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회로기판의 기지 표면에서 도전체 패턴을 형성할 패턴부위만을 도전체 작용기와 반응할 수 있도록 활성화하는 활성단계;상기 부분적으로 활성화된 회로기판을 상기 도전체 작용기가 포함된 용액에 침지하여 상기 활성화된 패턴부위에 도전체 작용기가 결합하여 도전체 배선을 형성하는 배선형성단계; 및상기 도전체 배선이 형성된 회로기판을 세정 및 건조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로기판의 패턴 형성방법
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제1항에 있어서,상기 활성단계는 패턴부위만을 개방하는 마스크를 상기 회로기판의 상부에 설치하고, 상기 마스크의 상부에서 회로기판 쪽으로 플라즈마를 조사하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 회로기판의 패턴 형성방법
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제1항에 있어서,상기 활성단계는 상기 패턴부위의 형상에 해당하는 돌출부를 갖는 스탬핑 몰드를 제조하는 단계;상기 회로기판의 기지재료를 화학적으로 활성화시키는 화합물을 상기 스탬핑 몰드의 돌출부에 전사하는 단계; 및상기 전사되어진 화합물을 상기 스탬핑 몰드를 이용하여 상기 회로기판의 표면에 스탬핑하고 활성화시키는 반응을 일으키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로기판의 패턴 형성방법
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제3항에 있어서,상기 스탬핑 몰드는 금속, 유기물, 또는 무기물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 회로기판의 패턴 형성방법
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제3항에 있어서,상기 스탬핑 몰드는 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane : PDMS)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 회로기판의 패턴 형성방법
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제4항에 있어서,상기 스탬핑 몰드는 상기 전사단계 이전에 돌출부의 표면을 플라즈마처리, 계면활성제처리, 또는 코팅처리하여 개질시킨 것을 특징으로 하는 회로기판의 패턴 형성방법
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제3항에 있어서,상기 회로기판의 기지 표면은 폴리이미드이고,상기 활성화시키는 화합물은 0
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제3항에 있어서,상기 회로기판의 기지 표면은 에폭시계열 수지이고,상기 활성화시키는 화합물은 강산용액, 강알카린 용액, 암모니아, 아세톤, 에스터, 또는 케톤인 것을 특징으로 하는 회로기판의 패턴 형성방법
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제3항에 있어서,상기 화합물에 에틸렌글리콜을 1 내지 80 부피% 더 포함시키는 것을 특징으로 하는 회로기판의 패턴 형성방법
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제3항에 있어서,상기 활성화시키는 화합물의 전사는 상기 스탬핑 몰드 돌출부의 상기 화합물 코팅면상에의 압착, 스핀코팅, 딥코팅, 롤코팅, 그라비아코팅, 실크스크린 프린팅 또는 스프레이 코팅으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 회로기판의 패턴 형성방법
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제3항에 있어서,상기 스탬핑시 또는 스탬핑 후의 반응시에 이에 추가하여 가열 또는 가압을 함께 실시하는 것을 특징으로 하는 회로기판의 패턴 형성방법
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제3항에 있어서,상기 배선형성단계는 상기 회로기판을 금속염 용액에 침지하여 이온교환반응에 의한 금속이온의 석출물로 이루어진 금속 도전체 배선을 형성하는 것을 특징으로 하는 회로기판의 패턴 형성방법
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제3항에 있어서,상기 배선형성단계는 상기 회로기판을 도전성고분자기를 포함하는 용액에 침지하여 도전성고분자기의 회로기판 표면으로의 결합으로 이루어진 도전성고분자 배선을 형성하는 것을 특징으로 하는 회로기판의 패턴 형성방법
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제1항에 있어서,상기 회로기판의 기지 표면은 유기물로 형성되고, 상기 도전체는 금속 또는 도전성 고분자인 것을 특징으로 하는 회로기판의 패턴 형성방법
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제14항에 있어서,상기 회로기판의 기지 표면은 일정 회로기판에 유기물이 코팅된 형태인 것을 특징으로 하는 회로기판의 패턴 형성방법
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제1항 내지 제15항 중 어느 한 항의 방법에 의하여 제조된 회로기판
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제15항에 있어서,상기 회로기판은 인쇄회로기판, 액정회로기판, 디스플레이패널 회로기판, 또는 반도체칩 내의 회로기판인 것을 특징으로 하는 회로기판
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제15항에 있어서,상기 회로기판의 선폭은 0
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제16항에 있어서,상기 인쇄회로기판은 연성, 경성 또는 연경성 회로기판인 것으로 특징으로 하는 회로기판
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