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기판과;상기 기판 상의 서로 다른 재질의 제1나노입자와 제2나노입자의 나노 복합체를 포함하는 전위 제어층;상기 전위 제어층 상에 형성되는 질화물 반도체층;을 포함하며,상기 나노 복합체는 상기 제1나노입자 표면에 적어도 하나의 상기 제2나노입자가 결합된 구조로 형성되는 질화물 반도체 디바이스
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제1항에 있어서, 상기 제1나노입자는 OH 리간드를 가지는 물질로 이루어진 질화물 반도체 디바이스
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제1항에 있어서, 상기 제1나노입자는 SiO2, ZnO 중 어느 하나로 이루어지는 질화물 반도체 디바이스
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제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2나노입자는 GaN, β-Ga2O3 중 어느 하나로 이루어지는 질화물 반도체 디바이스
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제1항에 있어서, 상기 나노 복합체는, SiO2 나노입자와 이에 결합된 적어도 하나의 GaN 나노입자를 포함하는 나노 복합체이거나, SiO2 나노입자와 이에 결합된 적어도 하나의 β-Ga2O3 나노입자를 포함하는 나노 복합체인 질화물 반도체 디바이스
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제6항에 있어서, 상기 SiO2 나노입자는 200nm 내지 3μm 의 크기를 가지는 질화물 반도체 디바이스
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제1항에 있어서, 상기 기판은 사파이어 기판, 실리콘 기판, 실리콘 카바이드 기판 중 어느 하나를 사용하는 질화물 반도체 디바이스
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제1항, 제2항, 제4항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 질화물 반도체층은,제1도전형 질화갈륨층, 질화갈륨에 바탕을 둔 다층 양자 우물 구조의 활성층, 상기 제1도전형과 반대형인 제2도전형 질화갈륨층을 포함하며, 상기 활성층에서 광이 발생되도록 전류를 인가하기 위한 제1 및 제2전극을 더 구비하여, 수직형이나 수평형의 질화물 반도체 발광소자로 사용되는 질화물 반도체 디바이스
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제9항에 있어서, 상기 기판과 상기 질화물 반도체층 사이에 완충층;을 더 포함하는 질화물 반도체 디바이스
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제10항에 있어서, 상기 완충층은, ZnO, BN, AlN, GaN, Al1-xGaxN을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 한 물질로 이루어진 질화물 반도체 디바이스
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기판을 준비하는 단계와;상기 기판 상에 서로 다른 재질의 제1나노입자와 제2나노입자의 나노 복합체를 포함하는 전위 제어층을 형성하는 단계와;상기 전위 제어층 상에 질화물 반도체층을 에피 성장하는 단계;를 포함하며,상기 나노 복합체는 상기 제1나노입자 표면에 적어도 하나의 상기 제2나노입자가 결합된 구조로 형성되는 질화물 반도체 디바이스 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 전위 제어층을 형성하는 단계는, 상기 나노 복합체를 상기 기판 상에 분산시키기 위하여, 상기 나노 복합체가 포함된 용액을 준비하는 단계와;상기 기판 상에 상기 나노 복합체 용액을 스핀 코팅하는 단계;를 포함하는 질화물 반도체 디바이스 제조 방법
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제13항에 있어서, 상기 기판을 준비하는 단계는,상기 기판을 표면 처리하여 친수성 기판으로 만드는 단계;를 포함하는 질화물 반도체 디바이스 제조 방법
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제14항에 있어서, 상기 표면 처리는, H2SO4, H2O2, 탈이온수를 혼합한 용액을 이용하여 소정 시간동안 이루어지는 질화물 반도체 디바이스 제조 방법
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제13항에 있어서, 상기 나노 복합체 용액의 용매로 탈이온수, 에탄올, 메탄올, 톨루엔 중 어느 하나를 사용하는 질화물 반도체 디바이스 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 나노 복합체는, SiO2 나노입자 표면에 적어도 하나의 GaN 나노입자가 결합된 구조이고, 상기 나노 복합체는, SiO2 나노입자 표면에 적어도 하나의 β-Ga2O3 나노입자가 결합된 구조이고 분말 형태로 형성된 SiO2 0026# β-Ga2O3 나노 복합체를 열처리하고, 열처리된 SiO2 0026# β-Ga2O3 나노 복합체를 질화시켜 형성되는 질화물 반도체 디바이스 제조 방법
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제12항에 있어서, SiO2 나노입자 표면에 적어도 하나의 GaN이나 β-Ga2O3 나노입자가 결합된 나노 복합체를 형성하기 위해, 용질로 Gallium nitrate, Gallium chloride 중 어느 하나를 사용하는 질화물 반도체 디바이스 제조 방법
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제18항에 있어서, SiO2 나노입자 표면에 적어도 하나의 GaN이나 β-Ga2O3 나노입자가 결합된 나노 복합체를 형성하기 위해, 용매로는 탈이온수, 에탈올, 메탄올, 프로파놀 중 어느 하나를 사용하는 질화물 반도체 디바이스 제조 방법
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