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누설전류를 방지하는 실리콘 광증배관 소자

  • 기술번호 : KST2015143973
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서 제안하는 실리콘 광증배관 소자(Silicon Photomultiplier)는 기판; 상기 기판 상에 형성되고 기설정된 개수의 마이크로 픽셀을 포함하는 엑티브(Active) 영역; 및 상기 기판과 다른 타입의 이온으로 도핑되어 상기 엑티브 영역을 둘러싸도록 형성되되, 상기 엑티브 영역과 각각 기설정된 거리를 두고 형성된 적어도 2 개 이상의 가드링을 포함한다.
Int. CL H01L 31/10 (2006.01)
CPC H01L 31/10(2013.01)
출원번호/일자 1020130148806 (2013.12.02)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1638545-0000 (2016.07.05)
공개번호/일자 10-2015-0063881 (2015.06.10) 문서열기
공고번호/일자 (20160711) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.11.25)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박일흥 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 이직 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 이혜영 대한민국 충북 청원군
4 전진아 대한민국 서울 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2013-1103378-45
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-1140524-62
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.09.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.10.08 수리 (Accepted) 9-1-2015-0062814-54
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0067640-06
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.03.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0292592-77
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0292570-73
8 등록결정서
Decision to grant		 2016.04.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0269676-10
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
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번호 청구항
1 1
실리콘 광증배관 소자(Silicon Photomultiplier)에 있어서,기판;상기 기판 상에 형성되고 기설정된 개수의 마이크로 픽셀을 포함하는 엑티브(Active) 영역; 및상기 기판과 다른 타입의 이온으로 도핑되어 상기 엑티브 영역을 둘러싸도록 형성되되, 상기 엑티브 영역과 각각 기설정된 거리를 두고 형성된 적어도 2 개 이상의 가드링을 포함하는 제 1 가드링 그룹; 및상기 엑티브 영역으로부터 상기 제 1 가드링 그룹 내 최외각에 형성된 가드링보다 먼 거리에 형성되되, 다이싱 쏘우(Dicing Saw) 공정을 위한 라인을 따라 형성된 가드링을 포함하는 제 2 가드링 그룹을 포함하는 실리콘 광증배관 소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 엑티브 영역으로부터 가까운 순서대로 제 1 가드링, 제 2 가드링, 및 제 3 가드링인 경우, 상기 엑티브 영역과 상기 제 1 가드링의 제 1 간격은 상기 제 1 가드링과 상기 제 2 가드링의 제 2 간격보다 넓고, 상기 제 2 간격은 상기 제 2 가드링과 상기 제 3 가드링의 제 3 간격보다 넓은, 실리콘 광증배관 소자
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 가드링 중 상기 엑티브 영역과 가장 가까이에 형성된 가드링의 너비가 가장 넓은, 실리콘 광증배관 소자
4 4
제 1 항에 있어서,상기 가드링의 형상은 상기 엑티브 영역의 형상에 따라 달라지는, 실리콘 광증배관 소자
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 가드링 그룹 내 가드링의 너비가 상기 제 1 가드링 그룹 내 최내각에 형성된 가드링을 제외한 나머지 가드링의 너비보다 넓은, 실리콘 광증배관 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 방위사업청 성균관대학교 산학협력단 국방 특화 연구실 사업 차세대 광센서 특화 연구실