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광변조기의미세전극형성방법

  • 기술번호 : KST2015144930
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광변조기의 미세전극 형성방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 기판 상에 유전막을 형성하는 단계와, 상기 유전막 상에 크롬(Cr)막을 형성하는 단계와, 상기 크롬막 상에 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제1 포토레지스트 패턴을 마스크로 상기 크롬막을 식각하여 상기 유전막을 노출하는 개구부를 갖는 크롬막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제1 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계와, 상기 크롬막 패턴이 형성된 기판의 전면에 상기 개구부를 충분히 매립하도록 금막을 형성하는 단계와, 상기 금막 상에 제2 포토레지스트막을 형성하는 단계와, 상기 제2 포토레지스트를 패터닝하여 상기 개구부의 상부와 일치되도록 도금 가이드를 형성하는 단계와, 상기 도금 가이드에 의하여 노출된 금막 상에 금을 전기도금하여 도금막을 형성하는 단계와, 상기 도금 가이드를 제거하여 상기 금막을 노출하는 도금막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 도금막 패턴을 식각마스크로 상기 금막을 식각하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 광변조기의 미세전극 형성방법을 제공한다. 본 발명의 광변조기의 미세전극 형성방법은 양산 적용에 유리하고, 도금막 패턴의 형성시 20㎛ 두께 이상의 도금 가이드를 이용함으로써 두꺼운 미세전극을 형성할 수 있다.
Int. CL G02F 1/03 (2006.01.01)
CPC G02F 1/0316(2013.01) G02F 1/0316(2013.01)
출원번호/일자 1019960037670 (1996.08.31)
출원인 한국전자기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1998-0017849 (1998.06.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 포기
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.11.19)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성구 대한민국 경기도 평택시
2 윤형도 대한민국 충청남도 아산시
3 윤대원 대한민국 경기도 평택시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이영필 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)
2 권석흠 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)(유미특허법인)
3 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1996.08.31 수리 (Accepted) 1-1-1996-0132464-18
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.08.31 수리 (Accepted) 1-1-1996-0132465-64
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.11.19 수리 (Accepted) 1-1-1996-0797101-24
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.14 수리 (Accepted) 4-1-1999-0005793-30
5 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1999.02.23 수리 (Accepted) 1-1-1999-5083959-10
6 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2000.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2000-5180038-21
7 등록사정서
Decision to grant		 2000.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0282832-34
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
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번호 청구항
1 1

기판 상에 유전막을 형성하는 단계;

상기 유전막 상에 크롬(Cr)막을 형성하는 단계;

상기 크롬막 상에 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;

상기 제1 포토레지스트 패턴을 마스크로 상기 크롬막을 식각하여 상기 유전막을 노출하는 개구부를 갖는 크롬막 패턴을 형성하는 단계;

상기 제1 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 및

상기 크롬막 패턴이 형성된 기판의 전면에 상기 개구부를 충분히 매립하도록 금막을 형성하는 단계;

상기 금막 상에 제2 포토레지스트막을 형성하는 단계;

상기 제2 포토레지스트를 패터닝하여 상기 개구부의 상부와 일치되도록 도금 가이드를 형성하는 단계;

상기 도금 가이드에 의하여 노출된 금막 상에 금을 전기도금하여 도금막을 형성하는 단계;

상기 도금 가이드를 제거하여 상기 금막을 노출하는 도금막 패턴을 형성하는 단계; 및

상기 도금막 패턴을 식각마스크로 상기 금막을 식각하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 광변조기의 미세전극 형성방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 기판은 티타늄이 확산된 리튬나오베이트(LiNbO3)기판인 것을 특징으로 하는 광변조기의 미세전극 형성방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 유전막은 실리콘 산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 광변조기의 미세전극 형성방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 크롬막 및 금막은 각각 5001000Å 및 5001500Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 광변조기의 미세전극 형성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.