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제 1 금속의 표면을 상기 제 1 금속에 비해 환원력이 낮은 제 2 금속으로 코팅하는 방법으로서, 제 1 금속이 순수(de-ionized water)에 분산된 제 1 용액을 준비하는 단계;제 2 금속 이온이 해리된 제 2 금속 전해액을 준비하는 단계;상기 제 1 용액에 상기 금속 전해액을 첨가시켜 자발적 치환 반응을 발생시키는 단계를 포함하고,상기 제 2 금속 전해액은 상기 자발적 치환 반응의 감속제로서 암모늄 이온을 포함하고, 가속제로서 염소이온을 포함하며, 티오황산나트륨(Na2S2O3)을 포함하는,제 1 금속 입자의 표면을 상기 제 1 금속에 비해 환원력이 낮은 제 2 금속으로 코팅하는 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 금속이 구리 입자이고, 상기 제 2 금속 전해액이 은 이온이 해리된 전해액인,제 1 금속 입자의 표면을 상기 제 1 금속에 비해 환원력이 낮은 제 2 금속으로 코팅하는 방법
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제 2 항에 있어서,상기 제 2 금속 전해액이 질산은(AgNO3), 염화은(AgCl), 황산은(Ag2SO4), 및 플루오르화은(AgF)로부터 선택된 것이 순수(de-ionized water)에 해리된 전해액인, 제 1 금속 입자의 표면을 상기 제 1 금속에 비해 환원력이 낮은 제 2 금속으로 코팅하는 방법
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제 2 항에 있어서,상기 제 2 금속 전해액의 농도를 조절함에 따라 상기 자발적 치환 반응의 속도를 조절하는,제 1 금속 입자의 표면을 상기 제 1 금속에 비해 환원력이 낮은 제 2 금속으로 코팅하는 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 금속의 표면의 산화막을 제거하는 단계를 상기 자발적 치환반응에 앞서 제공하는,제 1 금속 입자의 표면을 상기 제 1 금속에 비해 환원력이 낮은 제 2 금속으로 코팅하는 방법
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제 5 항에 있어서,상기 산화막 제거 단계는, 상기 제 1 금속을 암모니아 이온과 아민을 포함하는 용액에 담지시키는 단계인, 제 1 금속 입자의 표면을 상기 제 1 금속에 비해 환원력이 낮은 제 2 금속으로 코팅하는 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 암모니아 이온과 아민을 포함하는 용액이, 암모니아수(NH3H2O) 및 황산암모늄((NH4)2SO4)의 혼합 용액인, 제 1 금속 입자의 표면을 상기 제 1 금속에 비해 환원력이 낮은 제 2 금속으로 코팅하는 방법
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제 1 항의 방법에 따라 형성된 제 1 금속의 표면에 상기 제 1 금속에 비해 환원력이 낮은 제 2 금속이 코팅된 코팅물
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제 8 항에 있어서,상기 제 2 금속이 상기 제 1 금속에 코팅되어 코어-쉘 구조를 가지는,제 1 금속의 표면에 상기 제 1 금속에 비해 환원력이 낮은 제 2 금속이 코팅된 코팅물
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제 8 항에 있어서,상기 제 1 금속은 덴드라이트 구조, 구형, 선형, 입체형, 및 튜브형으로 구성되는 군으로부터 선택된 형태의 구조를 가지는 것을 특징으로 하는,제 1 금속의 표면에 상기 제 1 금속에 비해 환원력이 낮은 제 2 금속이 코팅된 코팅물
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제 8 항에 있어서, 상기 제 1 금속이 구리 입자이고, 상기 제 2 금속 전해액이 은 이온이 해리된 전해액인,제 1 금속의 표면에 상기 제 1 금속에 비해 환원력이 낮은 제 2 금속이 코팅된 코팅물
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