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표면에 금속 재질의 부식 방지층이 형성된 금속 기판을 마련하는 단계; 상기 금속 기판의 부식 방지층 상에, 전이금속 산화물의 전구체를 함유하는 용액을 도포 후 건조하여, 전이금속 산화물 재질의 전자 재결합 차단층을 형성하는 단계;상기 전자 재결합 차단층 상에 다공성 금속 산화물 반도체층을 형성하는 단계; 및 상기 다공성 금속 산화물 반도체층의 표면에 염료를 흡착시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 반도체 전극 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 전자 재결합 차단층을 형성하는 단계는티타늄 디이소프로폭사이드 비스(아세틸아세토네이토))(titanium diisopropoxide bis(acetylacetonate)) 용액을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 반도체 전극 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 금속 기판은스테인리스 스틸(stainless steel), 철(Fe), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al) 및 니켈(Ni) 중에서 하나 이상을 포함하는 재질로 형성하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 반도체 전극 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 부식 방지층은 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 지르코늄(Zr) 및 규소(Si) 중에서 선택되는 하나 이상의 재질로 형성하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 반도체 전극 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 전자 재결합 차단층은티타늄(Ti) 산화물, 아연(Zn) 산화물, 크롬(Cr) 산화물, 텅스텐(W) 산화물 및 니오븀(Nb) 산화물 중 하나 이상의 재질로 형성하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 반도체 전극 형성 방법
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제1 기판 및 반도체 산화물 전극을 포함하는 반도체 전극;상기 반도체 전극과 마주보는 상대 전극; 및상기 반도체 전극과 상기 상대 전극 사이에 개재된 전해질층;을 포함하며,상기 반도체 전극은, 상기 제1 기판 상에 형성된 금속 재질의 부식 방지층과, 상기 부식 방지층 상에 형성된 전이 금속 산화물 재질의 전자 재결합 차단층을 포함하여, 상기 반도체 산화물 전극이 상기 전자 재결합 차단층 상에 형성되고,상기 제1 기판은 금속 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
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제7항에 있어서,상기 제1 기판은스테인리스 스틸(stainless steel), 철(Fe), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al) 및 니켈(Ni) 중에서 하나 이상을 포함하는 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
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제7항에 있어서,상기 제1 기판은1mm 이하의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
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제7항에 있어서,상기 부식 방지층은 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 지르코늄(Zr) 및 규소(Si) 중에서 선택되는 하나 이상의 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
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제7항에 있어서,상기 전자 재결합 차단층은티타늄(Ti) 산화물, 아연(Zn) 산화물, 크롬(Cr) 산화물, 텅스텐(W) 산화물 및 니오븀(Nb) 중 하나 이상의 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
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제7항에 있어서,상기 전자 재결합 차단층은10nm 내지 300nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
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제7항에 있어서,상기 반도체 산화물 전극은다공성 금속 산화물 반도체층 및 상기 다공성 금속 산화물 반도체층의 표면에 흡착된 염료층을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
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제7항에 있어서,상기 상대 전극은제2 기판 및 상기 제2 기판 상에 형성된 촉매층을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
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제15항에 있어서,상기 제2 기판은투명 전극이 코팅된, 유리 기판 또는 고분자 기판인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
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