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산소 플라즈마를 이용하여 다공성 고분자 기재의 표면 및 기공 내부 표면에 친수성 작용기를 도입하고,상기 다공성 고분자 기재의 표면 및 기공 내부 표면에 저온 원자층 증착법 (Low Temperature Atomic Layer Deposition)을 통하여 금속산화물 박막을 형성하는 것을 포함하는, 고내열성 분리막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 친수성 작용기가 -OH 또는 -COOH를 포함하는 것인, 고내열성 분리막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 다공성 고분자 기재는 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 저밀도 폴리에틸렌, 선형저밀도 폴리에틸렌, 고분자량 폴리에틸렌, 폴리프로필렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에스테르, 폴리아세탈, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르설폰, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리페닐렌설파이드, 및 폴리에틸렌나프탈렌으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 고내열성 분리막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속산화물은, Al2O3, SiO2, ZrO2, TiO2, SnO2, CeO2, ZnO, MgO, CaO, SrO, BaO, Na2O, B2O3, Mn2O3, Y2O3, WO3, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 고내열성 분리막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 저온 원자층 증착법에 의하여 박막을 형성하기 위하여 사용되는 전구체는, TMA (Tri-methyl-Aluminum), MPTMA (methyl-Pyrrolidine-Tri-methyl-Aluminum), EPPTEA (ethyl-pyridine-triethyl-aluminum), EPPDMAH (ethyl-pyridine-dimethyl-aluminum hydridge), IPA (C3H7-O)3Al), SiCl4 (silicon tetrachloride), TEMASi (tetrakis-ethyl-methyl-amino-Silcon), TiCl4(titanium tetrachloride), TTIP (titanium-tetrakis-isoproproxide), TEMAT (tretrakis-ethyl-methyl-amino-Titanium), TDMAT (tetrakis-dimethyl-amino-titanium), TDEAT (tetrakis-diethyl-amino-titanium), TEMAH (tetrakis-ethyl-methyl-amino-hafnium), TEMAZ (Tetrakis-ethyl-methyl-amido-zirconium), TDMAH (tetrakis-dimethyl-amino-hafnium), TDMAZ (tetrakis-dimethyl-amino-zirconium), TDEAH (tetrakis-diethyl-amino-hafnium), TDEAZ (tetrakis-diethyl-amino-zirconium), HTB (hafnium tetra-tert-butoxide), ZTB (zirconium tetra-tert-butoxide), HfCl4 (hafnium tetrachloride), Ba(C5H7O2)2, Sr(C5H7O2)2, Ba(C11H19O2)2, Sr(C11H19O2)2, Ba(C5HF6O2)2, Sr(C10H10F7O2)2, Ba(C10H10F7O2)2 Sr(C10H10F7O2)2, Ba(C11H19O2)-CH3(OCH2CH2)4OCH3, Sr(C11H19O2)2-CH3(OCH2HC2)4OCH3, Ti(OC2H5)4, Ti(OC3H7)4, Ti(OC4H9)4, Ti(C11H19O2)2(OC3H7)2, Ti(C11H19O2)2(O(CH2)2OCH3)2, Pb(C5H7O2)2, Pb(C5HF6O2)2, Pb(C5H4F3O2)2, Pb(C11H19O2)2, Pb(C2H5)4, La(C5H7O2)3, La(C5HF6O2)3, La(C5H4F3O2)3, La(C11H19O2)3, Zr(OC4H9)4, Zr(C5HF6O2)4, Zr(C5H4F3O2)4, Zr(C11H19O2)4, Zr(C11H19O2)2(OCH3H7)2, TMSTEMAT [MeSiN=Ta(NEtMe)3], TBITEMAT [Me3CN=Ta(NEtMe)3], TBTDET [Me3CN=Ta(Net2)3], PEMAT [Ta((CH3)(C2H5))5], PDEAT [Ta(N(C2H5)2)5], PDMAT [Ta(N(CH3)2)5], TaF5, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 유무기 금속화합물 전구체를 포함하는 것인, 고내열성 분리막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 저온 원자층 증착법이 25℃ 내지 80℃ 미만의 온도 범위에서 수행되는 것인, 고내열성 분리막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 저온 원자층 증착법이 60℃ 초과 내지 80℃ 미만의 온도 범위에서 수행되는 것인, 고내열성 분리막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속산화물 박막의 두께가 100 nm 이하인, 고내열성 분리막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 고내열성 분리막이 다공성 구조를 가지는 것인, 고내열성 분리막의 제조 방법
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다공성 고분자 기재의 표면 및 기공 내부 표면에 형성된 금속산화물 박막을 포함하며, 제 1 항, 및 제 3 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조되는, 고내열성 분리막
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제 11 항에 있어서,상기 다공성 고분자 기재는 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 저밀도 폴리에틸렌, 선형저밀도 폴리에틸렌, 고분자량 폴리에틸렌, 폴리프로필렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에스테르, 폴리아세탈, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르설폰, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리페닐렌설파이드, 및 폴리에틸렌나프탈렌으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 고내열성 분리막
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제 11 항에 있어서,상기 금속산화물은, Al2O3, SiO2, ZrO2, TiO2, SnO2, CeO2, ZnO, MgO, CaO, SrO, BaO, Na2O, B2O3, Mn2O3, Y2O3, WO3, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 고내열성 분리막
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제 11 항에 있어서,상기 금속산화물 박막의 두께가 100 nm 이하인, 고내열성 분리막
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제 11 항에 있어서,상기 고내열성 분리막이 다공성 구조를 가지는 것인, 고내열성 분리막
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제 11 항에 따른 고내열성 분리막을 포함하는, 전지
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제 16 항에 있어서,상기 전지는 이차 전지인 것인, 전지
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제 16 항에 있어서,상기 전지는 연료 전지인 것인, 전지
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