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기재 상에 금속-도판트 합금 또는 금속-도판트 혼합물을 증착시켜 도판트 원자가 포함된 금속 박막을 형성하는 단계;상기 도판트 원자가 포함된 금속 박막 상에 칼코겐 원자-함유 물질을 공급하는 단계; 및,상기 도판트 원자가 포함된 금속 박막 및 상기 칼코겐 원자-함유 물질을 반응시켜 도핑된 금속 칼코게나이드 박막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 칼코겐 원자-함유 물질의 공급은 화학 기상 증착법 또는 플라즈마 증착법에 의해 주입되는 것을 포함하는 것인,도핑된 금속 칼코게나이드 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 금속은 Mo, W, Bi, Mg, Al, Si, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Sr, Y, Zr, Nb, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In Sn, Sb, Ba, La, Hf, Ta, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Pb, Po, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 도핑된 금속 칼코게나이드 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 도판트는, n-형 또는 p-형 도판트 물질을 포함하는 것인, 도핑된 금속 칼코게나이드 박막의 제조 방법
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제 3 항에 있어서, 상기 n-형 또는 p-형 도판트 물질은 Nb, Re, Ge, Si, B, P, Ga, In, Sb, Cr, Ti, Ni, Au, Na, Li, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 도핑된 금속 칼코게나이드 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 도판트 원자가 포함된 금속 박막의 형성은 스퍼터링 방법, 진공 증착, 이온 플레이팅, 전자빔 증착 방법, 열증착 방법, 이온클러스터빔, 펄스 레이저 증착 방법, 원자층 증착, 원자빔 에피탁시 방법, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 방법에 의해 형성되는 것인, 도핑된 금속 칼코게나이드 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 칼코겐 원자-함유 물질은 S, Se, Te을 포함하는 기체, 고체, 또는 액체 물질; 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 도핑된 금속 칼코게나이드 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 도판트 원자가 포함된 금속 박막을 형성하고; 및, 상기 도판트 원자가 포함된 금속 박막 상에 칼코겐 원자-함유 물질을 공급하여 도핑된 금속 칼코게나이드 박막을 형성하는 것을 1회 이상 수행하는 것을 추가 포함하는 것인, 도핑된 금속 칼코게나이드 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기재는 Si, SiO2, Ge, GaN, AlN, GaP, InP, GaAs, SiC, Al2O3, LiAlO3, MgO, 유리, 석영, 사파이어, 그래파이트, 그래핀, 플라스틱, 고분자, 질화붕소(h-BN), 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 도핑된 금속 칼코게나이드 박막의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조되는, 도핑된 금속 칼코게나이드 박막
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제 9 항에 따른 도핑된 금속 칼코게나이드 박막을 포함하는, 소자
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기재 상에 금속-도판트 합금 또는 금속-도판트 혼합물을 증착시켜 도판트 원자가 포함된 금속 박막을 형성하는 단계;상기 도판트 원자가 포함된 금속 박막 상에 칼코겐 원자-함유 물질을 공급하는 단계;상기 도판트 원자가 포함된 금속 박막 및 상기 칼코겐 원자-함유 물질을 반응시켜 도핑된 금속 칼코게나이드 박막을 형성하는 단계;상기 도핑된 금속 칼코게나이드 박막 상에 폴리머 지지층을 형성하는 단계;상기 기재를 제거함으로써 상기 폴리머 지지층이 형성된 도핑된 금속 칼코게나이드 박막을 분리하는 단계;상기 분리된 폴리머 지지층이 형성된 도핑된 금속 칼코게나이드 박막을 목적 기재 상에 전사하는 단계; 및,상기 폴리머 지지층을 제거하는 단계를 포함하고, 상기 칼코겐 원자-함유 물질의 공급은 화학 기상 증착법 또는 플라즈마 증착법에 의해 주입되는 것을 포함하는 것인,도핑된 금속 칼코게나이드 박막의 전사 방법
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제 11 항에 있어서,상기 폴리머 지지층의 제거는 에천트(etchant)를 이용하는 것을 포함하는 것인, 도핑된 금속 칼코게나이드 박막의 전사 방법
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제 11 항에 있어서,상기 폴리머 지지층은 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리디메틸실록산, 폴리비닐알콜, 폴리비닐클로라이드, 폴리카보네이트, 폴리테트라플루오로에틸렌, 벤질메타-아크릴레이트, 열박리 테이프, UV 박리 테이프, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 도핑된 금속 칼코게나이드 박막의 전사 방법
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제 11 항에 있어서,상기 기재는 Si, SiO2, Ge, GaN, AlN, GaP, InP, GaAs, SiC, Al2O3, LiAlO3, MgO, 유리, 석영, 사파이어, 그래파이트, 그래핀, 고분자, 질화붕소(h-BN), 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는, 도핑된 금속 칼코게나이드 박막의 전사 방법
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제 11 항에 있어서,상기 목적 기재는 유리, 석영, 사파이어, SiC, MgO, 플라스틱, 세라믹, 고무, 질화붕소(h-BN), 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 도핑된 금속 칼코게나이드 박막의 전사 방법
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제 9 항에 따른 도핑된 금속 칼코게나이드 박막을 단수 또는 복수의 층으로서 포함하는, 도핑된 금속 칼코게나이드 박막 적층체
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