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고분자 지지층을 포함하는 염료감응 태양전지, 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015143978
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 페로브스카이트 구조를 가지는 유무기 복합염료를 포함하며 고분자 지지층을 포함하는 염료감응 태양전지, 및 이의 제조 방법을 제공한다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/04(2013.01) H01L 31/04(2013.01)
출원번호/일자 1020130128130 (2013.10.25)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1627161-0000 (2016.05.30)
공개번호/일자 10-2015-0048317 (2015.05.07) 문서열기
공고번호/일자 (20160607) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.12.11)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박남규 대한민국 서울 양천구
2 정현석 대한민국 서울특별시 송파구
3 임정혁 대한민국 인천 남구
4 장인혁 대한민국 경기 수원시 장안구
5 김병조 대한민국 서울 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0970409-41
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.12.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1204894-18
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2014-1204895-64
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.08.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.10.08 수리 (Accepted) 9-1-2015-0062811-17
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.10.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0702651-36
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2015-1223813-66
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.01.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0035694-19
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2016-0035688-45
10 등록결정서
Decision to grant		 2016.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0372640-72
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전도성 투명 기재를 포함하는 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상에 형성된 광흡수층;상기 광흡수층 상에 형성된 정공전달층; 및,상기 정공전달층 상에 형성된 제 2 전극을 포함하는 페로브스카이트 태양전지로서, 상기 광흡수층은 고분자 지지층 및 하기 화학식 1로서 표시되는 페로브스카이트의 층을 포함하는 것인,페로브스카이트 태양전지:[화학식 1]RMX3상기 화학식 1 중,R은 C1-20의 알킬기, 아민기에 의해 치환된 C1-20의 알킬기, 또는 알칼리 금속이고,M은 Pb, Sn, Ti, Nb, Zr, Ce, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하며,X는 할로겐임
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 전도성 투명 기재는 인듐 틴 옥사이드(ITO), 플루오린 틴 옥사이드(FTO), ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, 주석계 산화물, 산화아연, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 물질을 함유하는 것을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
3 3
제 1 항에 있어서,상기 고분자 지지층은 폴리비닐아세테이트를 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
4 4
제 1 항에 있어서,상기 고분자 지지층은 2 ㎛ 이하의 두께를 가지는 것인, 페로브스카이트 태양전지
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서,상기 페로브스카이트의 층은 30 중량% 내지 50 중량%의 농도를 가지는 것인, 페로브스카이트 태양전지
7 7
제 1 항에 있어서,상기 정공전달층은 정공전달 단분자 물질 또는 정공전달 고분자 물질을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
8 8
제 1 항에 있어서,상기 제 2 전극은 Pt, Au, Ni, Cu, Ag, In, Ru, Pd, Rh, Ir, Os, C, 전도성 고분자, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
9 9
전도성 투명 기재를 포함하는 제 1 전극 상에 고분자 지지층을 형성하는 것;상기 고분자 지지층에 하기 화학식 1로서 표시되는 페로브스카이트의 층을 형성한 후 열처리함으로써 광흡수층을 형성하는 것;상기 광흡수층 상에 정공전달층을 형성하는 것; 및,상기 정공전달층 상에 제 2 전극을 형성하는 것을 포함하는,페로브스카이트 태양전지의 제조 방법:[화학식 1]RMX3상기 화학식 1 중, R은 C1-20의 알킬기, 아민기에 의해 치환된 C1-20의 알킬기, 또는 알칼리 금속이고,M은 Pb, Sn, Ti, Nb, Zr, Ce, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하며, X는 할로겐임
10 10
제 9 항에 있어서,상기 고분자 지지층은 폴리비닐아세테이트를 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
11 11
제 9 항에 있어서,상기 고분자 지지층은 전기방사, 닥터 브레이드, 스크린 프린트, 스핀 코팅, 또는 스프레이 방법으로 상기 제 1 전극 상에 형성되는 것을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
12 12
제 9 항에 있어서,상기 고분자 지지층은 2 ㎛ 이하의 두께를 가지는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
13 13
제 9 항에 있어서,상기 고분자 지지층은 다공성 구조인 것을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
14 14
제 9 항에 있어서,상기 고분자 지지층 상에 Pb(NO3)2 용액을 도포하고 열처리하는 것을 추가 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
15 15
삭제
16 16
제 9 항에 있어서,상기 페로브스카이트의 층은 30 중량% 내지 50 중량%의 농도를 가지는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
17 17
제 9 항에 있어서,상기 광흡수층을 형성하는 것은, 상기 고분자 지지층에 상기 화학식 1로서 표시되는 페로브스카이트의 전구체 용액을 코팅한 후 열처리하는 것을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
18 18
제 9 항에 있어서,상기 정공전달층은 정공전달 단분자 물질 또는 정공전달 고분자 물질을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
19 19
제 9 항에 있어서,상기 제 2 전극은 Pt, Au, Ni, Cu, Ag, In, Ru, Pd, Rh, Ir, Os, C, 전도성 고분자, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 성균관대학교 산학협력단 나노·소재기술개발사업(나노·소재원천)1단계 1/3 나노스케일 광흡수체 기반 장기안정적 15% 박막태양전지 기술개발
2 미래창조과학부 성균관대학교 산학협력단 중견연구자지원사업(도약연구:도전) 2단계 1/2(4/5) 유무기 염료 선택배열 판크로마틱 태양전지 개발