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기판 상에 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체층에 이온을 주입하는 단계;상기 반도체층 상에 2차원 반도체 또는 유기물 반도체로 이루어진 도프층을 형성하는 단계; 및상기 기판을 열처리하여 상기 반도체층의 상기 이온을 상기 도프층으로 확산시켜서 상기 도프층을 도핑하는 단계를 구비하는 2차원 반도체의 도핑방법
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제 1 항에 있어서, 상기 반도체층은 게르마늄으로 이루어진 도핑방법
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제 2 항에 있어서, 상기 반도체 형성 단계는 상기 게르마늄을 1㎛~3㎛ 두께로 형성하는 단계인 도핑방법
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제 1 항에 있어서,상기 2차원 반도체는 그래핀, MoS2, WS2, MoSe2, WSe2 중 선택된 적어도 하나로 이루어진 도핑방법
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제 4 항에 있어서,상기 도프층은 상기 2차원 반도체 1층 내지 30nm 두께로 이루어진 도핑방법
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제 1 항에 있어서,상기 유기물 반도체는 pentacene, anthracene, rubrene, polyacetylene, poly(2-hexylthiophene), poly(p-phenylene vinylene) 중 적어도 하나로 이루어진 도핑방법
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7
제 6 항에 있어서,상기 도프층은 상기 유기물 반도체로 5nm 내지 30nm 두께로 이루어진 도핑방법
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제 1 항에 있어서,상기 열처리 단계는 질소 분위기의 퍼니스에서 대략 300~600℃ 로 열처리하는 단계인 도핑방법
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기판 상에 절연층을 형성하는 단계;상기 기판을 일차적으로 열처리하여 상기 절연층 내의 불순물을 상기 절연층 표면으로 이동시키는 단계;상기 절연층 상에 2차원 반도체 또는 유기물 반도체로 이루어진 도프층을 형성하는 단계; 및상기 기판을 2차적으로 열처리하여 상기 불순물을 상기 도프층으로 확산시켜서 상기 도프층을 도핑하는 단계를 구비하는 2차원 반도체의 도핑방법
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10
제 9 항에 있어서, 상기 절연층은 PSG (phosphorus silica glass), BSG (boron silica glass), BPSG (boron phosphorus silica glass), ASG (arsenic silica glass)를 포함하는 도핑방법
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제 10 항에 있어서, 상기 절연층은 30nm ~ 300nm 두께로 형성되는 도핑방법
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제 9 항에 있어서,상기 2차원 반도체는 그래핀, MoS2, WS2, MoSe2, WSe2 중 선택된 적어도 하나로 이루어진 도핑방법
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제 12 항에 있어서,상기 도프층은 상기 2차원 반도체 1층 내지 30nm 두께로 이루어진 도핑방법
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14
제 9 항에 있어서,상기 유기물 반도체는 pentacene, anthracene, rubrene, polyacetylene, poly(2-hexylthiophene), poly(p-phenylene vinylene) 중 적어도 하나로 이루어진 도핑방법
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제 14 항에 있어서,상기 도프층은 상기 유기물 반도체로 5nm 내지 30nm 두께로 이루어진 도핑방법
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16
제 9 항에 있어서,상기 일차적 열처리 단계는 질소 분위기의 퍼니스에서 대략 700~900℃ 로 상기 기판을 열처리하는 단계인 도핑방법
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제 9 항에 있어서,상기 이차적 열처리 단계는 질소 분위기의 퍼니스에서 대략 300~600℃ 로 상기 기판을 열처리하는 단계인 도핑방법
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기판 상의 불순물로 도핑된 도프층;상기 기판 상에서 상기 기판의 양단에 각각 전기적으로 연결된 소스 전극 및 드레인 전극;상기 도프층 상에서 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이의 게이트 절연층; 및상기 게이트 절연층 상의 게이트 전극;을 구비하며, 상기 도프층은 2차원 반도체 또는 유기물 반도체로 이루어진 스위칭 소자
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제 18 항에 있어서, 상기 도프층은 n형 또는 p형으로 도핑된 스위칭 소자
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제 18 항에 있어서,상기 2차원 반도체는 그래핀, MoS2, WS2, MoSe2, WSe2 중 선택된 적어도 하나로 이루어진 스위칭 소자
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제 20 항에 있어서,상기 도프층은 상기 2차원 반도체 1층 내지 30nm 두께로 이루어진 스위칭 소자
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제 18 항에 있어서,상기 유기물 반도체는 pentacene, anthracene, rubrene, polyacetylene, poly(2-hexylthiophene), poly(p-phenylene vinylene) 중 적어도 하나로 이루어진 스위칭 소자
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제 22 항에 있어서,상기 도프층은 상기 유기물 반도체로 5nm 내지 30nm 두께로 이루어진 스위칭 소자
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제 18 항에 있어서, 상기 게이트 절연층은 폴리머로 이루어진 그래핀 스위칭 소자
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제 18 항에 있어서, 상기 스위칭 소자는 상기 도프층의 극성과 동일한 극성의 트랜지스터인 스위칭 소자
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제 18 항에 있어서, 상기 기판은 플라스틱으로 이루어진 스위칭 소자
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제 18 항에 있어서, 상기 스위칭 소자는 플렉서블한 스위칭 소자
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