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박막 써미스터의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015144841
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 망간(Mn)과 니켈(Ni)의 몰 비를 2:1 내지 5:1로 하여 형성한 MnNi 또는 망간(Mn), 코발트(Co)와 니켈(Ni)의 몰 비를 54:43:3 내지 60:30:10로 하여 형성한 MnCoNi을 타겟으로한 후, 아르곤과 산소의 혼합 가스 분위기 중 산소를 일정한 비율로 유지하면서 스퍼터링함으로써 박막 써미스터를 제조한다. 이때, 아르곤과 산소의 혼합 가스 분위기 중 산소의 함량비를 0.5% 내지 0.9%의 범위 내로 유지하면서 스퍼터링을 하면 비저항 특성이 좋은 박막 써미스터를 제조할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면 상온에서 스퍼터링을 행함으로써 박막 써미스터를 제조할 수 있다. 따라서, 기판을 가열하지 않고 반응가스 중 산소 함량비를 비교적 낮은 일정한 범위내로 제어하여 써미스터 박막을 형성하기 때문에 저온용 재료를 박막형성용 기판으로 광범위하게 이용할 수 있으며, 비교적 낮은 산소 함량비의 가스를 사용하기 때문에 박막의 형성속도가 크고, 전기적, 기계적 특성의 신뢰성 및 재현성이 우수한 박막 써미스터 소자를 제조할 수 있다.박막 써미스터, 타겟, 산소
Int. CL H01C 17/00 (2006.01)
CPC H01C 7/041(2013.01) H01C 7/041(2013.01)
출원번호/일자 1019990004063 (1999.02.06)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-0307462-0000 (2001.08.21)
공개번호/일자 10-2000-0055442 (2000.09.05) 문서열기
공고번호/일자 (20010926) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.02.06)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김철수 대한민국 서울특별시서초구
2 최성호 대한민국 경기도평택시
3 이용성 대한민국 서울특별시관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송만호 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)
2 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기 평택시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원서
Patent Application		 1999.02.06 수리 (Accepted) 1-1-1999-0009275-47
2 보정통지서
Request for Amendment		 1999.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1999-0001409-86
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 1999.02.26 수리 (Accepted) 1-1-1999-5091426-30
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0316887-76
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2001.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2001-0020214-59
6 의견서
Written Opinion		 2001.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2001-0041098-85
7 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.02.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-0041097-39
8 등록결정서
Decision to grant		 2001.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0205566-90
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
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번호 청구항
1 1

(정정)절연성 재료로 이루어진 기판 위에 금속막을 스퍼터링하여 적층한 후 사진 식각하여 전극 패턴을 형성하는 단계;

망간(Mn)과 니켈(Ni)의 몰 비가 2:1 내지 5:1로 포함되어 있는 MnNi의 타겟을 상온에서 스퍼터링하여 상기 기판 및 전극 패턴 상에 써미스터 박막을 형성하는 단계; 및

상기 써미스터 박막을 덮는 보호막을 형성하는 단계

를 포함하는 박막 써미스터 제조 방법

2 2

제1항에서,

상기 써미스터 박막은 아르곤과 산소의 혼합 가스 분위기 중 산소의 함량비를 0

3 4

(정정)절연성 재료로 이루어진 기판 위에 금속막을 스퍼터링하여 적층한 후 사진 식각하여 전극 패턴을 형성하는 단계;

망간(Mn), 코발트(Co)와 니켈(Ni)의 몰 비가 54:43:3 내지 60:30:10로 포함되어 있는 MnCoNi의 타겟을 상온에서 스퍼터링하여 상기 기판 및 전극 패턴 상에 써미스터 박막을 형성하는 단계; 및

상기 써미스터 박막을 덮는 보호막을 형성하는 단계

를 포함하는 박막 써미스터 제조 방법

4 5

제4항에서,

상기 써미스터 박막은 아르곤과 산소의 혼합 가스 분위기 중 산소의 함량비를 0

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.