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페로브스카이트 기반 메조다공 박막 태양전지 제조 기술

  • 기술번호 : KST2015143895
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 페로브스카이트 구조를 가지는 유무기 복합 염료를 포함하는 염료감응 태양전지, 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) C09B 57/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020130032089 (2013.03.26)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1430139-0000 (2014.08.07)
공개번호/일자 10-2014-0003998 (2014.01.10) 문서열기
공고번호/일자 (20140814) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020120070993   |   2012.06.29
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.03.26)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박남규 대한민국 서울 양천구
2 김희선 대한민국 경기 수원시 장안구
3 이창률 대한민국 서울 강남구
4 임정혁 대한민국 인천 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0260236-30
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-1131061-89
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0222583-69
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0510781-89
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.05.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0510782-24
6 등록결정서
Decision to grant		 2014.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0523492-39
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전도성 투명 기재를 포함하는 제 1 전극;상기 제 1 전극 상에 형성된 광흡수층;상기 광흡수층 상에 형성된 정공전달층; 및상기 정공전달층 상에 형성된 제 2 전극을 포함하며,상기 광흡수층은 반도체층 및 하기 화학식 1로써 표시되는 페로브스카이트 구조를 가지는 염료를 포함하는,페로브스카이트 태양전지:[화학식 1]RMX3상기 화학식 1에서, R은 C1-20의 알킬기, 아민기 치환된 알킬기, 또는 알칼리 금속이고,M은 Pb, Sn, Ti, Nb, Zr, Ce로 이루어진 군으로부터 선택되는 것이고,X는 할로겐이고;단, 상기 페로브스카이트 태양전지는 액체 전해질은 포함하지 않는 것임
2 2
제 1 항에 있어서,상기 전도성 투명 기재는 인듐 틴 옥사이드(ITO), 플루오린 틴 옥사이드(FTO), ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, 주석계 산화물, 산화아연, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 물질을 함유하는 유리 기재 또는 플라스틱 기재를 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
3 3
제 2 항에 있어서,상기 플라스틱 기재는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리프로필렌, 폴리이미드, 트리아세틸셀룰로오스, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 고분자를 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
4 4
제 1 항에 있어서,상기 반도체층은 금속 산화물을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
5 5
제 1 항에 있어서,상기 반도체층은, 티탄, 주석, 아연, 텅스텐, 지르코늄, 갈륨, 인듐, 이트륨, 니오브, 탄탈, 바나듐, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 금속의 산화물을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
6 6
제 1 항에 있어서,상기 반도체층은, TiO2, SnO2, ZnO, WO3, Nb2O5, TiSrO3, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 금속 산화물을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
7 7
제 1 항에 있어서,상기 반도체층은 3
8 8
삭제
9 9
제 1 항에 있어서,상기 염료는 30 중량% 내지 50 중량%의 농도를 가지는 것인, 페로브스카이트 태양전지
10 10
제 1 항에 있어서,상기 정공전달층은 단분자 또는 고분자 정공전달 물질을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
11 11
제 1 항에 있어서,상기 제 2 전극은 Pt, Au, Ni, Cu, Ag, In, Ru, Pd, Rh, Ir, Os, C, 전도성 고분자, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
12 12
전도성 투명 기재를 포함하는 제 1 전극 상에 반도체층을 형성하는 것;상기 반도체층에 하기 화학식 1로써 표시되는 페로브스카이트 구조를 가지는 염료를 흡착시킨 후 열처리함으로써 광흡수층을 형성하는 것;상기 광흡수층 상에 정공전달층을 형성하는 것; 및상기 정공전달층 상에 제 2 전극을 형성하는 것을 포함하며,단, 액체 전해질은 포함하지 않는 것인,제 1 항에 따른 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법:[화학식 1]RMX3상기 화학식 1에서, R은 C1-20의 알킬기, 아민기 치환된 알킬기, 또는 알칼리 금속이고,M은 Pb, Sn, Ti, Nb, Zr, Ce로 이루어진 군으로부터 선택되는 것이고, X는 할로겐임
13 13
제 12 항에 있어서,상기 반도체층은, TiO2, SnO2, ZnO, WO3, Nb2O5, TiSrO3, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 금속 산화물을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
14 14
제 12 항에 있어서,상기 반도체층은 닥터 브레이드, 스크린 프린트, 스핀 코팅, 또는 스프레이 방법으로 상기 제 1 전극 상에 형성되는 것을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
15 15
제 12 항에 있어서,상기 반도체층은 3
16 16
제 12 항에 있어서,상기 반도체층은 다공성 구조인 것을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
17 17
제 12 항에 있어서,상기 반도체층 상에 고분자를 도포하고 열처리하는 것을 추가 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
18 18
제 17 항에 있어서,상기 고분자는, 에틸렌셀룰로오스, 하이드록시프로필셀룰로오스, 폴리에틸렌글리콜, 폴리에틸렌옥사이드, 폴리비닐알코올, 폴리비닐피롤리돈, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
19 19
삭제
20 20
제 12 항에 있어서,상기 염료는 30 중량% 내지 50 중량%의 농도를 가지는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
21 21
제 12 항에 있어서,상기 광흡수층을 형성하는 것은, 상기 반도체층에 상기 화학식 1로써 표시되는 페로브스카이트 구조를 가지는 염료의 전구체 용액을 코팅한 후 40℃ 내지 300℃에서 열처리하는 것을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
22 22
제 12 항에 있어서,상기 정공전달층은 단분자 또는 고분자 정공전달 물질을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
23 23
제 12 항에 있어서,상기 제 2 전극은 Pt, Au, Ni, Cu, Ag, In, Ru, Pd, Rh, Ir, Os, C, 전도성 고분자, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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1 US10720282 US 미국 FAMILY
2 US20150122325 US 미국 FAMILY
3 US20200303129 US 미국 FAMILY
4 WO2014003294 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 US10720282 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2015122325 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 성균관대학교 산학협력단 도약연구지원사업 1단계 2/3차년도 (2/5년) 유무기 염료 선택배열 판크로마틱 태양전지개발
2 지식경제부 성균관대학교 산학협력단 신재생에너지 기술개발사업 무전해질 초광파장흡수 박막태양전지 개발
3 미래창조과학부 성균관대학교 산학협력단 글로벌 프론티어 연구개발사업 전하수집 제어 및 극대화 기술