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사진공정에 의해 레지스트 구조물을 형성하고, 이 레지스트 구조물의 표면을 도금한 후에 레지스트 구조물을 제거함으로써 몰드를 형성하며, 상기 몰드를 이용하여 미세구조물을 사출하는 LIGA공정에 있어서,
분산입자가 현탁된 도금액 내에 상기 사진공정에 의해 형성된 레지스트 구조물과 제1 및 제2 전극을 배치하고, 상기 레지스트 구조물을 상기 제1전극에 접속하는 단계; 및
상기 제1 및 제2 전극에 전류를 인가함으로써 도금액 내의 이온입자들에 의해 분산입자들을 함께 상기 레지스트 구조물의 표면에 공석시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 LIGA공정용 도금방법
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제1항에 있어서,
상기 분산입자가 분말 및/또는 섬유상 형태로 이루어지는 것을 특징으로 하는 LIGA공정용 도금방법
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제1항에 있어서,
상기 분산입자는 SiC, B4C, Cr23C6, TaC/Ta2C, TiC, WC, ZrC, Al2O3, Cr2O3, Fe2O3, SiO2, ZrO2, Cr3B2, TaB2, TiB/TiB2, BN, Si3N4, TaSi2, Al, Si, C 중에서 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 LIGA공정용 도금방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 도금액에 현탁된 분산입자는 전기영동에 의해 레지스트 구조물의 표면으로 이동할 때 바닥에 가라앉지 않을 정도의 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 LIGA공정용 도금방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 분산입자의 크기가 10 nm 내지 100 μm인 것을 특징으로 하는 LIGA공정용 도금방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 도금액 내에 함유되는 분산입자의 농도가 10 내지 100 g/ℓ인 것을 특징으로 하는 LIGA공정용 도금방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 분산입자가 상기 도금액과 반응하지 않음과 더불어 도금액에 용해되지 않는 물질인 것을 특징으로 하는 LIGA공정용 도금방법
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