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염화실리케이트계 형광체 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015143708
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은, 희토류 금속이 첨가된 염화실리케이트계 형광체 및 그 제조방법으로서, 염소 원자의 큰 이온반경을 이용하여 장파장에서 발광되는 효과를 가지는 희토류 금속이 첨가된 염화실리케이트계 형광체 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL C09K 11/79 (2006.01) C09K 11/59 (2006.01)
CPC C09K 11/7706(2013.01) C09K 11/7706(2013.01) C09K 11/7706(2013.01) C09K 11/7706(2013.01) C09K 11/7706(2013.01) C09K 11/7706(2013.01)
출원번호/일자 1020120020629 (2012.02.28)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1388189-0000 (2014.04.16)
공개번호/일자 10-2012-0098545 (2012.09.05) 문서열기
공고번호/일자 (20140424) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020110017679   |   2011.02.28
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020140033445;1020140033446;1020140033448;1020140033449;
심사청구여부/일자 Y (2012.02.28)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤대호 대한민국 경기 수원시 권선구
2 조덕수 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 마사키 타카키 일본 경기 수원시 장안구
4 송영현 대한민국 경기 화성시
5 라원원 중국 경기 수원시 장안구
6 김봉성 대한민국 경기 수원시 장안구
7 강봉균 대한민국 경기 광명시 아방리
8 김명오 대한민국 충남 아산시
9 송석현 대한민국 경기 용인시 수지구
10 정은준 대한민국 서울 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 에프씨씨 경기도 안성시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0165444-34
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.09.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.10.24 수리 (Accepted) 9-1-2012-0079490-37
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.07.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0474737-57
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.09.09 수리 (Accepted) 1-1-2013-0820327-77
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.10.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0916788-74
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-0916787-28
11 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2013-0923780-74
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0120874-81
13 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2014.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-0274057-71
14 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2014.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-0274054-34
15 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2014.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-0274061-54
16 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2014.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-0274052-43
17 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2014.03.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0274008-44
18 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-0274006-53
19 등록결정서
Decision to Grant Registration
2014.04.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0250318-88
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
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번호 청구항
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희토류 금속이 첨가된 염화실리케이트계 형광체를 합성하기 위한 금속 염화물을 포함하는 금속염 혼합용액을 SiO2 졸과 함께 액상으로 혼합하여 금속염- SiO2 졸 혼합 용액을 수득하고;상기 금속염- SiO2 졸 혼합 용액을 고분자물질에 함침 및 건조한 후 저온 하소, 선산화소성 및 후환원소성을 수행하여 염화실리케이트계 형광체를 수득하는 것을 포함하며, 상기 고분자 물질이 옥수수전분, 감자전분, 셀룰로오즈 분말, 셀룰로오즈 시트, 구형 셀룰로오즈, 수용성 셀룰로오즈, 펄프, 결정화 셀룰로오스, 비결정질 셀룰로오스, 레이온 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하고,상기 저온 하소는 150℃ 내지 400℃에서 수행되는 것인,염화실리케이트계 형광체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 수득되는 염화실리케이트계 형광체는 M-Si-O-Cl, M-Si-B-O-Cl, M-Si-Al-O-Cl 또는 M-Si-P-O-Cl 의 조성을 가지며, 상기 M은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 전이금속, 희토류계 금속 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 염화실리케이트계 형광체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 수득되는 염화실리케이트계 형광체는 둥근 입자 형태, 및 50 nm 내지 10 ㎛의 입자 크기를 가지는 것인, 염화실리케이트계 형광체의 제조 방법
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4 KR101397157 KR 대한민국 FAMILY
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6 KR101419854 KR 대한민국 FAMILY
7 KR101419855 KR 대한민국 FAMILY
8 KR101494338 KR 대한민국 FAMILY
9 KR101503797 KR 대한민국 FAMILY
10 WO2012118310 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
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3 KR101397156 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
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6 KR20140047635 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
7 KR20140049533 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
8 KR20140049534 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
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1 미래창조부 성균관대학교 산학협력단 대학IT연구센터 육성지원사업 차세대AMOLED 핵심원천기술개발 및 연구 인력 양성