맞춤기술찾기

이전대상기술

실리콘 광증배관 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015143974
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 광증배 소자의 제조 방법은 단위 마이크로 픽셀 영역을 구분하는 복수의 트렌치 및 트렌치에 대한 갭필이 형성된 기판을 제공하는 단계; 상기 각 마이크로 픽셀 영역에 PN 접합층을 형성하는 단계; 상기 기판의 상부면에 광 입사부 박막을 적층하는 단계; 상기 광 입사부 박막에 상기 마이크로 픽셀 영역의 PN 접합층과 접촉하기 위한 컨택홀을 형성하는 단계; 상기 광 입사부 박막에 산화막을 적층하여 상기 컨택홀을 상기 산화막으로 충진시키는 단계; 및 상기 산화막을 제거하여, 상기 컨택홀의 측벽에 라운드형 스페이서를 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 31/10 (2006.01)
CPC H01L 31/10(2013.01)
출원번호/일자 1020130148807 (2013.12.02)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0063882 (2015.06.10) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.11.25)
심사청구항수 4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박일흥 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 이직 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 이혜영 대한민국 충북 청원군
4 전진아 대한민국 서울 송파구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2013-1103380-37
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-1140808-23
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.11.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1140764-13
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.09.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.10.08 수리 (Accepted) 9-1-2015-0062683-69
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0067641-41
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0295291-54
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.03.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0295355-88
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.04.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0270904-61
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 광증배관 소자의 제조 방법에 있어서,기판 상에 단위 마이크로 픽셀 영역을 구분하는 복수의 트랜치를 형성하는 단계;상기 트랜치가 형성된 기판에 산화물(oxide)을 증착하여 상기 트랜치를 갭필(gap fill)하는 단계;상기 갭필된 트랜치의 영역을 제외한 영역에 대해 상기 산화물을 제거하는 단계;상기 트랜치의 영역을 제외한 영역에서 상기 산화물이 제거된 기판의 전면에 보호막을 증착하는 단계; 및상기 보호막을 식각하여 상기 트랜치의 상부에 형성된 산화물의 모서리 부분에 스페이서를 형성하는 단계를 포함하는 실리콘 광증배관 소자의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 스페이서를 형성하는 단계는,상기 보호막을 식각하여 상기 트랜치의 상부에 형성된 산화물의 모서리 부분에 상기 보호막의 일부가 잔여 하도록 하는 것인 실리콘 광증배관 소자의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 보호막은 질화 규소(silicon nitride)인 실리콘 광증배관 소자의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 산화물을 제거하는 단계는,포토레지스터 마스크를 통해 상기 갭필된 트랜치의 영역을 제외한 영역에서 상기 산화물을 제거하는 실리콘 광증배관 소자의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 스페이서를 형성하는 단계 이후에,상기 각 마이크로 픽셀 영역에 PN 접합층을 형성하는 단계;상기 기판의 상부면에 광 입사부 박막을 적층하는 단계;상기 광 입사부 박막에 상기 마이크로 픽셀 영역의 PN 접합층과 접촉하기 위한 컨택을 형성하는 단계를 더 포함하는 실리콘 광증배관 소자의 제조 방법
6 6
실리콘 광증배관 소자에 있어서,단위 마이크로 픽셀 영역을 구분하는 복수의 트랜치가 형성되고, 상기 트랜치 별로 산화물이 갭필(gap fill)된 기판,상기 트랜치의 상부에 형성된 상기 산화물의 모서리 부분에 형성된 스페이서;상기 마이크로 픽셀 영역 별로 상부에 형성된 PN 접합층;상기 PN 접합층의 상부면에 형성된 광입사부 박막; 및상기 광 입사부 박막 상에 상기 PN 접합층과 접촉하도록 형성된 컨택을 포함하는 실리콘 광증배관 소자
7 7
제 6 항에 있어서,상기 스페이서는 질화 규소(silicon nitride)인 실리콘 광증배관 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 방위사업청 성균관대학교 산학협력단 국방 특화 연구실 사업 차세대 광센서 특화 연구실