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터치 패널 및 이의 제조 방법

기술번호 : KST2015143746
담당센터 : 경기기술혁신센터
전화번호 : 031-8006-1570

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본원은 터치 패널 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL	G06F 3/041 (2006.01)
CPC	G06F 3/041(2013.01) G06F 3/041(2013.01) G06F 3/041(2013.01) G06F 3/041(2013.01) G06F 3/041(2013.01) G06F 3/041(2013.01)
출원번호/일자	1020120054563 (2012.05.23)
출원인	성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2013-0130913 (2013.12.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	거절
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호	1020140065671;
심사청구여부/일자	Y (2012.05.23)
심사청구항수	12

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	성균관대학교산학협력단	대한민국	경기도 수원시 장안구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	안종현	대한민국	경기 수원시 장안구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인엠에이피에스	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로길 , 층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2012.05.23	수리 (Accepted)	1-1-2012-0411275-74
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.06.20	수리 (Accepted)	4-1-2012-5131828-19
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.06.27	수리 (Accepted)	4-1-2012-5137236-29
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2013.08.22	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0577744-15
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2013.10.22	수리 (Accepted)	1-1-2013-0952687-05
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2013.10.22	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-0952690-32
7	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2014.02.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0147718-43
8	[명세서등 보정]보정서(재심사) Amendment to Description, etc(Reexamination)	2014.03.27	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2014-0295953-02
9	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2014.03.27	수리 (Accepted)	1-1-2014-0295951-11
10	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2014.04.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0295280-29
11	[분할출원]특허출원서 [Divisional Application] Patent Application	2014.05.30	수리 (Accepted)	1-1-2014-0513552-55
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.02.23	수리 (Accepted)	4-1-2017-5028829-43

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기재;상기 기재에 형성된 그래핀 전극;상기 그래핀 전극에 형성된 보호막;상기 보호막에 형성된 절연막; 및상기 절연막에 형성된 전극물질을 포함하는, 터치 패널
2	2 제 1 항에 있어서,상기 보호막은 광경화성 또는 열경화성 고분자, 절연성 또는 전도성 고분자, 무기물 함유 고분자, 절연성 또는 전도성 무기물, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함하는 것인, 터치 패널
3	3 제 1 항에 있어서,상기 보호막은 1 nm 내지 1000 nm의 두께인 것인, 터치 패널
4	4 제 1 항에 있어서,상기 절연막은 SiO2, Al2O3, SiNx, ZrO, TiO2, 또는 고분자를 포함하는 것인, 터치 패널
5	5 제 1 항에 있어서,상기 전극물질은 금속, 그래핀 또는 PEDOT(polyethylenedioxythiopene) 전도성 고분자를 포함하는 것인, 터치 패널
6	6 제 1 항에 있어서,상기 터치 패널은 다이아몬드, 사각형, 선형, 원형, 또는 물결형 전극 패턴을 포함하는 것인, 터치 패널
7	7 기재에 그래핀 전극을 형성하는 단계;상기 그래핀 전극에 보호막을 형성하는 단계;상기 보호막이 형성된 상기 그래핀 전극을 에칭하여 패턴을 형성하는 단계;상기 패턴에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막을 에칭하여 비아홀을 형성하는 단계; 및상기 비아홀에 전극물질을 형성하는 단계를 포함하는, 터치 패널의 제조 방법
8	8 제 7 항에 있어서, 상기 보호막은 광경화성 또는 열경화성 고분자, 절연성 또는 전도성 고분자, 무기물 함유 고분자, 절연성 또는 전도성 무기물 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함하는 것인, 터치 패널의 제조 방법
9	9 제 7 항에 있어서,상기 보호막은 1 nm 내지 1000 nm의 두께인 것인, 터치 패널의 제조 방법
10	10 제 7 항에 있어서,상기 절연막은 SiO2, Al2O3, SiNx, ZrO, TiO2, 또는 고분자를 포함하는 것인, 터치 패널의 제조 방법
11	11 제 7 항에 있어서,상기 전극물질은 금속, 그래핀, 또는 PEDOT 전도성 고분자를 포함하는 것인, 터치 패널의 제조 방법
12	12 제 7 항에 있어서, 상기 패턴은 다이아몬드, 사각형, 선형, 원형, 또는 물결형 패턴인 것인, 터치 패널의 제조 방법
13	13 제 7 항에 있어서, 상기 비아홀을 형성하는 단계에서, 상기 보호막에 의해 상기 그래핀 전극이 에칭되지 않는 것인, 터치 패널의 제조 방법
14	14 제 7 항에 있어서, 상기 패턴은 산소, CF4, CHF3, NF3, CCl4, CCl2F2, C3F8, 또는 C2F6 플라즈마 에칭법에 의해 형성되는 것인, 터치 패널의 제조 방법
15	15 제 7 항에 있어서, 상기 비아홀은 건식 식각법 또는 포토리소그래피에 의해 형성되는 것인, 터치 패널의 제조 방법

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	KR1020140078593	KR	대한민국	FAMILY
2	US20130313006	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US2013313006	US	미국	DOCDBFAMILY

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	교육과학기술부	성균관대학교산학협력단	신진연구 3/3차년도	산화물 반도체를 이용한 신축가능형 투명 소자 개발

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2012.05.23	수리 (Accepted)	1-1-2012-0411275-74
2	출원인정보변경(경정)신고서	2012.06.20	수리 (Accepted)	4-1-2012-5131828-19
3	출원인정보변경(경정)신고서	2012.06.27	수리 (Accepted)	4-1-2012-5137236-29
4	의견제출통지서	2013.08.22	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0577744-15
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2013.10.22	수리 (Accepted)	1-1-2013-0952687-05
6	[명세서등 보정]보정서	2013.10.22	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-0952690-32
7	거절결정서	2014.02.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0147718-43
8	[명세서등 보정]보정서(재심사)	2014.03.27	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2014-0295953-02
9	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2014.03.27	수리 (Accepted)	1-1-2014-0295951-11
10	거절결정서	2014.04.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0295280-29
11	[분할출원]특허출원서	2014.05.30	수리 (Accepted)	1-1-2014-0513552-55
12	출원인정보변경(경정)신고서	2017.02.23	수리 (Accepted)	4-1-2017-5028829-43


과제고유번호	1345147807
세부과제번호	2009-0064888
연구과제명	산화물 반도체를 이용한 신축가능형 투명 소자 개발
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	성균관대학교 산학협력단
성과제출연도	2011
연구기간	200905~201204
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)

특허성과

[1020120054563]	터치 패널 및 이의 제조 방법	새창보기
[1020120053411]	그래핀 버퍼층을 사용한 산화물 트랜지스터의 전극 특성 향상	새창보기

중요키워드

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