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희토류 금속이 첨가된 염화실리케이트계 형광체를 합성하기 위한 금속 염화물을 포함하는 금속염 혼합용액을 SiO2 졸과 함께 액상으로 혼합하여 금속염-SiO2 졸 혼합 용액을 수득하고;상기 금속염-SiO2 졸 혼합 용액을 고분자물질에 함침 및 건조한 후 저온 하소, 선산화소성 및 후환원소성을 수행하여 염화실리케이트계 형광체를 수득하는 것을 포함하며,상기 고분자 물질이 옥수수전분, 감자전분, 셀룰로오즈 분말, 셀룰로오즈 시트, 구형 셀룰로오즈, 수용성 셀룰로오즈, 펄프, 결정화 셀룰로오스, 비결정질 셀룰로오스, 레이온 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하고,상기 저온 하소는 150℃ 내지 400℃에서 수행되는 것이고, 상기 선산화소성은 500℃ 내지 1000℃에서 수행되는 것이고, 상기 후환원소성은 700℃ 내지 1400℃에서 이내에서 H2-함유 환원 분위기 가스 존재 하에서 수행되는 것인,염화실리케이트계 형광체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 하소 및 소성 후 분쇄 과정을 추가 포함하는, 염화실리케이트계 형광체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 수득되는 염화실리케이트계 형광체는 M-Si-O-Cl, M-Si-B-O-Cl, M-Si-Al-O-Cl 또는 M-Si-P-O-Cl 의 조성을 가지며, 상기 M은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 전이금속, 희토류계 금속 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 염화실리케이트계 형광체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 수득되는 염화실리케이트계 형광체는 둥근 입자 형태, 및 50 nm 내지 10 ㎛의 입자 크기를 가지는 것인, 염화실리케이트계 형광체의 제조 방법
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