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(1) 기판을 준비하는 단계;(2) 플라즈마를 이용하여 상기 기판 상에 전구체 물질을 집적시켜 플라즈마 중합체층을 형성하는 단계; (3) 상기 플라즈마 중합체층 상에 일정한 형태의 패턴을 가지는 새도우 마스크를 올려놓는 단계; (4) 상기 새도우 마스크가 올려진 기판 상에 노출된 중합체를 플라즈마를 이용하여 세포가 흡착되도록 개질하는 단계; 및(5) 상기 새도우 마스크를 기판으로부터 제거하는 단계를 포함하는 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 유리, 플라스틱, 금속 및 실리콘으로 이루어진 군에서 선택되는 것인, 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 전구체 물질은 헥사메틸디실록산(hexamethyldisiloxane), 옥타메틸트리실록산(octamethyltrisiloxane), 데카메틸테트라실록산(decamethyl tetrasiloxane), 헥사메틸사이클로트리실록산(hexamethylcyclotrisiloxane), 옥타메틸사이클로테트라실록산(octamethylcyclotetrasiloxane) 및 데카메틸사이클로펜타실록산(decamethylcyclopentasiloxane)의 실록산계 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상인 것인, 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (2) 단계에서 플라즈마 중합체층은 플라즈마 화학기상 증착법(PE-CVD; Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)을 이용하여 형성되는 것인, 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 플라즈마 화학기상 증착은 5 내지 20 W의 전력으로 수행하는 것인, 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (3) 단계에서 일정한 형태의 패턴을 가지는 새도우 마스크는 패턴 사이의 간격이 100 내지 500 ㎛인 것인, 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (4) 단계는 유도결합 플라즈마 화학기상 증착법(ICP-CVD; Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition)을 이용하여 수행하는 것인, 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (4) 단계는 수소 및 헬륨의 혼합가스를 사용하여 수행하는, 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 수소와 헬륨의 혼합 비율은 부피 기준으로 1:9인 것인, 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 유도결합 플라즈마 화학기상 증착은 50 내지 150 W의 전력에서 수행하는 것인, 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 유도결합 플라즈마 화학기상 증착은 30초 내지 2분 동안 수행하는 것인, 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법
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제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 제조방법으로 제조한 패턴화된 세포 배양용 기판
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제1항에 따른 방법으로 패턴화된 세포 배양용 기판을 제조하는 단계; 및상기 패턴화된 세포 배양용 기판 상에 세포를 배양하는 단계를 포함하는, 세포의 패턴화된 배양방법
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제13항에 있어서, 상기 세포는 미생물, 동식물 세포 및 기관, 신경세포, 및 혈관세포로 이루어진 군에서 선택되는 것인, 세포의 패턴화된 배양방법
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제1항에 따른 방법으로 제조된 패턴화된 세포 배양용 기판 상에 세포가 배양되어 있는 것을 특징으로 하는, 패턴화된 세포칩
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제15항에 있어서, 상기 세포는 미생물, 동식물 세포 및 기관, 신경세포, 및 혈관세포로 이루어진 군에서 선택되는 것인, 패턴화된 세포칩
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제15항에 따른 패턴화된 세포칩을 이용하여 혈관신생 유도 또는 촉진하는 활성을 가지는 물질을 스크리닝하는 방법
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