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(a) 베이스 부재와, 상기 베이스 부재에 형성된 친수성 산화층과, 상기 산화층에 형성된 소수성 금속 촉매층과, 상기 금속 촉매층에 형성된 그래핀을 포함하는 그래핀 부재를 준비하는 단계;(b) 상기 그래핀 부재에 물을 가하는 단계;(c) 상기 산화층과 상기 금속 촉매층 사이를 분리하는 단계; 및(d) 상기 금속 촉매층을 에칭 공정으로 제거하는 단계;를 포함하며,상기 (b)단계는, 물이 상기 산화층과 상기 금속 촉매층 사이에 침투하여 상기 산화층과 상기 금속 촉매층 사이에 틈을 발생시키는 그래핀의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 베이스 부재는 실리콘(Si) 소재로 이루어진 그래핀의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 산화층은 산화 실리콘(SiO2)으로 이루어진 그래핀의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 금속 촉매층은, 니켈(Ni), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 철(Fe), 코발트(Co) 및 텅스텐(W) 중 적어도 어느 하나의 소재로 이루어진 그래핀의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (a)단계는, 상기 그래핀에 전사 부재를 배치하는 단계를 더 포함하는 그래핀의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 전사 부재는, PDMS(Polydimethylsiloxane), PET(Polyethylen Terephthalate), 폴리 이미드 필름(Polyimide film), 유리(glass), 천연 고무 및 합성 고무 중 어느 하나의 소재로 이루어진 그래핀의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (b)단계 시, 초음파를 인가하여 상기 그래핀 부재에 초음파 처리를 수행하는 그래핀의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (b)단계는, 물이 차있는 수조에 상기 그래핀 부재를 담가 이루어지는 그래핀의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 물이 차있는 수조에 상기 그래핀 부재를 담근 상태에서 상기 (c)단계가 이루어지는 그래핀의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (c)단계는, 소정의 힘을 이용하여 상기 산화층과 상기 금속 촉매층 사이를 분리하는 그래핀의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 에칭 공정은, 산, 불화수소(HF), BOE(buffered oxide etch), 염화제2철(FeCl3) 용액 및 질산제2철(Fe(NO3)3) 용액 중 적어도 어느 하나를 이용하여 수행되는 그래핀의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 (d)단계 이후에, 상기 그래핀을 기판 또는 소자에 전사하는 단계를 더 포함하는 그래핀의 제조 방법
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