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고분자 폴리 L―락트산 합성용 락티드의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015144497
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 락티드 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 락티드 제조 시 촉매, 온도, 압력, PLA 분자량, 촉매 농도의 변화에 따른 락티드 수율 변화를 조사함으로써 최적의 락티드 합성 조건을 제공한다. 본 발명의 방법에 따르면 합성되는 락티드 수율을 최대화하면서 라세미화 반응을 최소화시킬 수 있으며, 융용상태의 락티드를 수득할 수 있어 추후 분리 공정에 매우 편리하게 사용할 수 있다.락트산, 락티드, 촉매
Int. CL C08F 4/60 (2006.01) C08G 63/08 (2006.01)
CPC C08G 63/08(2013.01) C08G 63/08(2013.01) C08G 63/08(2013.01) C08G 63/08(2013.01) C08G 63/08(2013.01) C08G 63/08(2013.01)
출원번호/일자 1020060081123 (2006.08.25)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2008-0018657 (2008.02.28) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.08.25)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김덕준 대한민국 서울 강남구
2 이두성 대한민국 경기 과천시
3 유동근 대한민국 경북 포항시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권형중 대한민국 서울특별시 중구 서소문로 ** (서소문동, 정안빌딩 *층)(특허법인 남앤남)
2 김문재 대한민국 서울특별시 중구 서소문로 ** (서소문동, 정안빌딩 *층)(특허법인 남앤남)
3 이종승 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길** 에이동 ***호 (문정동, 현대지식산업센터)(리스비특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2006-0611025-16
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.02.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.03.15 수리 (Accepted) 9-1-2007-0018139-01
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0236448-44
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2007-0477605-11
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2007.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2007-0555450-38
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.08.10 수리 (Accepted) 4-1-2007-0015278-18
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2007.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2007-0632072-12
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2007.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0701216-08
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2007.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2007-0775916-17
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2007.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2007-0861641-07
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2007.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0947847-99
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0069445-22
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2008.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0162103-85
15 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2008.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0245047-48
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
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번호 청구항
1 1
i) 락트산 (Lactic acid)으로부터 저 분자량 락트산을 합성하는 단계;ii) 단계 i)에서 합성된 저 분자량 락트산으로부터 촉매의 존재하에 가온 및 가압시키는 단계를 포함하여, 크루드 (crude) 락티드를 제조하는 방법
2 2
제 1항에 있어서, 단계 i)에서 락트산은 L형, D형 또는 DL형의 락트산임을 특징으로 하는 방법
3 3
제 2항에 있어서, 단계 i)에서 락트산의 농도는 10wt% 내지 95wt%임을 특징으로 하는 방법
4 4
제 1항에 있어서, 단계 i)에서 저 분자량 락트산의 분자량은 300 내지 5,000 g/mol임을 특징으로 하는 방법
5 5
제 1항에 있어서, 단계 ii)에서 촉매의 농도는 0
6 6
제 1항 또는 제 5항에 있어서, 촉매는 Sn, Zn, Fe 또는 Sb로 구성된 군으로부터 선택되는 금속 촉매로서 금속 옥사이드 (metal oxides), 금속 할라이드 (metal halides) 또는 카르복실 화합물 (carboxylic compound)의 형태를 가진 촉매임을 특징으로 하는 방법
7 7
제 6항에 있어서, Sn 계열의 촉매는 SnO (Stannous oxide), SnCl2 (Stannous chloride), Snoct2 (Stannous octoate)로 구성된 군으로부터 선택됨을 특징으로 하는 방법
8 8
제 7항에 있어서, Sn 계열의 촉매는 SnO임을 특징으로 하는 방법
9 9
제 1항에 있어서, 단계 ii)에서 가온 온도는 200℃ 내지 240℃임을 특징으로 하는 방법
10 10
제 1항에 있어서, 단계 ii)에서 가압 압력은 0
11 11
제 1항에 있어서, 제조된 크루드 락티드의 고형화를 막기 위해 일정한 온도로 보관하는 단계를 추가로 포함함을 특징으로 하는 방법
12 12
제 11항에 있어서, 온도는 60 ℃ 내지 100 ℃임을 특징으로 하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.