맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

연장된 게이트 전극이 형성된 전계효과 트랜지스터형 신호변환기를 이용한 투명성 이온 감지 센서칩 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015144197
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전해질의 다양한 이온 농도를 선택적으로 측정할 수 있고, 동시에 투명하게 제조됨으로써 광학적 측정이 가능하여 셀의 거동현상도 측정이 가능하며, 용액에 의한 이온 감지부의 열화를 방지하기 위해 이온 감지부가 트랜지스터의 채널부로부터 연장된 게이트 전극 상에 위치하도록 구성되어 내구성이 향상된 전계효과 트랜지스터형 신호변환기를 이용한 투명성 이온 감지 센서칩 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL G01N 27/414 (2006.01) G01N 33/48 (2006.01) G01N 27/333 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120006934 (2012.01.20)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1359735-0000 (2014.01.29)
공개번호/일자 10-2012-0085211 (2012.07.31) 문서열기
공고번호/일자 (20140211) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020110006318   |   2011.01.21
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.21)
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이내응 대한민국 경기 과천시 별양로 ***,
2 응우옌 뜨엉 투이 베트남 경기 수원시 장안구
3 김덕진 대한민국 경기 수원시 장안구
4 윤옥자 대한민국 경기 수원시 팔달구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
4 한상민 대한민국 광주 북구 첨단과기로***번길**-**, A동***-***호(특허법인지원(광주분사무소))

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0057334-65
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2012.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0138427-35
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2012.05.02 무효 (Invalidation) 1-1-2012-0350494-02
5 보정요구서
Request for Amendment		 2012.05.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0053628-83
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2012.05.08 무효 (Invalidation) 1-1-2012-0365904-71
7 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2012.05.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0057003-51
8 보정요구서
Request for Amendment		 2012.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0067422-57
9 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2012.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2012-0439109-58
10 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2012.06.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0069589-19
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.07.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0508028-36
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.09.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0855459-04
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0855457-13
16 등록결정서
Decision to grant		 2014.01.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0063594-20
17 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2014.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0279855-50
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명 기판;상기 투명 기판 상에 형성되고 그라핀으로 이루어진 검출 박막, 상기 검출 박막 상부에 위치하는 선택적 이온 투과막 및 상기 선택적 이온 투과막을 둘러싸고 전해질을 수용하는 웰을 구비하는 이온 감지 센서부; 상기 검출 박막과 동일한 재료로 일체로 형성된 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상에 형성되고 유기절연체로 이루어진 절연막, 상기 절연막 상에 형성되고 유기반도체, 산화물반도체 또는 그라핀으로 이루어진 반도체층 및 상기 반도체층을 사이에 두고 서로 이격된 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 전계효과 트랜지스터형 신호변환기; 및 상기 전계효과 트랜지스터형 신호변환기 상에 형성되고 TTC(n-tetratetracontane)로 이루어진 패시베이션 박막을 포함하는 투명성 이온 감지 센서칩
2 2
제1항에 있어서, 상기 이온 감지 센서부는 상기 검출 박막과 상기 선택적 이온 투과막 사이에 위치하는 절연체 이온 감응막을 더 포함하고, 상기 절연체 이온 감응막은 Ta2O5, Al2O3, Si3N4, SiO2, ZrO2, HfO2, Y2O3 및 Gd2O3으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명성 이온 감지 센서칩
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 투명 기판은 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 투명성 이온 감지 센서칩
6 6
투명 기판 상에 그라핀을 이용하여 도전막을 형성하는 단계;상기 도전막을 패터닝하여 게이트 전극 및 상기 게이트 전극과 전기적으로 연결된 검출 박막을 형성하는 단계;상기 검출 박막 상부에 선택적 이온 투과막을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 상부에 유기절연체를 코팅하여 절연체층을 형성하는 단계;상기 절연체층 상부에 유기반도체, 산화물반도체 또는 그라핀을 증착하여 반도체층을 형성하는 단계;상기 절연체층 상부에 상기 반도체층을 사이에 두고 서로 이격된 드레인 전극 및 소스 전극을 형성하는 단계;상기 반도체층, 상기 드레인 전극 및 상기 소스 전극이 형성된 상기 절연체층 상부에 TTC(n-tetratetracontane)의 유기물을 증착하여 패시베이션 박막을 형성하는 단계; 및상기 투명 기판 상부에 전해질을 수용하도록 상기 선택적 이온 투과막을 둘어싸는 웰(Well)을 형성하는 단계를 포함하고,상기 웰에 세포를 배양하고 물질대사에 의한 이온 농도를 선택적으로 검출할 수 있는 투명성 이온 감지 센서칩의 제조방법
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
제6항에 있어서, 상기 드레인 전극 및 상기 소스 전극은 금속을 열증착법에 의해 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 투명성 이온 감지 센서칩의 제조방법
10 10
제6항에 있어서, 상기 패시베이션 박막은 무기물 박막 또는 유기물 박막을 화학기상증착법, 원자층 증착법, 열증착법, 스핀코팅법 또는 프린팅 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 투명성 이온 감지 센서칩의 제조방법
11 11
제6항에 있어서, 상기 투명 기판은 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 투명성 이온 감지 센서칩의 제조방법
12 12
제6항에 있어서, 상기 선택적 이온 투과막을 형성하기 전에, 상기 검출 박막 상부에 절연체 이온 감응막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명성 이온 감지 센서칩의 제조방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 절연체 이온 감응막은 Ta2O5, Al2O3, Si3N4, SiO2, ZrO2, HfO2, Y2O3 및 Gd2O3으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명성 이온 감지 센서칩의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2012099446 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
2 WO2012099446 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2012099446 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
2 WO2012099446 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.