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내부에 제1전극 및 제2전극이 구비된 플라즈마 증착용 챔버를 이용하여 기판의 표면에 내지문성 박막을 형성하는 방법에 있어서, 상기 제2전극 상에 내지문성 박막을 형성하기 위한 기판을 장착하는 단계와;상기 챔버 내부에 메틸기(CH3) 또는 불화탄소기(CF3)를 포함하는 전구체 물질을 반응가스와 함께 공급하는 단계와;상기 제1전극 또는 상기 제2전극에 전력을 인가하여 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 플라즈마를 발생시키고, 발생된 플라즈마를 가속시켜 상기 기판의 표면에 내지문성 박막을 증착, 형성하는 단계;를 포함하여 구성되되, 상기 챔버 내부에 공급되는 전구체 물질은,헥사메틸디사이레인(Hexamethyldisilane, HMDS), 헥사메틸디실라잔(Hexamethyldisilazane, HMDSN) 및 과불소 에테르 화합물(Perfluoro polyether, PFPE) 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 내지문성 박막 형성방법
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내부에 제1전극 및 제2전극이 구비된 플라즈마 증착용 챔버를 이용하여 기판의 표면에 내지문성 박막을 형성하는 방법에 있어서, 상기 제2전극 상에 내지문성 박막을 형성하기 위한 기판을 장착하는 단계와;상기 챔버 내부에 메틸기(CH3) 또는 불화탄소기(CF3)를 포함하는 전구체 물질을 반응가스와 함께 공급하는 단계와;상기 제1전극 또는 상기 제2전극에 전력을 인가하여 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 플라즈마를 발생시키고, 발생된 플라즈마를 가속시켜 상기 기판의 표면에 내지문성 박막을 증착, 형성하는 단계;를 포함하여 구성되되, 상기 챔버 내부에 공급되는 전구체 물질은, 적어도 2가지 이상의 서로 다른 전구체 물질이 혼합되어 구성되는 것을 특징으로 하는 내지문성 박막 형성방법
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제 2 항에 있어서, 상기 적어도 2가지 이상의 전구체 물질은 각각,사이클로메티콘(Cyclomethicone, D4), 헥사메틸디이사이레인(HMDS), 헥사메틸디실라잔(HMDSN), 옥타메틸사이클로테트라실록산(OMCTS), 과불소 에테르 화합물(PFPE), 2-플루오로-6-메톡시벤즈알데히드, 3-플루오로-4 메톡시벤즈알데히드, 4-플루오로-3 메톡시벤즈알데히드, 5-플루오로-2 메톡시벤즈알데히드, 2-플루오로-6 메톡시페놀, 4-플루오로-2 메톡시페놀 및 5-플루오로-3 메톡시살리실알데히드 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 내지문성 박막 형성방법
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내부에 제1전극 및 제2전극이 구비된 플라즈마 증착용 챔버를 이용하여 기판의 표면에 내지문성 박막을 형성하는 방법에 있어서, 상기 제2전극 상에 내지문성 박막을 형성하기 위한 기판을 장착하는 단계와;상기 챔버 내부에 메틸기(CH3) 또는 불화탄소기(CF3)를 포함하는 제1전구체 물질을 반응가스와 함께 공급하는 단계와;상기 제1전극 또는 상기 제2전극에 전력을 인가하여 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 플라즈마를 발생시키고, 발생된 플라즈마를 가속시켜 상기 기판의 표면에 제1내지문성 박막을 증착, 형성하는 단계와;상기 제1내지문성 박막이 형성된 후, 상기 제1전극 또는 제2전극에 인가된 전력을 일정 시간 동안 차단하여 상기 제1내지문성 박막을 안정화시키는 단계와;상기 제1내지문성 박막이 안정화되면, 상기 챔버 내부에 메틸기(CH3) 또는 불화탄소기(CF3)를 포함하는 제2전구체 물질을 반응가스와 함께 공급하는 단계와;상기 제1전극 또는 상기 제2전극에 전력을 다시 인가하여 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 플라즈마를 발생시키고, 발생된 플라즈마를 가속시켜 상기 제1내지문성 박막의 상부에 제2내지문성 박막을 증착, 형성하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 내지문성 박막 형성방법
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제 4 항에 있어서, 상기 제1전구체 물질 및 상기 제2전구체 물질은 각각,사이클로메티콘(Cyclomethicone, D4), 헥사메틸디이사이레인(HMDS), 헥사메틸디실라잔(HMDSN), 옥타메틸사이클로테트라실록산(OMCTS), 과불소 에테르 화합물(PFPE), 2-플루오로-6-메톡시벤즈알데히드, 3-플루오로-4 메톡시벤즈알데히드, 4-플루오로-3 메톡시벤즈알데히드, 5-플루오로-2 메톡시벤즈알데히드, 2-플루오로-6 메톡시페놀, 4-플루오로-2 메톡시페놀 및 5-플루오로-3 메톡시살리실알데히드 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 내지문성 박막 형성방법
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제 4 항에 있어서,상기 제1내지문성 박막을 안정화시키는 단계에서는,상기 제1전극 또는 제2전극에 인가된 전력을 3초 ~ 10초간 차단함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 내지문성 박막 형성방법
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제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2전극 상에 상기 기판을 장착하기 이전에, 상기 기판 상부에 실리콘 산화막을 증착하는 것을 특징으로 하는 내지문성 박막 형성방법
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8
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은,유리, 폴리메틸메타아크릴레이트(polymethyl methacrylate, PMMA), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate, PEN), 폴리에테르에테르케톤(Polyetheretherketone, PEEK), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리에테르 술폰(polyether sulfone, PES), 폴리아릴라이트(polyarylite) 및 사이클릭 올레핀 코폴리머(cyclic olefin copolymer, COC)로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 내지문성 박막 형성방법
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제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반응가스는,산소, 질소, 아르곤, 암모니아 및 헬륨 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 내지문성 박막 형성방법
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제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1전극 또는 제2전극에는 13
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