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탑 에미션(emission) 유기 이엘(Electro Luminescence Display : EL) 소자의 전극 제작방법에 있어서, 유리 기판 상에 양극 물질인 니켈(Nickel)을 증착하여 포토리소그라피 공정을 통해 애노드(양극(+)) 전극의 패턴을 형성하는 단계; 상기 애노드 전극 패턴을 형성한 후, 상기 전극 패턴 상에 정공 주입층으로 사용할 수 있는 물질을 도포하는 단계; 상기 정공 주입층이 도포된에 고분자/저분자 유기 발광층을 도포하는 단계; 상기 고분자/저분자 유기 발광층 상에 전자 주입 극박막 및 투명 전도층을 이중층으로 상기 캐소드(음극(-)) 전극의 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 전극 제작방법
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제 1 항에 있어서, 상기 유리 기판은 플라스틱 필름으로 대체하여 사용하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 전극 제작방법
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제 1 항에 있어서, 상기 정공주입층 물질은 정공의 주입 및 전극 표면의 개질을 위한 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 전극 제작방법
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제 1 항에 있어서, 상기 고분자/저분자 유기 발광층은 이베퍼레이션, 스핀 코팅, 잉크젯 방법에 의해 도포되는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 전극 제작방법
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제 4 항에 있어서, 상기 고분자/저분자 유기 발광층은 상기 정공주입층 물질의 전면 또는 선택 영역에 도포하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 전극 제작방법
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제 1 항에 있어서, 상기 전자 주입 극박막은 저 일함수를 갖는 투명 전자 주입층으로 알루미늄(Al), 리튬(Li), 리튬 플로라이드(LiF), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 은(Ag) 인 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 전극 제작방법
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제 1 항에 있어서, 상기 투명 전도층은 전기 전도도가 좋은 투명 산화막, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 인 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 전극 제작방법
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제 1 항에 있어서, 상기 애노드 전극 패턴은 Al, 구리(Cu), Al-alloy, ITO의 전도층과 니켈(Nickel)을 이중층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 전극 제작방법
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제 1 항에 있어서 상기 캐소드 전극은 저일함수의 투명 산화막을 이용하여 단일층 캐소드 전극층을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 전극 제작 방법
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