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그래핀 시트; 및상기 그래핀 시트 상에 형성된 육방정계 질화붕소 시트;를 포함하고, 200 nm × 200 nm 이하의 영역에서 0
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제1항에 있어서,상기 이종 적층 구조의 절연시트는 20 μm × 20 μm 이상의 영역에서 2
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삭제
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제1항에 있어서,상기 육방정계 질화붕소 시트가 B-N간의 결합이 sp2 공유결합이고 층간 결합이 반 데어 바알스 결합인 2차원 평면 구조를 가지며, 두께가 30nm 이하인 이종 적층 구조의 절연시트
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제1항에 있어서,상기 절연시트의 유전상수가 2 내지 4인 이종 적층 구조의 절연시트
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금속 촉매의 존재하에 기상의 탄소 공급원을 투입하면서 제1 열처리하여 그래핀 시트를 형성하는 단계;반응기의 온도를 냉각시킨 상태에서, 질소 공급원 및 붕소 공급원을 기상으로 공급하면서 상기 그래핀 시트 상에 비정질 질화붕소막을 형성하는 단계; 및상기 비정질 질화붕소막을 제2 열처리하여 육방정계 질화붕소 시트로 재결정화시키는 단계;를 포함하는 이종 적층 구조의 절연시트의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 그래핀 시트의 형성 단계, 상기 비정질 질화붕소막의 형성 단계 및 상기 육방정계 질화붕소 시트로의 재결정화 단계가 모두 동일한 반응기 내에서 수행되는 이종 적층 구조의 절연시트의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 기상의 탄소 공급원이 일산화탄소, 에탄, 에틸렌, 에탄올, 아세틸렌, 프로판, 프로필렌, 부탄, 부타디엔, 펜탄, 펜텐, 사이클로펜타디엔, 헥산, 사이클로헥산, 벤젠 및 톨루엔으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나인 이종 적층 구조의 절연시트의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 금속 촉매가 니켈(Ni), 코발트(Co), 철(Fe), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 구리(Cu), 마그네슘(Mg), 망간(Mn), 몰리브덴(Mo), 로듐(Rh), 실리콘(Si), 탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 우라늄(U), 바나듐(V), 지르코늄(Zr) 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나인 이종 적층 구조의 절연시트의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 제1 열처리가 300℃ 내지 1500℃의 온도 범위에서 수행되는 이종 적층 구조의 절연시트의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 제1 열처리 수행 시간을 조절하여 형성되는 상기 그래핀 시트의 두께를 (30)nm 이하가 되도록 제어하는 이종 적층 구조의 절연시트의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 냉각시 온도가 70℃ 내지 800℃인 이종 적층 구조의 절연시트의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 질소 공급원으로서 NH3 및 N2 에서 선택된 적어도 하나를 이용하고, 상기 붕소 공급원으로서 BH3, BF3, BCl3, B2H6, (CH3CH2)3B 및 (CH3)3B 에서 선택된 적어도 하나를 이용하는 이종 적층 구조의 절연시트의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 질소 공급원 및 붕소 공급원으로서 H3NBH3 및 (BH)3(NH)3에서 선택된 적어도 하나의 물질을 이용하는 이종 적층 구조의 절연시트의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 제2 열처리가 500℃ 내지 1500℃의 온도 범위에서 수행되는 이종 적층 구조의 절연시트의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 그래핀 시트 형성 단계, 상기 비정질 질화붕소막 형성 단계, 및 상기 육방정계 질화붕소 시트로의 재결정화 단계의 각 단계가 독립적으로 불활성 가스, 수소 가스, 또는 이들의 혼합 가스의 존재 하에 수행되는 이종 적층 구조의 절연시트의 제조방법
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제1항, 제2항, 제4항 및 제5항 중 어느 한 항에 따른 이종 적층 구조의 절연시트를 포함하는 전기소자
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제1항, 제2항, 제4항 및 제5항 중 어느 한 항에 따른 이종 적층 구조의 절연시트; 및상기 절연시트의 육방정계 질화붕소 시트 상에 배치된 그래핀 채널층;을 포함하는 적층 구조체
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제18항에 따른 적층 구조체를 포함하는 트랜지스터
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제19항에 있어서,상기 트랜지스터가 백게이트형 전계효과 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 트랜지스터
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