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전계방출표시소자및에미터제조방법

  • 기술번호 : KST2015144861
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 간단한 박막 증착 기법에 의해 제조 가능한 4극 구조의 에미터들을 갖는 전계 방출 표시소자에 관한 것으로, 이를 위하여 본 발명은, 박막 증착 공정과 마스크 및 식각 공정을 통해 전계 방출 표시소자에 채용되는 4극 구조의 에미터들을 형성하기 때문에, 일정 깊이로 판 홀 내에 에미터 물질을 적층하여 원추형 에미터를 형성하는 종래 전계 방출 표시소자에 비해, 에미터의 높이 균일도를 일정하게 제어할 수 있어, 에미터에서 방출되는 전류의 균일도를 일정하게 유지할 수 있다. 따라서, 본 발명은 전류 방출을 균일하게 유지할 수 있어 발광 휘도 레벨을 균일하게 유지할 수 있는 것이다.
Int. CL H01J 9/02 (2006.01) H01J 1/304 (2006.01)
CPC H01J 9/148(2013.01) H01J 9/148(2013.01) H01J 9/148(2013.01)
출원번호/일자 1019980055803 (1998.12.17)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-0296955-0000 (2001.05.16)
공개번호/일자 10-2000-0040227 (2000.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20010807) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.12.17)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 곽민기 대한민국 경기도 평택시 송탄지역
2 한정인 대한민국 서울특별시 송파구
3 김원근 대한민국 경기도 평택시 송탄지역
4 박성규 대한민국 경상남도 밀양시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))
2 김원준 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기 평택시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1998.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1998-0430536-99
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1998-0430537-34
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1998-0430538-80
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.14 수리 (Accepted) 4-1-1999-0005793-30
5 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1999.02.23 수리 (Accepted) 1-1-1999-5084273-87
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0212417-25
7 의견서
Written Opinion		 2000.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2000-5331070-81
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.10.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5331079-91
9 등록사정서
Decision to grant		 2001.04.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0090431-71
10 FD제출서
FD Submission		 2001.05.17 수리 (Accepted) 2-1-2001-5081025-18
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

하부 기판과 이 하부 기판 상에 형성된 다수개의 전자 방출 에미터들로 된 하부 패널과, 고진공 공간을 사이에 두고 상기 하부 패널과 마주하는 상부 패널을 포함하는 전계 방출 표시소자에 있어서,

상기 전자 방출 에미터들이, 상기 하부 기판 상에 일정 간격으로 이격되어 형성된 다수의 에지 에미터, 상기 각 에지 에미터에 대응하는 다수의 하부 게이트 전극층, 상기 각 에지 에미터 및 하부 게이트 전극층상에 각각 형성된 절연체층, 상기 절연체층의 상부에 각각 형성된 상부 게이트 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시소자

2 2

하부 기판을 갖는 하부 패널과, 고진공 공간을 사이에 두고 상기 하부 패널과 마주하며, 상부 기판을 갖는 상부 패널을 포함하는 전계 방출 표시소자의 에미터를 제조하는 방법에 있어서,

상기 하부 기판 상에 에미터 물질을 증착한 다음 마스크 및 식각 공정을 수행하여 상기 하부 기판의 일부를 노출시킴으로써, 상기 하부 기판 상에 일정 간격을 갖는 에지 에미터들을 형성하는 단계;

상기 노출된 하부 기판 및 상기 형성된 에지 에미터의 상부 전면에 걸쳐 하부 게이트 전극용 물질을 증착하고, 마스크 및 식각 공정을 수행하여 상기 에지 에미터가 형성되지 않은 상기 하부 기판의 상부에 일정 간격을 갖는 하부 게이트 전극들을 형성하는 단계; 및

상기 노출된 하부 기판, 상기 에지 에미터 및 상기 하부 게이트 전극의 상부 전면에 걸쳐 절연체 물질 및 상부 게이트 전극용 물질을 순차 증착하고, 마스크 및 식각 공정을 수행하여 상기 각 에지 에미터 및 상기 각 하부 게이트 전극의 상부 일부에 절연체층 및 상부 게이트 전극을 순차 형성하는 단계로 이루어진 전계 방출 표시소자용 에미터 제조 방법

3 3

제 2 항에 있어서, 상기 절연체층 및 상부 게이트 전극 형성 단계는:

상기 노출된 하부 기판, 상기 각 에지 에미터 및 상기 각 하부 게이트 전극의 상부 전면에 걸쳐 절연체 물질을 증착하고, 마스크 및 식각 공정을 수행하여 상기 각 에지 에미터 및 상기 각 하부 게이트 전극의 상부 일부에 절연체층을 각각 형성하는 단계; 및

상기 노출된 하부 기판, 상기 노출된 각 에지 에미터, 상기 노출된 각 하부 게이트 전극 및 상기 절연체층의 상부 전면에 걸쳐 상부 게이트 전극용 물질을 증착하고, 마스크 및 식각 공정을 수행하여 상기 각 절연체층의 상부에 상부 게이트 전극을 각각 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시소자용 에미터 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.