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불휘발성 메모리 장치로부터 출력되는 데이터로부터 에러 비트들을 검출하고, 상기 검출된 에러 비트들을 정정하는 단계; 및상기 정정된 에러 비트들의 수에 따라 상기 불휘발성 메모리 장치의 각 블록별로 에러 정정 레벨을 조절하는 단계를 포함하며,상기 에러 정정 레벨은, 상기 각 블록당 얼마나 많은 에러 비트들을 정정할 수 있는지를 나타내는 레벨인 메모리 컨트롤러의 동작 방법
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제1항에 있어서, 상기 메모리 컨트롤러의 동작 방법은,상기 불휘발성 메모리 장치의 프로그램(program)-이레이즈(erase) 사이클들(cycles)의 수에 따라 상기 불휘발성 메모리 장치의 상기 각 블록별로 상기 에러 정정 레벨을 조절하는 단계를 더 포함하는 메모리 컨트롤러의 동작 방법
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제1항에 있어서, 상기 에러 정정 레벨을 조절하는 단계는
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제3항에 있어서, 상기 에러 정정 레벨을 조절하는 단계는
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제1항에 있어서, 상기 각 블록이 최상위 비트들을 포함하는 MSB(most significant bit) 페이지와 최하위 비트들을 포함하는 LSB(least significant bit) 페이지를 포함할 때,상기 메모리 컨트롤러의 동작 방법은,상기 정정된 에러 비트들의 수에 따라 상기 MSB 페이지와 상기 LSB 페이지의 상기 에러 정정 레벨을 조절하는 단계를 더 포함하는 메모리 컨트롤러의 동작 방법
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제1항에 있어서, 상기 각 블록이 복수의 페이지들을 포함할 때,상기 메모리 컨트롤러의 동작 방법은
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ECC(error correction code) 블록; 및상기 ECC 블록을 제어하는 마이크로 프로세서를 포함하며,상기 ECC 블록은,불휘발성 메모리 장치로부터 출력되는 데이터로부터 에러 비트들을 검출하고 상기 검출된 에러 비트들을 정정하며, 상기 정정된 에러 비트들의 수에 따라 상기 불휘발성 메모리 장치의 각 블록별로 에러 정정 레벨을 조절하며,상기 에러 정정 레벨은 상기 각 블록당 얼마나 많은 에러 비트들을 정정할 수 있는지를 나타내는 메모리 컨트롤러
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제7항에 있어서, 상기 ECC 블록은,상기 정정된 에러 비트들의 수가 상기 에러 정정 레벨의 제1레벨과 대응되는 제1문턱 값보다 클 때, 상기 에러 정정 레벨을 상기 제1레벨에서 상기 제1레벨보다 큰 제2레벨로 조절하는 메모리 컨트롤러
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제7항에 있어서, 상기 불휘발성 메모리 장치의 각 블록이 복수의 페이지들을 포함할 때,상기 ECC 블록은,상기 정정된 에러 비트들의 수에 따라 상기 복수의 페이지들 각각의 에러 정정 레벨을 조절하는 메모리 컨트롤러
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