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광도파로형 이득평탄화 필터소자 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015145009
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광도파로형 이득평탄화 필터소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 기판의 상부에 형성된 하부클래드층과; 상기 하부클래드층의 상부에 형성된 상부클래드층과; 상기 하부클래드층과 상부클래드층의 사이에 처프된 격자패턴이 형성된 코아층으로 구성된다.따라서, 본 발명은 광섬유로 제조하는 기술을 탈피하여 평면 광도파로(Planar Lightwave Circuit, PLC)기술로 소자를 제조함으로써, 한 웨이퍼에 다수의 소자를 양산할 수 있어 대량생산을 할 수 있고, 제조비용을 줄일 수 있으며, 다양한 광증폭기에 적용할 수 있는 효과가 발생한다.광이득, 평탄화, 필터, 광도파로
Int. CL G02B 6/12 (2006.01)
CPC G02B 6/136(2013.01) G02B 6/136(2013.01)
출원번호/일자 1020020021653 (2002.04.19)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-0440763-0000 (2004.07.08)
공개번호/일자 10-2003-0083212 (2003.10.30) 문서열기
공고번호/일자 (20040721) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.04.19)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤형도 대한민국 경기도평택시
2 임영민 대한민국 경기도화성군
3 박경서 대한민국 경기도용인시구
4 박종화 대한민국 서울특별시도봉구
5 서용곤 대한민국 전라남도여수시
6 김제민 대한민국 서울특별시영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 평택시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2002-0118208-39
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.11.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.12.10 수리 (Accepted) 9-1-2003-0060289-11
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0036356-03
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.03.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0130731-58
6 의견서
Written Opinion		 2004.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2004-0130733-49
7 등록결정서
Decision to grant		 2004.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0249392-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판의 상부에 형성된 하부클래드층과;

상기 하부클래드층의 상부에 형성된 상부클래드층과;

상기 하부클래드층과 상부클래드층의 사이에 처프된 격자패턴이 형성된 코아층으로 구성하되,

상기 하부와 상부클래드층은 고밀화된 SiO2이며,

상기 코아층은 SiO2-GeO2층인 것을 특징으로 광도파로형 이득평탄화 필터소자

2 2

삭제
3 3

제 1 항에 있어서,

상기 처프된 격자패턴은 코아층이 식각되어 각각 분리된 코아층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 광도파로형 이득평탄화 필터소자

4 4

삭제
5 5

실리콘 웨이퍼의 상부에 SiO2를 증착하여 하부클래드층을 형성하는 단계와;

상기 하부클래드층의 상부에 SiO2-GeO2층을 증착하고, 상기 증착된 SiO2-GeO2층을 고온의 로에서 가열하는 고밀화(Consolidation) 공정을 수행하는 단계와;

상기 고밀화 공정이 수행된 SiO2-GeO2층의 상부에 스퍼터링 장비를 이용하여 알루미늄을 증착시키고, 증착된 알루미늄층의 상부에 포토레지스트층을 형성한 후, 건식 오븐(Oven)을 이용하여 소프트베이킹을 수행하는 단계와;

상기 소프트베이킹을 수행한 후, 처프된 격자패턴이 형성된 크롬 마스크를 이용하여 자외선을 이용하여 포토레지스트층을 노광시키고, 사진식각공정을 수행하여 처프된 격자패턴을 갖는 포토레지스트층을 형성하는 단계와;

상기 처프된 격자패턴을 갖는 포토레지스트층을 마스크로 하여, 건식 또는 습식 식각으로 알루미늄층과 상기 SiO2-GeO2층을 순차적으로 제거하여 처프된 격자패턴을 갖는 코아층을 형성하는 단계와;

상기 처프된 격자패턴을 갖는 코아층을 감싸며, 상기 하부클래드층의 상부에 상부클래드층을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 광도파로형 이득평탄화 필터소자의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.