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광 검출 소자에 있어서, 게이트 전극을 포함하고, 유전체 층이 형성된 기판,상기 유전체 층의 상부에 서로 이격 되어 형성된 소스 전극 및 드레인 전극;상기 소스 전극과 드레인 전극을 연결하는 채널층;상기 채널층에 코팅된 염료 분자를 포함하되, 상기 채널층은 핵사고날 원자 물질로 구성된 것인 광 검출 소자
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제 1항에 있어서,상기 핵사고날 원자 물질은 이황화몰리브덴(), 이황화텅스텐(), 및 텅스텐디셀레나이드() 중 어느 하나인 금속칼코제나이드 물질 또는 그래핀(Grapheme), 인 광 검출 소자
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제 1항에 있어서,상기 기판은 유리(Glass), 석영(Quartz), 실리콘(Si), 및 게르마늄(Ge) 또는 유연한 광 검출 소자를 구현하기 위해서, 폴리에틸렌 프탈레이트(Polyethylene Phthalate, PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(Polyethylene Naphthalate, PEN), 및 폴리에틸렌이민(Polyethylenimine, PEI) 중 하나 어느 하나를 포함하는 광 검출 소자
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제 1항에 있어서, 상기 염료 분자는 그래핀, 또는 금속칼코제나이드와 Pi-Pi 결합을 이루는 로다민(Rhodamine 6G, Rhodamine B), 프로토포르피린(Protoporphyrin 9), 루테늄계 염료(N3, N719), 및 크리스탈바이올렛(Crystal Violet; CV) 중 어느 하나 이상의 물질을 포함하는 것인 광 검출 소자
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광 검출 소자의 제조 방법에 있어서, 게이트 전극을 포함하는 기판에 유전체층을 형성하는 단계;상기 유전체 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 상기 전극 상에 채널층을 형성하는 단계; 및 상기 채널층 상에 염료 분자를 코팅하는 단계를 포함하되,상기 채널층은 그래핀(Graphene)으로 구성된 것인 광 검출 소자의 제조 방법
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광 검출 소자의 제조 방법에 있어서, 게이트 전극을 포함하는 기판에 유전체층을 형성하는 단계;상기 유전체 상에 채널층을 형성하는 단계; 상기 채널층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및 상기 채널층 상에 염료 분자를 코팅하는 단계를 포함하되,상기 채널층은 금속칼코제나이드로 구성된 것인 광 검출 소자의 제조 방법
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제 5항 또는 제 6항에 있어서,상기 염료 분자는 그래핀, 또는 금속칼코제나이드와 Pi-Pi 결합을 이루는 로다민(Rhodamine 6G, Rhodamine B), 프로토포르피린(Protoporphyrin 9), 루테늄계 염료(N3, N719), 및 크리스탈바이올렛(Crystal Violet; CV) 중 어느 하나 이상의 물질을 포함하는 것인 광 검출 소자의 제조 방법
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제 5항 또는 제 6항에 있어서,상기 염료 분자를 코팅하는 단계는드랍 캐스팅(Drop Casting), 스핀코팅(Spin Coating), 스프레이코팅(Spray Coating), 바코팅(Bar Coating), 및 딥핑(Dipping) 공정 중 어느 하나를 수행하는 것인 광 검출 소자의 제조 방법
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