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알루미늄으로 형성된 제1 전극;상기 제1 전극과 마주하는 제2 전극;상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 개재되고, 알루미늄 산화물을 포함하고, 상기 제2 전극과 접하는 표면에 다수의 기공들이 형성된 제1 유전층;상기 제1 전극과 마주하여 상기 제2 전극과 함께 상기 제1 전극이 개재되도록 배치시키는 제3 전극; 및상기 제1 전극과 상기 제3 전극 사이에 개재되고, 알루미늄 산화물을 포함하며, 상기 제3 전극과 접하는 표면에 다수의 기공들이 형성된 제2 유전층을 포함하고,상기 제1 유전층은 상기 제1 전극과 접촉하는 치밀층 및 상기 치밀층과 상기 제2 전극에 배치되고 상기 기공들을 포함하는 기공층을 포함하고,상기 제1 유전층의 전체 두께와 상기 치밀층의 두께의 비율은 1:0
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제1항에 있어서,상기 제1 유전층이 형성된 제1 전극의 표면은 요철 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 커패시터
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제1항에 있어서,상기 제1 전극의 양면 각각은 요철 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 커패시터
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제1항에 있어서,상기 제1 내지 제3 전극들과 상기 제1 및 제2 유전층들이 하나의 단위 구조체를 형성하고,적어도 2개의 단위 구조체들이 접착층에 의해서 연결된 것을 특징으로 하는 커패시터
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제1항에 있어서,상기 제3 전극에서 상기 제2 유전층이 형성된 면의 반대면과 마주하여 배치된 제4 전극;상기 제4 전극에서 상기 제3 전극과 마주하는 면에 형성되어 상기 제3 전극과 접하고, 알루미늄 산화물을 포함하며, 상기 제3 전극과 접하는 표면에 다수의 기공들이 형성된 제3 유전층;상기 제4 전극에서 상기 제3 유전층이 형성된 면의 반대면과 마주하는 제5 전극; 및상기 제4 전극과 제5 전극 사이에 개재되고, 알루미늄 산화물을 포함하며, 상기 제5 전극과 접하는 표면에 다수의 기공들이 형성된 제4 유전층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터
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알루미늄막을 1차 양극 산화시켜, 표면에 다수의 기공들이 형성된 제1 산화막을 형성하는 단계;상기 제1 산화막이 형성된 알루미늄막을 2차 양극 산화시켜, 상기 제1 산화막의 기공들 각각의 일부가 알루미늄 산화물로 채워진 제1 유전층을 형성하는 단계; 및상기 제1 유전층 상에 금속층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 산화막은 기공들을 포함하는 제1 기공층 및 상기 제1 기공층과 연결된 제1 두께의 제1 치밀층을 포함하고,상기 제1 유전층은 상기 제1 기공층의 기공보다 작은 크기의 기공들을 포함하는 제2 기공층 및 상기 제2 기공층과 연결되고 상기 제1 두께보다 두꺼운 제2 두께를 갖는 제2 치밀층을 포함하는 것을 특징으로 하는, 커패시터의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 제1 유전층의 기공들의 크기는상기 제1 산화막의 기공들의 크기의 20% 내지 90%인 것을 특징으로 하는 커패시터의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 제1 산화막을 형성하는 단계는,인산, 황산 및 옥살산으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 전해액으로 양극 산화시키는 것을 특징으로 하는 커패시터의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 제1 유전층을 형성하는 단계는,구연산 및 붕산 중 적어도 어느 하나의 전해액으로 양극 산화시키는 것을 특징으로 하는 커패시터의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 제1 산화막을 형성하는 단계 이전에,상기 알루미늄막의 표면에 요철 구조를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 금속층을 1차 양극 산화시켜, 상기 제2 유전층과 접하는 면의 반대면인 표면에 다수의 기공들이 형성된 제2 산화막을 형성하는 단계;상기 제2 산화막이 형성된 금속층을 2차 양극 산화시켜, 상기 제2 산화막의 기공들 각각의 일부가 알루미늄 산화물로 채워진 제2 유전층을 형성하는 단계; 및상기 제2 유전층 상에 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 커패시터의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 제1 산화막을 형성하는 단계에서, 전해액에 침지시켜 상기 알루미늄막 양측면에 각각 제1 산화막을 형성하고,상기 제1 유전층을 형성하는 단계에서, 상기 제1 산화막이 양측면에 각각 형성된 알루미늄막을 전해액에 침지시켜 양측면에 각각 제1 유전층을 형성하는 것을 특징으로 하는 커패시터의 제조 방법
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