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그래핀을 비산화성 또는 비활성 기체 플라즈마 처리하는 단계; 및상기 플라즈마 처리된 그래핀 표면상에 금속을 증착시키는 단계를 포함하는그래핀상의 금속 박막의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 플라즈마 처리는 플라즈마 전력 20W 내지 100W에서 수행되는 그래핀상의 금속 박막의 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 플라즈마 처리는 3초 내지 100초 동안 수행되는 그래핀상의 금속 박막의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 비산화성 또는 비활성 기체 플라즈마는 아르곤 기체 플라즈마, 수소 기체 플라즈마 또는 질소 기체 플라즈마인 그래핀상의 금속 박막의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 금속은 Pd, Ti 및 Al중에서 선택된 1종 이상 또는 이들의 합금인 그래핀상의 금속 박막의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 그래핀은 기판 상에 화학증착 및 기계적박리에 의해 형성된 것인 그래핀상의 금속 박막의 형성 방법
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제6항에 있어서,상기 기판은 투명 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 또는 SiO2 기판인 그래핀상의 금속 박막의 형성 방법
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제1항에 있어서 상기 그래핀은 그 상부에 포토레지스트 패턴이 형성된 그래핀인 그래핀상의 금속 박막의 형성 방법
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제8항에 있어서,상기 그래핀상에 금속 증착 후 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 더 포함하는 그래핀상의 금속 박막의 형성 방법
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제1항 내지 제9항중 어느 한 항에 따른 방법으로 형성된 그래핀상의 금속 박막을 포함하는 전자 소자
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제10항에 있어서,상기 그래핀은 1 내지 100개의 층으로 이루어진 전자 소자
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제11항에 있어서,상기 전자 소자는 스위칭 소자, 에너지 발전 소자 또는 광전 소자인 전자 소자
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기판 위에 그래핀을 형성하는 단계;상기 그래핀을 비산화성 또는 비활성 기체 플라즈마 처리하는 단계; 및상기 플라즈마 처리된 그래핀 표면상에 금속을 증착하여 박막을 형성하는 단계를 포함하는 전자 소자의 제조 방법
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챔버; 및 상기 챔버에 연결된, 가스 공급계; 퍼지(purge)계; 전력계; 및 가열계를 포함하는 인시튜(in-situ) 전자 소자 제조 장치로서, 상기 가스 공급계는 상기 챔버의 비활성 분위기용 및 그래핀의 플라즈마 처리용 가스를 공급하는 제1 가스공급부 및 상기 그래핀상의 금속 증착을 위한 원료를 공급하는 제2 가스공급부를 포함하는 인시튜 전자 소자 제조 장치
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