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마이크로 빔 스플리터 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015144953
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 이 발명은 마이크로 빔 스플리터 제조 방법을 개시한다. 먼저 기판 상의 감광층 위에 제1 및 제2 프리즘 제조를 위한 패턴이 형성되어 있는 마스크를 위치시키고 상기 마스크로 X-선을 조사하여 상기 감광층을 노광시키고, 상기 감광층을 현상하여 상기 패턴에 해당하는 형상을 가지는 제1 및 제2 프리즘을 형성한다. 다음에, 상기 제1 프리즘과 제2 프리즘의 밑면에 각각 코팅막을 형성하고, 상기 제1 프리즘의 코팅막과 제2 프리즘의 코팅막 사이에 간섭막을 형성하여 마이크로 빔 스플리터를 제조한다 . 이와 같이 X-선 사진식각공정을 이용하여 마이크로 빔 스플리터를 제조함에 따라, 마이크로 크기를 가지는 빔 스플리터도 용이하게 제조할 수 있으며, 저가의 비용으로 보다 정밀한 형상을 가지는 마이크로 빔 스플리터를 제조할 수 있다. 빔스플리터, X-선 사진 식각 공정, 프리즘, 간섭필름
Int. CL G03F 7/20 (2006.01)
CPC G03F 7/70583(2013.01) G03F 7/70583(2013.01) G03F 7/70583(2013.01) G03F 7/70583(2013.01) G03F 7/70583(2013.01)
출원번호/일자 1019990061062 (1999.12.23)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2001-0057689 (2001.07.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.12.23)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정석원 대한민국 충청남도공주시
2 박광범 대한민국 경기도평택시
3 김인회 대한민국 경기도용인
4 박효덕 대한민국 경기도평택시
5 문현찬 대한민국 경기도군포시
6 이보나 대한민국 경기도오산
7 김건년 대한민국 경기도평택시
8 박순섭 대한민국 경기도평택시
9 신상모 대한민국 경기도용인시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송만호 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)
2 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
1999.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1999-0179252-95
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2001.12.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2002.01.25 수리 (Accepted) 9-1-2002-0034738-21
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2002.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0107477-93
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2002.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0214751-86
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
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번호 청구항
1 1

기판 상의 감광층 위에 제1 및 제2 프리즘 제조를 위한 패턴이 형성되어 있는 마스크를 위치시키고 상기 마스크로 X-선을 조사하여 상기 감광층을 노광시키는 단계;

상기 감광층을 현상하여 상기 패턴에 해당하는 형상을 가지는 제1 및 제2 프리즘을 형성하는 단계;

상기 제1 프리즘과 제2 프리즘의 밑면에 각각 코팅막을 형성하는 단계;

상기 제1 프리즘의 코팅막과 제2 프리즘의 코팅막 사이에 간섭막을 형성하는 단계

를 포함하는 마이크로 빔 스플리터의 제조 방법

2 2

제1항에서,

상기 간섭막을 형성하는 단계는 상기 제1 프리즘의 코팅막 또는 제2 프리즘의 코팅막에 간섭 물질을 코팅하여 간섭막을 형성하고, 상기 간섭막이 형성된 프리즘의 코팅막과 간섭막이 형성되지 않는 프리즘의 코팅막을 접착제로 접착시켜 마이크로 빔 스플리터를 제조하는 마이크로 빔 스플리터의 제조 방법

3 3

제1항에서,

상기 노광 단계에서, 상기 감광층에 자외선을 조사하는 마이크로 빔 스플리터의 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.