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기판(20)의 상부에 형성된 하부클래드층(21')과; 상기 하부클래드층(21')의 상부에 형성된 상부클래드층(30')과; 상기 하부클래드층(21')의 상부면에 하부클래드층의 내측으로 홈이 형성되며, 상기 홈에 충진되어 형성된 코아(24)로 구성된 것을 특징으로 하는 광도파로 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 코아(24)는 적어도 둘 이상 존재하는 것을 특징으로 하는 광도파로 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 하부클래드층(21')과 상기 상부클래드층(30')은 굴절률이 동일하고, 상기 코아(24)는 상기 상,하부클래드층(30',21')보다 굴절률이 큰 것을 특징으로 하는 광도파로 소자
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기판의 상부에 실리카 박막층인 하부클래드층(21')을 형성하는 단계와; 상기 하부클래드층(21')의 상부 내측으로 홈(23)을 형성하는 단계와; 상기 홈(23)에 상기 하부클래드층(21')보다 굴절률이 높은 코아(24)를 형성하는 단계와; 상기 하부클래드층(21')과 상기 코아(24)의 상부에 실리카 박막층인 상부클래드층(30')을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 광도파로 소자의 제조방법
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제 4 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘기판 또는 실리카기판 중 선택된 것을 특징으로 하는 광도파로 소자의 제조방법
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제 5 항에 있어서, 상기 홈(23)에 상기 하부클래드층(21')보다 굴절률이 높은 코아(24)를 형성하는 단계는 상기 홈(23)이 형성된 상기 하부클래드층(21')의 상부에 상기 하부클래드층(21')의 형성조건과 동일하면서, 굴절률을 높이기 위하여 GeCl4 또는 POCl3의 양을 더 추가하여 실리카 미립자층을 증착하고, 전기로에서 고밀화 공정을 거쳐 투명한 실리카 박막층으로 형성된 코아층(24')을 형성하는 단계와;상기 하부클래드층(21')의 상부면을 따라 상기 코아층(24')을 제거하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 광도파로 소자의 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 하부클래드층(21')의 상부면을 따라 상기 코아층(24')을 제거하는 단계는 식각공정, 폴리싱(polishing)공정으로 상기 코아층(24')을 제거하는 것을 특징으로 하는 광도파로 소자의 제조방법
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제 5 항에 있어서, 상기 하부클래드층(21')의 상부 내측으로 홈(23)을 형성하는 단계는 상기 하부클래드층(21')의 상부를 식각하여 적어도 둘 이상의 홈들을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 광도파로 소자의 제조방법
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제 5 항에 있어서, 상기 실리콘 기판(20)의 상부에 실리카 박막층인 하부클래드층(21')을 형성하는 단계와, 상기 하부클래드층(21')과 상기 코아(24)의 상부에 실리카 박막층인 상부클래드층(30')을 형성하는 단계는 상기 하부클래드층(21')과 상부클래드층(30')이 동일한 굴절률을 갖도록 동일한 증착조건에서 화염가수분해증착법(FHD)으로 증착하여 실리카 미립자층을 형성하고, 전기로에서 고밀화 공정을 거쳐 투명한 실리카 박막층을 각각 형성하는 것을 특징으로 하는 광도파로 소자의 제조방법
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