중 어느 하나인 광소자
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제21 항 내지 제26 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광기능부재는 태양전지 또는 광센서이며, 상기 산화 그라파이트층은 상기 광기능부재의 광입사면에 마련되는 광소자
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