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중성빔을 이용한 이온 주입 장치 및 이온 주입 방법

  • 기술번호 : KST2015144246
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 중성빔을 이용한 이온 주입 장치 및 이온 주입 방법에 관한 것으로, 이온빔을 생성하기 위한 가스를 주입하는 이온빔 발생 가스 주입구, 이온빔 발생 가스 주입구를 통해 도입된 가스로부터 극성을 갖는 이온빔을 생성하는 이온 소스부, 이온 소스부의 한쪽 단부에 마련된 그리드 어셈블리, 그리드 어셈블리에 대응하여 마련되어 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 반사체 및 중성빔의 진행 경로 상에 피처리 기판을 위치시키는 스테이지를 포함하고, 중성빔이 상기 피처리 기판으로 주입되는 구성을 마련한다.상기와 같은 중성빔을 이용한 이온 주입 장치 및 이온 주입 방법을 이용하는 것에 의해, 웨이퍼 상의 이온 주입시 물리적, 전기적 손상을 매우 많이 주게 됨으로써 디바이스 특성의 저하 및 소멸을 가져오게 된다는 문제를 해소할 수 있다. 기판, 반도체, 주입, 중성빔, 반사판
Int. CL H01L 21/265 (2006.01)
CPC H01J 37/3171(2013.01) H01J 37/3171(2013.01) H01J 37/3171(2013.01)
출원번호/일자 1020060026965 (2006.03.24)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0720396-0000 (2007.05.15)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070521) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.03.24)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 염근영 대한민국 서울특별시 송파구
2 박병재 대한민국 충남 계룡시
3 민경석 대한민국 경기 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인정직과특허 대한민국 서울 강남구 선릉로 ***(논현동, 썬라이더빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2006-0208236-90
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2006-0081678-19
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0105786-22
5 의견서
Written Opinion		 2007.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-0176865-37
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.03.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0176876-39
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.05.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0258212-92
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.08.10 수리 (Accepted) 4-1-2007-0015278-18
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
이온빔을 생성하기 위한 가스를 주입하는 이온빔 발생 가스 주입구, 상기 이온빔 발생 가스 주입구를 통해 도입된 가스로부터 극성을 갖는 이온빔을 생성하는 이온소스부, 상기 이온소스부의 한쪽 단부에 마련된 그리드 어셈블리,상기 그리드 어셈블리에 대응하여 마련되어 상기 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 반사체 및상기 중성빔의 진행 경로 상에 피처리 기판을 위치시키는 스테이지를 포함하고,상기 중성빔이 상기 피처리 기판으로 주입되는 것을 특징으로 하는 중성빔을 이용한 이온 주입 장치
2 2
제 1항에 있어서,상기 이온빔 발생 가스 주입구를 통해 도입된 가스는 비소 또는 인의 P형 불순물을 포함하는 가스인 것을 특징으로 하는 중성빔을 이용한 이온 주입 장치
3 3
제 1항에 있어서,상기 이온빔 발생 가스 주입구를 통해 도입된 가스는 Si의 질화물화를 위한 N2 인 것을 특징으로 하는 중성빔을 이용한 이온 주입 장치
4 4
제 2항 또는 제 3항에 있어서,상기 피처리 기판은 바이폴라 소자 또는 MOS 소자용인 것을 특징으로 하는 중성빔을 이용한 이온 주입 장치
5 5
이온빔을 생성하기 위한 가스를 주입하는 단계,주입된 가스로부터 극성을 갖는 이온빔을 생성하는 단계,상기 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 단계,상기 중성빔을 피처리 기판으로 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 중성빔을 이용한 이온 주입 방법
6 6
제 5항에 있어서,상기 가스는 이온빔 발생 가스 주입구를 통해 주입되며, 비소 또는 인의 P형 불순물을 포함하는 가스인 것을 특징으로 하는 중성빔을 이용한 이온 주입 방법
7 7
제 5항에 있어서,상기 가스는 이온빔 발생 가스 주입구를 통해 주입되며, Si의 질화물화를 위한 N2 인 것을 특징으로 하는 중성빔을 이용한 이온 주입 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.