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1
제1 평면 및 상기 제1 평면과 단차진 제2 평면을 포함하는 상부면을 구비하고, 상기 상부면은 제1 방향으로의 길이 및 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로의 폭을 갖는 전도성 기판, 상기 제1 평면 상에 형성된 제1 절연층, 상기 제2 평면과 이격되고, 상기 제1 절연층 상에 배치되는 제1 전극층, 상기 제2 평면 상에 배치되고, 상기 제1 전극층 및 상기 전도성 기판과 각각 전기적으로 연결된 제1 전극 및 제2 전극을 구비하는 발광다이오드를 구비하는 발광소자;상기 제1 전극층과 마주보는 제1 면, 상기 상부면에 대향하는 상기 전도성 기판의 하부면과 마주보고 상기 제1 면에 평행한 제2 면 및 상기 제1면과 상기 제2면을 연결하며, 상기 제1 방향으로의 길이 및 상기 제1 방향에 수직한 제3 방향으로의 폭을 갖는 바닥면에 의해 형성되고, 상기 발광소자의 적어도 일부가 삽입되는 삽입홈을 구비하는 히트싱크;상기 바닥면 상에 배치되고, 상기 전도성 기판의 상부면과 하부면을 연결하는 측면과 접촉하여 상기 전도성 기판과 전기적으로 연결된 제2 전극층; 및 상기 제1 면 상에 배치되고, 상기 제1 전극층과 접촉하는 제3 전극층을 포함하는 발광다이오드 패키지
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| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 바닥면에 대향하는 상기 히트싱크의 하부면에 배치되고, 상기 제2 전극층과 전기적으로 연결된 제4 전극층; 및 상기 제4 전극층과 이격된 상태로 상기 히트싱크의 하부면에 배치되고, 상기 제3 전극층과 전기적으로 연결된 제5 전극층을 더 포함하는, 발광다이오드 패키지
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| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 제1 평면은 상기 전도성 기판의 상기 상부면의 제1 모서리로부터 상기 제2 방향을 따라 연장되고, 상기 제2 평면은 상기 제1 모서리에 대향하는 상기 상부면의 제2 모서리로부터 상기 제2 방향과 반대되는 방향을 따라 연장되며, 상기 제1 방향에 따른 상기 제1 평면의 폭은 상기 제1 방향에 따른 상기 제2 평면의 폭보다 작은, 발광다이오드 패키지
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| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 제1 평면은 상기 전도성 기판의 상기 상부면의 제3 모서리로부터 상기 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 제2 평면은 상기 제3 모서리에 대향하는 상기 상부면의 제4 모서리로부터 상기 제1 방향과 반대되는 방향을 따라 연장되며, 상기 제1 방향에 따른 상기 제1 평면의 폭은 상기 제1 방향에 따른 상기 제2 평면의 폭보다 작은, 발광다이오드 패키지
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| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 삽입홈의 상기 제2 면에 형성된 하나 이상의 돌기가 상기 전도성 기판의 하부면에 형성된 하나 이상의 홈에 삽입되어 상기 전도성 기판의 하부면과 상기 삽입홈의 상기 제2 면이 마주보는, 발광다이오드 패키지
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| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 삽입홈의 상기 제2 면과 상기 전도성 기판의 하부면 사이에 배치되고, 상기 전도성 기판과 히트싱크를 접착시킬 수 있는 접착층을 더 포함하는, 발광다이오드 패키지
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7
제1항에 있어서, 상기 제2 평면은 상기 제1 평면보다 돌출되어 있는, 발광다이오드 패키지
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8
제1항에 있어서, 상기 기판은 구리, 알루미늄, 구리 합금 및 알루미늄 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질로 이루어진, 발광다이오드 패키지
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9
제1항에 있어서, 상기 제1 절연층은 유기 또는 무기 절연 물질인 것을 특징으로 하는, 발광다이오드 패키지
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10
제1항에 있어서, 상기 제1 절연층의 면적은 상기 제1 전극층의 면적보다 큰 것을 특징으로 하는, 발광다이오드 패키지
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11
제2항에 있어서, 상기 제2 전극층은 상기 제1 방향을 따라 배치되고, 상기 제3 방향과 평행한 상기 제2 전극층의 모서리가 상기 제3 방향과 평행한 상기 제4 전극층의 모서리와 연결되어 있는, 발광다이오드 패키지
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12
제2항에 있어서, 상기 제3 전극층은 상기 제1 방향을 따라 배치되고, 상기 제1 방향과 평행한 상기 제3 전극층의 모서리가 상기 제1 방향과 평행한 상기 제5 전극층의 모서리와 연결되어 있는, 발광다이오드 패키지
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| 13 |
13
제2항에 있어서,상기 제3 전극층은 상기 제1 방향을 따라 상기 상기 제1 면의 일정 영역 상에 배치되고, 상기 제1 방향과 평행한 상기 제3 전극층의 모서리가 상기 제1 방향과 평행한 상기 제5 전극층의 모서리와 연결되어 있는, 발광다이오드 패키지
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| 14 |
14
제1 평면 및 상기 제1 평면과 단차진 제2 평면을 포함하는 상부면을 구비하고, 상기 상부면은 제1 방향으로의 길이 및 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로의 폭을 갖는 전도성 기판, 상기 제1 평면 상에 형성된 제1 절연층, 상기 제2 평면과 이격되고, 상기 제1 절연층 상에 배치되는 제1 전극층, 상기 제2 평면 상에서 상기 제1 방향을 따라 서로 이격된 상태로 배치되고, 상기 제1 전극층 및 상기 전도성 기판과 각각 전기적으로 연결된 제1 전극 및 제2 전극을 구비하는 복수 개의 발광다이오드를 구비하는 발광소자; 상기 제1 전극층과 마주보는 제1 면, 상기 상부면에 대향하는 상기 전도성 기판의 하부면과 마주보고 상기 제1 면에 평행한 제2 면 및 상기 제1면과 상기 제2면을 연결하며, 상기 제1 방향으로의 길이 및 상기 제1 방향에 수직한 제3 방향으로의 폭을 갖는 바닥면에 의해 형성되고, 상기 발광소자의 적어도 일부가 삽입되는 삽입홈을 구비하는 히트싱크;상기 바닥면 상에 배치되고, 상기 전도성 기판의 상부면과 하부면을 연결하는 측면과 접촉하여 상기 전도성 기판과 전기적으로 연결된 제2 전극층; 및 상기 제1 면 상에 배치되고, 상기 제1 전극층과 접촉하는 제3 전극층을 포함하는, 발광다이오드 패키지
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15
제14항에 있어서, 상기 바닥면에 대향하는 상기 히트싱크의 하부면에 배치되고, 상기 제2 전극층과 전기적으로 연결된 제4 전극층; 및 상기 제4 전극층과 이격된 상태로 상기 히트싱크의 하부면에 배치되고, 상기 제3 전극층과 전기적으로 연결된 제5 전극층을 더 포함하는, 발광다이오드 패키지
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16
제14항에 있어서, 상기 제1 평면은 상기 전도성 기판의 상기 상부면의 제1 모서리로부터 상기 제2 방향을 따라 연장되고, 상기 제2 평면은 상기 제1 모서리에 대향하는 상기 상부면의 제2 모서리로부터 상기 제2 방향과 반대되는 방향을 따라 연장되며, 상기 제1 방향에 따른 상기 제1 평면의 폭은 상기 제1 방향에 따른 상기 제2 평면의 폭보다 작은, 발광다이오드 패키지
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17
제15항에 있어서, 상기 제2 전극층은 상기 제1 방향을 따라 배치되고, 상기 제3 방향과 평행한 상기 제2 전극층의 모서리가 상기 제3 방향과 평행한 상기 제4 전극층의 모서리와 연결되어 있는, 발광다이오드 패키지
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18
제15항에 있어서, 상기 제3 전극층은 상기 제1 방향을 따라 배치되고, 상기 제1 방향과 평행한 상기 제3 전극층의 모서리가 상기 제1 방향과 평행한 상기 제5 전극층의 모서리와 연결되어 있는, 발광다이오드 패키지
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19
제1 평면 및 상기 제1 평면과 단차진 제2 평면을 포함하는 상부면을 구비하고, 상기 상부면은 제1 방향으로의 길이 및 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로의 폭을 갖는 전도성 기판, 상기 제1 평면 상에 형성된 제1 절연층, 상기 제2 평면과 이격되고, 상기 제1 절연층 상에 배치되는 제1 전극층, 상기 제2 평면 상에서 상기 제2 방향을 따라 서로 이격된 상태로 배치되고, 상기 제1 전극층 및 상기 전도성 기판과 각각 전기적으로 연결된 제1 전극 및 제2 전극을 구비하는 복수 개의 발광다이오드를 구비하는 발광소자; 상기 제1 전극층과 마주보는 제1 면, 상기 상부면에 대향하는 상기 전도성 기판의 하부면과 마주보고 상기 제1 면에 평행한 제2 면 및 상기 제1면과 상기 제2면을 연결하며, 상기 제1 방향으로의 길이 및 상기 제1 방향에 수직한 제3 방향으로의 폭을 갖는 바닥면에 의해 형성되고, 상기 발광소자의 적어도 일부가 삽입되는 삽입홈을 구비하는 히트싱크;상기 바닥면 상에 배치되고, 상기 전도성 기판의 상부면과 하부면을 연결하는 측면과 접촉하여 상기 전도성 기판과 전기적으로 연결된 제2 전극층; 및 상기 제1 면 상에 배치되고, 상기 제1 전극층과 접촉하는 제3 전극층을 포함하는, 발광다이오드 패키지
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제19항에 있어서, 상기 바닥면과 대향하는 상기 히트싱크의 하부면에 배치되고, 상기 제2 전극층과 전기적으로 연결된 제4 전극층; 및 상기 제4 전극층과 이격된 상태로 상기 히트싱크의 하부면에 배치되고, 상기 제3 전극층과 전기적으로 연결된 제5 전극층을 더 포함하는, 발광다이오드 패키지
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21
제19항에 있어서, 상기 제1 평면은 상기 전도성 기판의 상기 상부면의 제3 모서리로부터 상기 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 제2 평면은 상기 제3 모서리에 대향하는 상기 상부면의 제4 모서리로부터 상기 제1 방향과 반대되는 방향을 따라 연장되며, 상기 제1 방향에 따른 상기 제1 평면의 폭은 상기 제1 방향에 따른 상기 제2 평면의 폭보다 작은, 발광다이오드 패키지
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제20항에 있어서, 상기 제2 전극층은 상기 제1 방향을 따라 배치되고, 상기 제3 방향과 평행한 상기 제2 전극층의 모서리가 상기 제3 방향과 평행한 상기 제4 전극층의 모서리와 연결되어 있는, 발광다이오드 패키지
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제20항에 있어서, 상기 제3 전극층은 상기 제1 방향을 따라 상기 상기 제1 면의 일정 영역 상에 배치되고, 상기 제1 방향과 평행한 상기 제3 전극층의 모서리가 상기 제1 방향과 평행한 상기 제5 전극층의 모서리와 연결되어 있는, 발광다이오드 패키지
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