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광도파로소자의연마방법

  • 기술번호 : KST2015144830
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 광도파로 소자의 연마방법은 광도파로가 형성된 기판 상에 버퍼층을 형성한 후 상기 광도파로 상의 버퍼층 상에 연마용 금속 패턴을 형성한다. 이어서, 광섬유와 접속할 수 있도록 상기 연마용 금속 패턴 및 버퍼층이 형성된 상기 기판의 측면을 연마한다. 상기 버퍼층은 실리콘 산화막으로 형성한다. 본 발명에 의하면, 광도파로 상에 버퍼층 및 연마용 금속 패턴이 형성되어 있기 때문에 상기 광도파로와 금속 패턴 사이에 에어갭이 발생하지 않는다. 따라서, 광도파로 표면에 홈이 발생하지 않고 균일하게 연마할 수 있다.
Int. CL G02B 6/42 (2006.01.01) G02B 6/28 (2006.01.01) G02B 6/38 (2006.01.01) G02B 6/12 (2006.01.01)
CPC G02B 6/423(2013.01) G02B 6/423(2013.01) G02B 6/423(2013.01) G02B 6/423(2013.01) G02B 6/423(2013.01)
출원번호/일자 1019970016799 (1997.04.30)
출원인 한국전자기술연구원
등록번호/일자 10-0231845-0000 (1999.09.01)
공개번호/일자 10-1998-0079124 (1998.11.25) 문서열기
공고번호/일자 (19991201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.04.30)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성구 대한민국 경기도 평택시
2 윤대원 대한민국 서울특별시 강동구
3 윤형도 대한민국 경기도 평택시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이영필 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)
2 권석흠 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)(유미특허법인)
3 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))
4 윤창일 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 평택시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.04.30 수리 (Accepted) 1-1-1997-0054357-68
2 특허출원서
Patent Application		 1997.04.30 수리 (Accepted) 1-1-1997-0054356-12
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.04.30 수리 (Accepted) 1-1-1997-0054358-14
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.14 수리 (Accepted) 4-1-1999-0005793-30
5 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1999.02.23 수리 (Accepted) 1-1-1999-5084072-17
6 등록사정서
Decision to grant		 1999.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0244601-87
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

광도파로가 형성된 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 광도파로 상의 버퍼층 상에 연마용 금속 패턴을 형성하는 단계; 및 광섬유와 접속할 수 있도록 상기 연마용 금속 패턴 및 버퍼층이 형성된 상기 기판의 측면을 연마하는 것을 포함하여 이루어지는 특징으로 하는 광도파로 소자의 연마방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 버퍼층은 실리콘 산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 광도파로 소자의 연마방법

3 3

기판의 표면 근방에 광도파로를 형성하는 단계; 상기 광도파로가 형성된 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 상에 금속층을 형성하는 단계; 상기 금속층을 패터닝하여 상기 광도파로 상의 상기 버퍼층 상에 연마용 금속 패턴을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 및 연마용 금속 패턴이 형성된 기판을 연마할 수 있도록 패키징하는 단계; 및 상기 패키징된 기판, 버퍼층 및 연마용 금속 패턴의 측면을 연마하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 광도파로 소자의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.