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제1 반도체 기판; 상기 제1 반도체 기판 하부에 형성된 제1 도전막; 상기 제1 반도체 기판 위에 형성된 제1 절연막; 상기 제1 절연막 위에 형성된 제2 도전막; 상기 제2 도전막과 상기 제1 반도체 기판 사이에 형성되어 상기 제2 도전막에 수신된 전파를 정류하는 다이오드를 구비하는 것을 특징으로하는 에너지 변환 장치
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제1항에 있어서, 상기 제1 도전막은 적층된 보론막과 알루미늄막인 것을 특징으로하는 에너지 변환 장치
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제1항에 있어서, 상기 제1 반도체 기판은 P형 실리콘 기판인 것을 특징으로하는 에너지 변환 장치
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제1항에 있어서, 상기 제1 절연막은 실리콘산화막인 것을 특징으로하는 에너지 변환 장치
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제1항에 있어서, 상기 제2 도전막은 알루미늄인 것을 특징으로하는 에너지 변환 장치
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제1항에 있어서, 상기 제2 도전막은 적어도 하나 이상인 것을 특징으로하는 에너지 변환 장치
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제1항에 있어서, 상기 제2 도전막은 사각형 패치와, 상기 사각형 패치와 상기 다이오드 사이에 연결된 급전선인 것을 특징으로하는 에너지 변환 장치
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제1항에 있어서, 상기 전파는 마이크로파인 것을 특징으로하는 에너지 변환 장치
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제1항에 있어서, 상기 제2 도전막은 마이크로스트립 안테나인 것을 특징으로하는 에너지 변환 장치
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제1항에 있어서, 상기 다이오드는 상기 전파를 직류 전압으로 정류하는 쇼트키 장벽 다이오드인 것을 특징으로하는 에너지 변환 장치
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제1항에 있어서, 제2 반도체 기판과, 상기 제2 반도체 기판 위에 형성된 제2 절연막과 상기 제2 절연막 위에 형성된 제3 도전막을 상기 제2 도전막 위에 더 구비하는 것을 특징으로하는 에너지 변환 장치
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제11항에 있어서, 상기 제2 반도체 기판은 P형 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 에너지 변환 장치
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제11항에 있어서, 상기 제2 절연막은 실리콘산화막인 것을 특징으로하는 에너지 변환 장치
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제11항에 있어서, 상기 제3 도전막은 알루미늄인 것을 특징으로하는 에너지 변환 장치
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반도체 기판을 준비하는 단계; 상기 반도체 기판 하부에 제1 도전막을 형성하는 단계; 상기 반도체 기판 상에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막 상의 일부에 제2 도전막을 형성하는 단계; 상기 제2 도전막과 상기 절연막의 일부에 핀홀을 형성하는 단계; 및 상기 제2 도전막 상에 제3 도전막을 형성함으로 마이크로스트립 안테나와 다이오드가 형성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로하는 에너지 변환 장치의 형성 방법
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제15항에 있어서, 상기 제2 도전막은 알루미늄으로 형성하는 것을 특징으로 하는 에너지 변환 장치의 형성 방법
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제15항에 있어서, 상기 절연막은 상기 실리콘 기판에 열과 공기를 인가하여 형성하는 것을 특징으로하는 에너지 변환 장치의 형성 방법
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제15항에 있어서, 상기 핀홀은 상기 제2 도전막 상에 포커스 이온 빔 밀링법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로하는 에너지 변환 장치의 형성 방법
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제15항에 있어서, 상기 핀홀은 1
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제15항에 있어서, 상기 반도체 기판은 P형 실리콘으로 형성하는 것을 특징으로하는 에너지 변환 장치
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