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(a) 금전구체, 환원용매, 양이온 계면활성제 및 무기산을 포함하는 반응액을 가열하여 금나노입자를 제조하는 단계;(b) 상기 반응액을 상온냉각하고, 상기 반응액에 상기 금전구체를 1차추가 투입하여 상기 금나노입자를 15시간 이상 1차 에칭하는 단계;(c) 상기 반응액을 가열하여 상기 금나노입자를 다면체의 형태로 재성장시키는 단계; 및(d) 상기 반응액에 상기 금전구체를 2차추가 투입하여 상기 금나노입자를 15시간 이상 2차 에칭하는 단계;를 포함하며,상기 (c) 및 (d) 단계를 일단위공정으로 하여 상기 일단위공정을 1회 이상 수행하는 것을 특징으로 하는 구형 금나노입자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (c)단계는,상기 반응액을 180 내지 200℃로 가열하여 상기 금나노입자를 팔면체의 형태로 재성장시키는 것을 특징으로 하는 구형 금나노입자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (c)단계는,상기 금나노입자를 분리 수득한 이후에, 상기 금나노입자를 1,5-펜탄다이올(1,5-pentanediol), 1,3-프로판다이올(1,3-propanediol) 및 다이에틸렌글리콜(diethylene glycol) 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 혼합액으로 이루어진 분산매에 혼합시키는 단계; 및상기 금나노입자가 혼합된 상기 분산매를 상기에서 선택된 분산매의 끓는점으로 가열하여 상기 금나노입자를 불특정 다면체의 형태로 재성장시키는 단계;를 포함하는 구형 금나노입자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 양이온 계면활성제는 상기 반응액의 총량을 기준으로 1wt% 이상 함유되는 것을 특징으로 하는 구형 금나노입자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금전구체는 테트라클로로금(Ⅲ)산(HAuCl4)인 구형 금나노입자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 환원용매는 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 테트라에틸렌 글리콜, 폴리에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 디프로필렌 글리콜, 폴리프로필렌 글리콜 헥실렌 글리콜 및 1,2 헥사데칸디올(1,2-hexadecanediol)을 포함하는 글리콜류 용매, 또는 메틸 글리콜, 부틸 글리콜, 부틸 트리글리콜, 부틸 폴리글리콜, 헥실 글리콜, 헥실 디글리콜, 에틸헥실 글리콜, 에틸헥실 디글리콜, 아릴 글리콜, 페닐 글리콜, 페닐 디글리콜, 벤질 글리콜, 메틸 프로필렌 글리콜, 메틸 프로필렌 디글리콜, 메틸 프로필렌 트리글리콜, 프로필 프로필렌 글리콜, 프로필프로필렌 디글리콜, 부틸 프로필렌 글리콜, 부틸 프로필렌 디글리콜, 페닐 프로필렌 글리콜 및 메틸 프로필렌 글리콜 아세테이트를 포함하는 글리콜에테르류 용매로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 구형 금나노입자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 양이온 계면활성제는 폴리(디메틸디알릴암모늄 클로라이드)(poly(dimethyldiallylammonium chloride)), 헥사데실트리메틸암모늄 브로마이드(hexadecyltrimethylammonium bromide) 및 헥사데실트리메틸암모늄 클로라이드(hexadecyltrimethylammonium chloride) 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 구형 금나노입자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 무기산은 황산(H2SO4), 염산(HCl), 질산(HNO3), 인산(H3PO4), 설파민산(SO3HNH2), 과염소산(HClO4), 크롬산(HCrO4), 아황산(H2SO3) 및 아질산(HNO2) 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 구형 금나노입자 제조방법
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