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이중 광자결정 구조를 포함하는 발광 다이오드

  • 기술번호 : KST2015144034
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 발광 다이오드가 개시된다. 발광 다이오드는 기판; 상기 기판 상에 형성된 제1 반도체층; 상기 제1 반도체층 상에 형성된 활성층; 상기 활성층 상에 형성된 제2 반도체층; 상기 제2 반도체층 상에 형성된 전극층; 상기 전극층 상에 배치되고, 상기 전극층과 평행한 제1 평면에 배열된 복수의 제1 평면 광자결정 구조물들; 및 상기 제1 반도체층 내부에 배치되고, 상기 기판에 평행한 제2 평면에 배열된 복수의 제2 평면 광자결정 구조물들을 포함한다.
Int. CL H01L 33/16 (2010.01)
CPC H01L 33/16(2013.01) H01L 33/16(2013.01)
출원번호/일자 1020140021675 (2014.02.25)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1529817-0000 (2015.06.11)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150617) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.02.25)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송봉식 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 박기범 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 박경문 대한민국 전라남도 여수시 도원로 ***,

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-0181953-17
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0401726-54
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search
2014.04.29 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2014.05.12 수리 (Accepted) 9-1-2014-0035089-91
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.06.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0411106-93
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0717202-19
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.07.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0717201-74
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.10.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0681460-40
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.11.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1093790-08
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-1093791-43
11 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2015.01.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0024431-84
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2015-0133807-24
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.02.09 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0133806-89
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.04.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0239397-05
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2015-0432707-47
16 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2015.05.06 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0432708-93
17 등록결정서
Decision to Grant Registration
2015.05.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0322934-49
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
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번호 청구항
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기판; 상기 기판 상에 형성된 제1 반도체층; 상기 제1 반도체층 상에 형성된 활성층; 상기 활성층 상에 형성된 제2 반도체층; 상기 제2 반도체층 상에 형성된 전극층; 상기 전극층 상에 배치되고, 상기 전극층과 평행한 제1 평면에 배열된 복수의 제1 평면 광자결정 구조물들; 및 상기 제1 반도체층 내부에 배치되고, 상기 기판에 평행한 제2 평면에 배열된 복수의 제2 평면 광자결정 구조물들을 포함하고, 상기 제1 평면 광자결정 구조물들은, 제1 방향을 따라 규칙적으로 배열되어 2 이상의 제1 열들을 형성하는 제1 광자결정 구조물들; 및 인접한 상기 제1 열들 사이에서 상기 제1 방향을 따라 규칙적으로 배열되어 하나 이상의 제2 열을 형성하는 제2 광자결정 구조물들을 포함하고, 상기 제1 광자결정 구조물들은 상기 제1 평면에 수직하게 배치된 사각기둥 형상을 갖고, 상기 제2 광자결정 구조물들은 상기 제1 평면에 수직하게 배치된 원기둥 형상을 갖으며, 상기 제2 열에 포함된 상기 제2 광자결정 구조물들은 상기 제1 열들 중 하나에 포함된 상기 제1 광자결정 구조물들 사이에 대응하는 영역들에 각각 배치된, 발광 다이오드
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제6항에 있어서, 상기 제1 및 제2 광자결정 구조물들은 상기 제1 평면에 수직한 방향으로의 두께가 0
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제6항에 있어서, 상기 제2 평면 광자결정 구조물들은, 제1 방향을 따라 규칙적으로 배열되어 2 이상의 제1 열들을 형성하는 제3 광자결정 구조물들; 및 인접한 상기 제1 열들 사이에서 상기 제1 방향을 따라 규칙적으로 배열되어 하나 이상의 제2 열을 형성하는 제4 광자결정 구조물들을 포함하고, 상기 제2 열에 포함된 상기 제4 광자결정 구조물들은 상기 제1 열들 중 하나에 포함된 상기 제3 광자결정 구조물들 사이에 대응하는 영역들에 각각 배치된, 발광 다이오드
13 13
제12항에 있어서, 상기 제3 광자결정 구조물들 및 상기 제4 광자결정 구조물들은 상기 제2 평면에 수직하게 배치된 원기둥 형상을 갖는, 발광 다이오드
14 14
제12항에 있어서, 상기 제3 광자결정 구조물들 및 상기 제4 광자결정 구조물들은 상기 제2 평면에 수직하게 배치된 사각기둥 형상을 갖는, 발광 다이오드
15 15
제12항에 있어서, 상기 제3 광자결정 구조물들은 상기 제2 평면에 수직하게 배치된 사각기둥 형상을 갖고, 상기 제4 광자결정 구조물들은 상기 제2 평면에 수직하게 배치된 원기둥 형상을 갖는, 발광 다이오드
16 16
제12항에 있어서, 상기 제3 광자결정 구조물들은 상기 제2 평면에 수직하게 배치된 원기둥 형상을 갖고, 상기 제4 광자결정 구조물들은 상기 제2 평면에 수직하게 배치된 사각기둥 형상을 가지며, 상기 제1 광자결정 구조물들은 상기 제3 광자결정 구조물들과 동일하게 배치되어 있고, 상기 제2 광자결정 구조물들은 상기 제4 광자결정 구조물들과 동일하게 배치되어 있는, 발광 다이오드
17 17
제12항에 있어서, 상기 제3 및 제4 광자결정 구조물들은 상기 제2 평면에 수직한 방향으로의 두께가 0
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제6항, 제11항 내지 제17항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 제1 평면과 상기 제2 평면 사이의 거리는 1
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.