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염화실리케이트계 형광체의 질화반응을 통해 형성된 형광체 분말 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015143695
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은 염화물계 형광체를 Si3N4 또는 Si2ON2 과 반응시켜 상대적으로 저온에서 합성되는 질화물계 형광체 및 CRN (carbothermal reduction and nitridation) 법을 통해 합성되는 산질화물계 형광체 또는 질화물계 형광체 분말, 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL C09K 11/79 (2006.01) H01L 33/00 (2010.01) C09K 11/59 (2006.01)
CPC C09K 11/7734(2013.01) C09K 11/7734(2013.01) C09K 11/7734(2013.01) C09K 11/7734(2013.01) C09K 11/7734(2013.01)
출원번호/일자 1020120020631 (2012.02.28)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1406966-0000 (2014.06.05)
공개번호/일자 10-2013-0130169 (2013.12.02) 문서열기
공고번호/일자 (20140616) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020110017729   |   2011.02.28
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020140058920;1020140058921;
심사청구여부/일자 Y (2012.02.28)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤대호 대한민국 경기 수원시 권선구
2 조덕수 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 마사키 타카키 일본 경기 수원시 장안구
4 송영현 대한민국 경기 화성시
5 라원원 중국 경기 수원시 장안구
6 김봉성 대한민국 경기 수원시 장안구
7 강봉균 대한민국 경기 광명시 아방리
8 김명오 대한민국 충남 아산시
9 송석현 대한민국 경기 용인시 수지구
10 정은준 대한민국 서울 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0165446-25
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.10.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.11.02 수리 (Accepted) 9-1-2012-0081963-24
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.07.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0474739-48
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.09.09 수리 (Accepted) 1-1-2013-0821631-10
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-0914223-54
10 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2013-0923782-65
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-1022256-51
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2013-1122818-23
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.12.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1122819-79
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0261002-13
15 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2014.05.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0460950-92
16 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2014.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2014-0460969-58
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2014-0460949-45
18 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2014.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2014-0460968-13
19 등록결정서
Decision to Grant Registration
2014.06.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0386766-18
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
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번호 청구항
1 1
금속염화물 및 SiO2 전구체를 포함하는 수용액을 고분자 물질에 함침시켜 염화실리케이트계 형광체의 전구체를 수득하고;상기 염화실리케이트계 형광체의 전구체를 질소-함유 분위기 하에서 150℃ 내지 350℃의 온도에서 1 차 열처리한 후 질소-함유 분위기 하에서 500℃ 내지 900℃의 온도에서 2차 열처리를 하여 질화물계 형광체의 전구체를 수득하고;상기 2차 열처리된 질화실리케이트계 형광체의 전구체를 질소-함유 분위기 하에서 900℃ 내지 1800℃ 온도에서 3차 열처리하여 질화물계 형광체 분말을 수득하는 것을 포함하며,상기 금속염화물은 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 염화물, 전이금속의 염화물, 희토류계 금속의 염화물 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 염화물을 포함하는 것을 포함하는 것이고,상기 SiO2 전구체는 SiO2 졸, Si(OH)4, SiH4, Si(OC2H5)4 및 수용성 실란으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것이며,상기 고분자 물질이 펄프, 결정화 셀룰로오스, 비결정질 셀룰로오스, 레이온 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인,염화실리케이트계 형광체의 질화반응을 이용한 질화물계 형광체 분말의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 3차 열처리에 있어서 질소-함유 분위기는 질소-함유 기체가 0
3 3
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4 4
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5 5
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6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제 1 항에 있어서,상기 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 염화물은 LiCl, NaCl, KCl, BeCl2, MgCl2, CaCl2, SrCl2, BaCl2, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 염화물을 포함하는 것인, 염화실리케이트계 형광체의 질화반응을 이용한 질화물계 형광체 분말의 제조 방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 전이금속의 염화물은 ScCl3, TiCl4, VCl4, CrCl3, MnCl3, FeCl3, CoCl2, NiCl2, CuCl2, ZnCl2, YCl3, ZrCl4, NbCl5, MoCl5 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 염화물을 포함하는 것인, 염화실리케이트계 형광체의 질화반응을 이용한 질화물계 형광체 분말의 제조 방법
10 10
제 1 항에 있어서,상기 희토류계 금속의 염화물은 LaCl3, CeCl3, NdCl3, EuCl3, GdCl3, TbCl3, DyCl3, ErCl3, YbCl3, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 염화물을 포함하는 것인, 염화실리케이트계 형광체의 질화반응을 이용한 질화물계 형광체 분말의 제조 방법
11 11
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12 12
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13 13
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14 14
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15 15
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2 KR101397154 KR 대한민국 FAMILY
3 KR101397155 KR 대한민국 FAMILY
4 KR101397156 KR 대한민국 FAMILY
5 KR101397157 KR 대한민국 FAMILY
6 KR101419854 KR 대한민국 FAMILY
7 KR101419855 KR 대한민국 FAMILY
8 KR101494338 KR 대한민국 FAMILY
9 KR101503797 KR 대한민국 FAMILY
10 WO2012118310 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
11 WO2012118310 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 KR101419854 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
2 KR101419855 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
3 KR20140074264 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
4 KR20140082608 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조부 성균관대학교 산학협력단 대학IT연구센터 육성지원사업 차세대AMOLED 핵심원천기술개발 및 연구 인력 양성