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저잡음을 위한 이동통신단말기용 증폭회로 및 이를포함하는 멀티칩모듈구조

  • 기술번호 : KST2015144971
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저잡음을 위한 이동통신단말기용 증폭회로 및 이를 포함하는 멀티칩모듈구조에 관한 것으로 본 발명은 커패시터와 인덕터로 구성되는 입력임피던스정합회로부(10) 및 출력입피던스정합회로부(20)와, 상기 입력임피던스정합회로부와 출력임피던스회로부를 연결하고, 증폭회로가 A급으로 동작가능하도록 조정된 적어도 하나 이상의 저항을 구비함과 함께, 증폭회로가 발진하지 않도록 조정된 적어도 하나 이상의 저항 및 커패시터를 포함하는 바이어스회로부(30)를 포함하는 저잡음 증폭회로 및 이를 포함하는 멀티칩모듈구조를 포함하며 상기 구성에 의하면 증폭기의 잡음을 최소화하면서 안정적으로 동작하며, 우수한 이득특성과 열노이즈 감소로 인한 우수한 잡음지수특성을 얻을 수 있는 장점이 있다.
Int. CL H03F 1/26 (2006.01)
CPC H03F 1/26(2013.01) H03F 1/26(2013.01) H03F 1/26(2013.01)
출원번호/일자 1020000087118 (2000.12.30)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2002-0058976 (2002.07.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.12.30)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재영 대한민국 경기도수원시장안구
2 조현민 대한민국 경기도평택시
3 임욱 대한민국 경기도평택시
4 박종철 대한민국 경기도성남시분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2000-0288332-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2002.05.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0197316-94
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2002.06.11 수리 (Accepted) 9-1-2002-0007574-18
5 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2002.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2002-5192832-62
6 의견서
Written Opinion		 2002.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2002-0248988-83
7 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.07.31 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0248990-75
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2003.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0036041-92
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

커패시터와 인덕터로 구성되는 입력임피던스정합회로부(10) 및 출력입피던스정합회로부(20)와,

상기 입력임피던스정합회로부와 출력임피던스회로부를 연결하고, 증폭회로가 A급으로 동작가능하도록 조정된 적어도 하나 이상의 저항을 구비함과 함께, 증폭회로가 발진하지 않도록 조정된 적어도 하나 이상의 저항 및 커패시터를 포함하는 바이어스회로부(30)를 포함함을 특징으로 하는 저잡음을 위한 이동통신단말기용 증폭회로

2 2

제 1항에 있어서, 상기 바이어스회로부는 A급 동작을 위한 저항으로 R1, R2를 구비함과 동시에 증폭회로의 발진을 방지하기 위한 저항 R3, R4 및 커패시터 C4를 포함함을 특징으로 하는 저잡음을 위한 이동통신단말기용 증폭회로

3 3

제 1항의 저잡음 증폭회로를 복수개의 층구조에 분산하여 설치하고, 상기 분산된 개별 구조는 비어를 통해 상호 연결되어 적층시킨 멀티칩모듈구조

4 4

제 3항에 있어서, 상기 멀타칩모듈구조는

저항 R1, R2, R3 및 R4를 포함하는 인쇄저항기, 커패시터 C2, C3, C5, C7와 FET를 포함하고, 외부단자로 입력, 출력, 접지, 전원단자를 포함하는 최상위층과,

인덕터 L2가 상기 최상위층과 비어홀을 통해 Vcc단자와 FET의 드레인단자와 연결된 구조이 제 1층구조와,

인덕터 L1이 상기 최상위층과 FET의 게이트단자와 접지사이의 마이크로스트립 라인으로 연결되어 인덕턴스를 형성하고 있는 구조의 제 2층구조와,

인덕터 L3는 상기 최상위 층의 FET의 드레인단자와 커패시터 C5와 비어홀로 연결되어 스피랄(spiral)구조의 인덕턴스를 형성하고, 커패시터 C4는 제 3층과 제 4층구조에 평면에 의한 커패시턴스를 형성하고 있는 구조의 제 3층구조와,

커패시터 C4가 제 3층구조와 커패시턴스를 형성하며, 커패시터 C1, C6는 제 5층구조의 평판과 커패시턴스를 형성하는 구조의 제 4층구조와,

커패시터 C1, C6는 제 4층구조의 평판과 커패시턴스를 형성하는 구조의 제 5층구조와

접지면을 형성하는 제 6층구조를 포함함을 특징으로 하는 멀티칩모듈구조

5 5

제 3항 또는 제 4항에 있어서, 상기 멀티칩모듈을 구성하는 기판은 세라믹임을 특징으로 하는 멀티칩모듈구조

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.