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ＡｌＧａＡｓ 발광다이오드 어레이 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015144916
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 AlGaAs 발광다이오드 어레이 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 소형화 기기의 디스플레이 장치용 광원으로 사용하는 데 광효율 및 광휘도에 한계가 있는 종래의 확산형 GaAsP 발광다이오드 어레이를 대체하기 위해서, 휴대용 전자 기기의 표시 장치용 광원을 AlGaAs 발광다이오드 어레이로 형성하되, 그 AlGaAs 발광다이오드 어레이가 휴대용 전자 기기의 표시장치에 탑재될 수 있을 정도의 집적도를 제공하기 위한 구조, 즉, 다수개의 단위 픽셀로 이루어진 2열이 요철 형상으로 배치되고, 그 요철을 이루기 위해 돌출된 부분에 발광점이 형성되는 구조의 AlGaAs 발광다이오드 어레이 및 그 제조 방법을 제공함으로써, 휴대용 전자기기에 적합한 광원을 제공한다.
Int. CL H01L 33/02 (2014.01) H01L 33/20 (2014.01)
CPC H01L 27/156(2013.01) H01L 27/156(2013.01) H01L 27/156(2013.01) H01L 27/156(2013.01) H01L 27/156(2013.01)
출원번호/일자 1019990004194 (1999.02.08)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-0285537-0000 (2001.01.04)
공개번호/일자 10-2000-0055533 (2000.09.05) 문서열기
공고번호/일자 (20010315) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.02.08)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문현찬 대한민국 경기도군포시
2 박광범 대한민국 경기도평택시송탄지역
3 김인회 대한민국 경기도용인

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))
2 김원준 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기 평택시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원서
Patent Application		 1999.02.08 수리 (Accepted) 1-1-1999-0009606-67
2 등록사정서
Decision to grant		 2000.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0304691-09
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

p형 에피층과 n형 에피층에 의해서 p-n접합을 이루는 발광부와, 상기 발광부에 전압을 공급하기 위한 전극을 포함하는 다수 개의 단위셀로 이루어지는 AlGaAs 발광다이오드 어레이에 있어서,

상기 AlGaAs 발광다이오드 어레이를 이루는 단위셀 각각은;

발광점이 형성된 돌출부를 갖는 사각 형상으로 이루어지고,

상기 AlGaAs 발광다이오드 어레이는;

동일선상에 상기 단위셀의 발광점이 타열 측으로 향하도록 반복 배치된 2개의 열로 이루어지고, 상기 2개의 열은 상기 단위셀의 발광점이 동일선상에 배치될 수 있도록 상기 2개의 열 각각에 포함되는 상기 단위셀의 돌출부분 들이 타열의 이웃하는 단위 셀 사이에 형성된 홈들 각각에 끼이는 빗장 구조로 배치되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 AlGaAs 발광다이오드 어레이

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 단위셀 각각은,

'L'자 형상을 이루어지는 것을 특징으로 하는 AlGaAs 발광다이오드 어레이

3 3

AlGaAs 발광다이오드 어레이를 제조하는 방법에 있어서,

GaAs 기판의 상부 전면에 p형 AlGaAs막, n형 AlGaAs막을 순차적으로 적층하여 p-n접합을 형성하는 단계;

상기 n형 AlGaAs막 및 p형 AlGaAs막을 돌출부를 갖는 사각 형상의 픽셀 단위로 패터닝하되, 상기 패터닝된 각 픽셀이 빗장 구조를 이루는 2개열로 배치되도록 패터닝하는 단계;

상기 패터닝된 각 픽셀의 n형 AlGaAs막 위에 상기 돌출부분에서 상기 n형 AlGaAs막의 일부를 노출키는 전극을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 AlGaAs 발광다이오드 어레이의 제조 방법

4 4

제 3 항에 있어서, 상기 n형 AlGaAs막 및 p형 AlGaAs막을 'L'자 형상의 픽셀단위로 패터닝하는 것을 특징으로 하는 AlGaAs 발광다이오드 어레이의 제조 방법

5 5

제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 전극을 리프트 오프(lift-off) 기법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 AlGaAs 발광다이오드 어레이의 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.