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식각 용액 보호층을 이용한 선택적 에미터층을 형성하는 방법

  • 기술번호 : KST2015143704
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 태양전지의 선택적 에미터층을 형성하는 방법으로서, 구체적으로는 식각 용액 보호층을 이용하여 습식 식각을 통해 선택적 에미터 층을 형성하는 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/042 (2006.01)
CPC H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01)
출원번호/일자 1020120035204 (2012.04.05)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0113002 (2013.10.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.04.05)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이준신 대한민국 서울 서초구
2 박철민 대한민국 대구 북구
3 송규완 대한민국 서울 동대문구
4 김봉기 대한민국 경상남도 김해시 대동면
5 유경열 대한민국 경기 수원시 장안구
6 최재우 대한민국 경북 포항시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
4 한상민 대한민국 광주 북구 첨단과기로***번길**-**, A동***-***호(특허법인지원(광주분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0271654-24
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2012.05.02 무효 (Invalidation) 1-1-2012-0350494-02
4 보정요구서
Request for Amendment
2012.05.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0053628-83
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2012.05.08 무효 (Invalidation) 1-1-2012-0365904-71
6 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2012.05.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0057003-51
7 보정요구서
Request for Amendment
2012.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0067422-57
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2012.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2012-0439109-58
9 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2012.06.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0069589-19
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
12 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.04.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
13 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.05.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0034157-95
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0454246-83
15 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0788708-17
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0867018-19
17 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.09.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0867020-01
18 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0907283-65
19 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner
2014.03.20 수리 (Accepted) 7-8-2014-0007408-12
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 도전형의 기판을 준비하는 단계;제 1 도전형과 반대 도전형을 갖는 불순물을 이용하여 이온 주입 확산 공정을 통해 상기 기판의 상부에 제 2 도전형의 에미터 층을 형성하는 단계;상기 에미터 층 위에 식각 용액 보호층을 패턴 증착시키는 단계;습식 식각 용액을 이용하여 상기 에미터 층을 선택적으로 습식 식각하는 단계;상기 기판 표면 상의 상기 식각 용액 보호층을 제거하는 단계;상기 기판 표면 상에 반사 방지막층을 형성하는 단계; 및고농도 도핑된 에미터 층 및 기판 후면에 각각 전극을 형성하는 단계를 포함하는,식각 용액 보호층을 이용한 선택적 에미터층을 형성하는 방법
2 2
제 1 항에 있어서,습식 식각 용액을 이용하여 상기 에미터 층을 선택적으로 식각하는 단계에 의해, 고농도 도핑된 에미터 층과 저농도로 도핑된 에미터 층이 형성되어 기판 표면 상에 요철이 생기는,식각 용액 보호층을 이용한 선택적 에미터층을 형성하는 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 습식 식각 용액은, 산 용액 및 탈이온수(Deionized Water)를 혼합한 용액인,식각 용액 보호층을 이용한 선택적 에미터층을 형성하는 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 기판 표면 상의 상기 식각 용액 보호층은, 메탄올 및 탈이온수를 이용하여 제거되는,식각 용액 보호층을 이용한 선택적 에미터층을 형성하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 (주)이노베이션 실리콘 광역경제권선도산업육성 저가형 고수명 실리콘 기판을 이용한 고효율 태양전지 기술개발