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저 유전율 기판을 이용한 저전압 광 변조기

  • 기술번호 : KST2015145015
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저 유전율 기판을 이용한 저전압 광 변조기에 관한 것으로, 본 발명은 저 유전율을 갖는 기판의 상부에 LiNbO3층을 형성하여 LiNbO3층의 두께를 최소화함으로써, 이 기판을 고용하여 제조된 광변조기는 레이저광과 RF 데이터 신호간의 위상속도 정합 및 특성임피던스 정합이 최적화되며, 구동전압을 낮출 수 있고 변조영역의 길이를 줄일 수 있는 효과가 발생한다.더불어, 변조영역의 길이를 줄여, RF 데이터 신호를 인가하는 전극의 길이를 감소시켜, RF 데이터 신호의 전파 손실 및 광도파 손실을 최소화할 수 있는 효과도 있다.그리고, LiNbO3층보다 낮은 유전율을 갖는 기판의 상부에 LiNbO3층을 형성하여 유효 유전율을 낮춤으로써, 광대역 주파수 특성이 왜곡되는 현상을 방지할 수 있어, 광대역 광 변조기를 구현할 수 있는 효과가 있다. 광변조기, 유전율, 고차모드, 석영
Int. CL G02F 1/01 (2006.01)
CPC G02F 1/01(2013.01) G02F 1/01(2013.01) G02F 1/01(2013.01) G02F 1/01(2013.01)
출원번호/일자 1020020049650 (2002.08.22)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2004-0017535 (2004.02.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.08.22)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이한영 대한민국 경기도용
2 양우석 대한민국 경기도성남시분당구
3 김우경 대한민국 서울특별시동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2002-0270470-17
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0256620-56
3 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2005.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0075396-12
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
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번호 청구항
1 1

LiNbO3보다 낮은 유전율을 갖는 물질로 이루어진 저유전율 기판과;

상기 저유전율 기판의 상부에 형성된 LiNbO3층과;

상기 LiNbO3층에 형성되어 입력 광도파로에서 2개로 분기되고 다시 결합되어출력 광도파로 연장되는 광 도파로와;

상기 광 도파로와 상기 LiNbO3층의 상부에 형성된 버퍼층과;

상기 분기된 1개의 광도파로의 상기 버퍼층 상부에 형성되어, RF 데이터 신호가 인가되는 양극전극과;

상기 양극전극 일측면과 이격되며, 상기 분기된 다른 1개의 광도파로의 버퍼층 상부에 형성된 제 1 그라운드 전극과;

상기 양극전극 타측면과 이격되며, 상기 버퍼층 상부에 형성된 제 2 그라운드 전극으로 이루어진 저유전율 기판을 이용한 저전압 광대역 광변조기

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 저유전율 기판은

석영 유리로 이루어진 것을 특징으로 하는 저유전율 기판을 이용한 저전압 광대역 광변조기

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.